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bq2201
非易失性SRAM控制器单元
特点
电源监控和切换
3伏电池备份应用
系统蒸发散
写保护控制
3伏原代细胞输入
L E S S小个的10 ns的芯片级é é NABL
传播延迟
5 %或10 %电源供电
概述
该CMOS bq2201非易失性SRAM
控制单元提供了所有必要的
用于将一个标准的函数
CMOS SRAM到非易失
读/写存储器。
精密比较器监视
5V V
CC
输入一个彻头彻尾的容忍
条件。当出公差为
检测到的,一个空调芯片使能
输出被强制处于非活动状态,以直写
保护任何标准CMOS SRAM 。
在电源故障期间,外部
SRAM被从V切换
CC
供应两个3V备用1支持
层数。在随后的加电时,该
SRAM处于写保护状态,直到
电源的有效条件存在。
该bq2201是footprint-和timing-
与行业标兼容
dards具有一个附加的好处
芯片使能的传播延迟
比为10ns以内。
引脚连接
引脚名称
V
OUT
BC
1
? BC
2
NC
V
OUT
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
电源输出
3伏的主备份电池输入
阈值的选择输入
芯片使能有效低输入
空调的芯片使能输出
+ 5V的电源输入
无连接
THS
V
CC
NC
BC
1
NC
CE
CON
NC
CE
VOUT
BC2
THS
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
BC1
CECON
CE
NC
BC
2
NC
THS
NC
CE
CE
CON
V
CC
V
SS
NC
8引脚窄DIP或SOIC
PN220101.eps
VSS
16引脚SOIC
PN2201E.eps
功能说明
外部CMOS静态RAM可以由电池供电
用V
OUT
和经调节的芯片使能输出
引脚从bq2201 。由于V
CC
电源时上下剧烈变化
出现故障时,空调芯片使能输出的CE
CON
is
强制的芯片使能输入端的CE的非活动无关。
本次活动无条件写保护外
SRAM为V
CC
下降到超出容限的阈值V
PFD
.
V
PFD
选择由阈值选择输入, THS 。
如果THS被连接到V
SS
,掉电检测发生在4.62V
典型的5 %电源供电。如果THS被连接到V
CC
,
掉电检测发生在4.37V典型的10 %支持
层的操作。对THS引脚必须连接到V
SS
或V
CC
正确的操作。
如果内存访问是在过程中掉电探测器
化,即存储周期继续完成之前的
内存为写保护。如果存储器的周期不是三 -
在时间t及时停止
WPT
,行政长官
CON
输出是无条件
倚重驱动为高电平,写保护的内存。
1998年10月
1
bq2201
由于供应持续下降近V
PFD
时,内部
开关设备强制V
OUT
至两个外部之一
备用能源。 CE
CON
保持高由V
OUT
能量源。
在上电期间,V
OUT
被切换回至V
CC
支持
帘布层为V
CC
上升到高于备用电池的输入电压
采购V
OUT
。行政长官
CON
输出保持非活动状态
时间T
CER
(最多120毫秒)供应有后
达到V
PFD
的,独立的CE输入的,以允许
处理器的稳定。
上电过程中的有效操作, CE输入馈送
通过给CE
CON
同的传播延迟输出
比为10ns以内。非易失性是由硬件实现
连接之后,如图1所示。
一个有效的隔离信号需要CE低V
CC
十字架
双方V
PFD
和V
SO
在掉电。参见图2 。
在时间这两个点之间,CE必须使
到的(0.48至0.52) * V中的点
CC
并保持至少
700ns 。隔离信号是无效的,如果超过CE
0.54*V
CC
在V之间的任何点
CC
交叉V
PFD
V
SO
.
合适的电池被连接到V
OUT
和CE
CON
立即在随后的应用程序的V和去除
CC
.
能量的单元格输入-BC1 , BC2
提供了两个主要的备份电源输入
在bq2201 。卑诗省
1
和BC
2
输入接受一个3V的革命制度党,
玛丽的电池,通常是某种类型的锂化学。
如果没有主单元将被任一公元前就使用
1
或BC
2
中,
未使用的输入应连接到V
SS
.
