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bq2201

非易失性SRAM控制器单元

特点

电源监控和切换

3伏电池备份应用

系统蒸发散

写保护控制

3伏原代细胞输入

L E S S小个的10 ns的芯片级é é NABL

传播延迟

5 ％或10 ％电源供电

概述

该CMOS bq2201非易失性SRAM

控制单元提供了所有必要的

用于将一个标准的函数

CMOS SRAM到非易失

读/写存储器。

精密比较器监视

5V V

输入一个彻头彻尾的容忍

条件。当出公差为

检测到的，一个空调芯片使能

输出被强制处于非活动状态，以直写

保护任何标准CMOS SRAM 。

在电源故障期间，外部

SRAM被从V切换

供应两个3V备用1支持

层数。在随后的加电时，该

SRAM处于写保护状态，直到

电源的有效条件存在。

该bq2201是footprint-和timing-

与行业标兼容

dards具有一个附加的好处

芯片使能的传播延迟

比为10ns以内。

引脚连接

引脚名称

OUT

？ BC

OUT

电源输出

3伏的主备份电池输入

阈值的选择输入

芯片使能有效低输入

空调的芯片使能输出

+ 5V的电源输入

地

无连接

THS

CON

VOUT

BC2

THS

VSS

VCC

BC1

CECON

THS

CON

8引脚窄DIP或SOIC

PN220101.eps

VSS

16引脚SOIC

PN2201E.eps

功能说明

外部CMOS静态RAM可以由电池供电

用V

OUT

和经调节的芯片使能输出

引脚从bq2201 。由于V

电源时上下剧烈变化

出现故障时，空调芯片使能输出的CE

CON

强制的芯片使能输入端的CE的非活动无关。

本次活动无条件写保护外

SRAM为V

下降到超出容限的阈值V

PFD

选择由阈值选择输入， THS 。

如果THS被连接到V

，掉电检测发生在4.62V

典型的5 ％电源供电。如果THS被连接到V

掉电检测发生在4.37V典型的10 ％支持

层的操作。对THS引脚必须连接到V

或V

为

正确的操作。

如果内存访问是在过程中掉电探测器

化，即存储周期继续完成之前的

内存为写保护。如果存储器的周期不是三 -

在时间t及时停止

WPT

，行政长官

CON

输出是无条件

倚重驱动为高电平，写保护的内存。

1998年10月

bq2201

由于供应持续下降近V

PFD

时，内部

开关设备强制V

OUT

至两个外部之一

备用能源。 CE

CON

保持高由V

OUT

能量源。

在上电期间，V

OUT

被切换回至V

支持

帘布层为V

上升到高于备用电池的输入电压

采购V

OUT

。行政长官

CON

输出保持非活动状态

时间T

CER

（最多120毫秒）供应有后

达到V

PFD

的，独立的CE输入的，以允许

处理器的稳定。

上电过程中的有效操作， CE输入馈送

通过给CE

CON

同的传播延迟输出

比为10ns以内。非易失性是由硬件实现

连接之后，如图1所示。

一个有效的隔离信号需要CE低V

十字架

双方V

PFD

和V

在掉电。参见图2 。

在时间这两个点之间，CE必须使

到的（0.48至0.52） * V中的点

并保持至少

700ns 。隔离信号是无效的，如果超过CE

0.54*V

在V之间的任何点

交叉V

PFD

和

合适的电池被连接到V

OUT

和CE

CON

立即在随后的应用程序的V和去除

能量的单元格输入-BC1 ， BC2

提供了两个主要的备份电源输入

在bq2201 。卑诗省

和BC

输入接受一个3V的革命制度党，

玛丽的电池，通常是某种类型的锂化学。

如果没有主单元将被任一公元前就使用

或BC

中，

未使用的输入应连接到V

如果两个输入端时，停电在V中

OUT

输出由BC只喂

只要它大于

2.5V 。如果在BC上的电压

低于2.5V时，内部

隔离开关自动切换V

OUT

从公元前

公元前

为了防止电池的消耗，当没有有效的数据到

保留，V

OUT

和CE

CON

在内部，从隔离

和BC

通过以下任一操作：

VPFD

VCC

VSO

700ns

0.5 VCC

TD220101.eps

电池为BC的初始连接

或BC

或

呈现在CE上的隔离信号。

图2.电池隔离信号

VCC

从地址译码器

bq2201

BC1

THS

主

CELL

VSS

BC2

主

CELL

CECON

CMOS

SRAM

VOUT

VCC

FG220101.eps

图1.硬件接线图（ 5 ％电源供电）

1998年10月

bq2201

绝对最大额定值

符号

OPR

英镑

BIAS

SOLDER

OUT

注意：

参数

直流电压施加于V

相对于V

直流电压施加在任意引脚不包括V

相对于V

工作温度

-40至+85

储存温度

在偏置温度

焊接温度

OUT

当前

-55到+125

-40至+85

260

200

°C

10秒

工业“N”

价值

-0.3 7.0

0至+70

单位

°C

≤

+ 0.3

条件

如果可能会出现永久性设备损坏

绝对最大额定值

被超过。功能操作

化应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。曝光

一定要超过操作限制时间会影响器件的可靠性长时间条件。

建议的直流工作条件

（ TA = TOPR ）

符号

BC1

BC2

THS

注意：

参数

电源电压

4.50

电源电压

输入低电压

输入高电压

备份电池电压

阈值的选择

-0.3

2.2

2.0

-0.3

5.0

5.5

0.8

+ 0.3

4.0

+ 0.3

最低

4.75

典型

5.0

最大

5.5

单位

THS = V

笔记

典型值指示器件的工作在T

= 25 ° C，V

= 5V或V

1998年10月

bq2201

DC电气特性

（ TA = TOPR ， VCC = 5V

10%)

符号

OHB

PFD

CCDR

参数

输入漏电流

输出高电压

公元前供应

输出低电压

工作电源电流

掉电检测电压

4.30

电源开关过电压

数据保留模式

当前

OUT

电压

OUT

电压

主动备份电池

电压

OUT

当前

OUT

当前

- 0.2

- 0.3

OUT2

OUT1

OUT2

注意：

- 0.3

4.37

BC2

BC1

100

4.50

100

160

OUT

数据保持电流

额外的内存不是在 -

cluded 。

＆ GT ; V

, I

OUT

= 100毫安

＆ GT ; V

, I

OUT

= 160毫安

＆ LT ; V

, I

OUT

= 100A

BC1

＆ LT ; 2.5V

BC1

＆ GT ; 2.5V

OUT

＆ GT ; V

- 0.3V

OUT

＆ GT ; V

- 0.2V

最低

2.4

- 0.3

4.55

典型

4.62

最大

0.4

4.75

单位

条件/注意事项

= V

到V

= -2.0mA

＆ GT ; V

, I

= -10A

= 4.0毫安

在V空载

OUT

和CE

CON

THS = V

OUT1

典型值指示器件的工作在T

= 25 ° C，V

= 5V或V

1998年10月

bq2201

电容

（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）

符号

OUT

注意：

参数

输入电容

输出电容

最低

典型

最大

单位

条件

输入电压= 0V

输出电压= 0V

这个参数进行采样，而不是100 ％测试。

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序参考电平

输出负载（包括范围和夹具）

测试条件

0V至3.0V

5ns

1.5V （除非另有规定）

见图3

960

CECON

510

100pF

FG220102.eps

图3.输出负载

1998年10月