如果两个输入端时,停电在V中
OUT
输出由BC只喂
1
只要它大于
2.5V 。如果在BC上的电压
1
低于2.5V时,内部
隔离开关自动切换V
OUT
从公元前
1
公元前
2
.
为了防止电池的消耗,当没有有效的数据到
保留,V
OUT
和CE
CON
在内部,从隔离
BC
1
和BC
2
通过以下任一操作:
s
s
VPFD
VCC
VSO
CE
700ns
0.5 VCC
TD220101.eps
电池为BC的初始连接
1
或BC
2
呈现在CE上的隔离信号。
图2.电池隔离信号
5V
VCC
从地址译码器
CE
bq2201
BC1
THS
3V
CELL
VSS
BC2
3V
CELL
CECON
CE
CMOS
SRAM
VOUT
VCC
FG220101.eps
图1.硬件接线图( 5 %电源供电)
1998年10月
2
bq2201
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
I
OUT
注意:
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
-40至+85
储存温度
在偏置温度
焊接温度
V
OUT
当前
-55到+125
-40至+85
260
200
°C
°C
°C
°C
mA
10秒
工业“N”
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
单位
V
V
°C
V
T
V
CC
+ 0.3
广告
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
化应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。曝光
一定要超过操作限制时间会影响器件的可靠性长时间条件。
建议的直流工作条件
( TA = TOPR )
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
V
BC1
,
V
BC2
THS
注意:
参数
电源电压
4.50
电源电压
输入低电压
输入高电压
备份电池电压
阈值的选择
0
-0.3
2.2
2.0
-0.3
5.0
0
-
-
-
-
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
4.0
V
CC
+ 0.3
V
V
V
V
V
V
最低
4.75
典型
5.0
最大
5.5
单位
V
THS = V
SS
THS = V
CC
笔记
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C,V
CC
= 5V或V
BC
.
1998年10月
3
bq2201
DC电气特性
( TA = TOPR , VCC = 5V
±
10%)
符号
I
LI
V
OH
V
OHB
V
OL
I
CC
V
PFD
V
SO
I
CCDR
参数
输入漏电流
输出高电压
V
OH
公元前供应
输出低电压
工作电源电流
掉电检测电压
4.30
电源开关过电压
数据保留模式
当前
V
OUT
电压
V
OUT
电压
主动备份电池
电压
V
OUT
当前
V
OUT
当前
-
-
V
CC
- 0.2
V
CC
- 0.3
V
OUT2
V
BC
I
OUT1
I
OUT2
注意:
V
BC
- 0.3
-
-
-
-
4.37
V
BC
-
-
-
-
V
BC2
V
BC1
-
100
4.50
-
100
-
-
-
-
-
160
-
V
V
nA
V
V
V
V
V
mA
A
V
OUT
数据保持电流
额外的内存不是在 -
cluded 。
V
CC
& GT ; V
BC
, I
OUT
= 100毫安
V
CC
& GT ; V
BC
, I
OUT
= 160毫安
V
CC
& LT ; V
BC
, I
OUT
= 100A
V
BC1
& LT ; 2.5V
V
BC1
& GT ; 2.5V
V
OUT
& GT ; V
CC
- 0.3V
V
OUT
& GT ; V
BC
- 0.2V
最低
-
2.4
V
BC
- 0.3
-
-
4.55
典型
-
-
-
-
3
4.62
最大
±
1
-
-
0.4
5
4.75
单位
A
V
V
V
mA
V
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
I
OH
= -2.0mA
V
BC
& GT ; V
CC
, I
OH
= -10A
I
OL
= 4.0毫安
在V空载
OUT
和CE
CON
.
THS = V
SS
THS = V
CC
V
OUT1
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C,V
CC
= 5V或V
BC
.
1998年10月
4
bq2201
电容
( TA = 25°C , F = 1MHz时, VCC = 5.0V )
符号
C
IN
C
OUT
注意:
参数
输入电容
输出电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
条件
输入电压= 0V
输出电压= 0V
这个参数进行采样,而不是100 %测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载(包括范围和夹具)
测试条件
0V至3.0V
5ns
1.5V (除非另有规定)
见图3
5V
960
CECON
510
100pF
FG220102.eps
图3.输出负载
1998年10月
5
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