DBT
bq2084-V150
SLUS758 - 2007年6月
www.ti.com
与SBS 1.1版兼容的电量监测计
LED延时
特点
提供了可精确测量
在充电锂离子和锂聚合物电池
支持智能电池技术规范
（ SBS ） V1.1
集成时基移除极品
外部晶体与晶体可选输入
工作原理与TI模拟bq29312A
前端（ AFE）保护IC提供
完整的电子包7.2 -V ， 10.8 V或
14.4 -V的电池组使用极少的外部
组件
基于强大的低功耗RISC CPU
内核与高性能外设
集成闪存，消除极品
外部EEPROM配置
采用16位Δ-Σ转换器
精确的电压和温度
测量
措施费流量使用高
分辨率16位转换器集成
- 更好的分辨率比为0.65 ， NVH
- 自校准
- 偏移误差小于1 μV
可编程单元建模最大
电池电量计准确度
驱动器3-， 4-，或5段LED显示屏
剩余电量指示
可在一个38引脚TSSOP （ DBT ）套餐
描述
该BQ2084 - V150 SBS兼容的电量监测计IC，适用于
电池组或系统安装维护的
可充电锂离子精确的记录或
锂聚合物电池。该BQ2084 - V150显示器
容量和电池的其它关键参数
包，并报告该信息到系统主机
控制器通过串行通信总线。这是
设计与bq29312A AFE保护工作
IC最大限度地提高功能性和安全性，并尽量减少
元件数量和成本的智能电池电路。
从BQ2084 - V150使用的信息，主机
控制器可以管理电池的剩余电量为
延长系统运行的时间尽可能。
该BQ2084 - V150采用了集成转换器
连续采样为电池的测量
充电和放电电流。优化
在便携式应用库仑计数时，
自校准集成转换器的分辨率
比0.65 NVH和偏移测量更好
小于1 μV （典型值）的错误。对于电压和
高温报告，在BQ2084 - V150采用的是
16位A至D转换器。与bq29312A的
板载ADC还监测组和个人
电池电压在电池组中，并允许
BQ2084 - V150以生成控制信号
必要执行单电池平衡和
锂离子和锂聚合物所需的安全防护
电池化学组成。
该BQ2084 - V150支持智能电池数据
（ SBData）的命令和充电控制功能。它
通信，使用系统管理数据
总线（SMBus ） 2 - wire协议。可用数据
包括
该
电池
剩余
能力，
温度，电压，电流和剩余
运行时的预测。
该BQ2084 - V150提供了LED驱动器和一个
按钮输入来描绘剩余电池容量
从充满在20 ％，25％ ，或33 ％的增量为空
与3-，4-，或5-段显示。
应用
笔记本电脑
医疗和测试设备
便携式仪表
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2007 ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
描述（续）
该BQ2084 - V150包含内部数据闪存1K字节，存储配置信息。该
信息包括标称容量和电压，自放电率低，速度补偿因子，以及其它
用于精确地调整为使用条件的剩余容量的可编程单元的造型因素的基础上
时间，速率和温度。该BQ2084 - V150还可以自动校准或学习的真正的电池容量
从可编程放电循环过程中接近满到空附近水平。
该bq29312A模拟前端（ AFE），保护IC的使用最大化功能性和安全性，并最小化
元件数量和成本的智能电池电路。该bq29312A AFE保护IC提供电源
BQ2084 - V150从2-，3-，或4-串联锂离子电池组，从而消除了需要外部调节器电路。
订购信息
T
A
-20 ° C至85°C
(1)
(2)
包
(1)
38引脚TSSOP （ DBT ）
(2)
bq2084DBT-V150
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文件，或查看TI网站
www.ti.com 。
该bq2084DBT - V150是在磁带和卷轴可用。添加的R后缀的设备类型（例如，
bq2084DBTR - V150 ）订购磁带和卷轴版本。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
单位
电源电压范围，V
DD
相对于V
SS
漏极开路I / O引脚，V
（ IOD ）
相对于V
SS
T
A
T
英镑
(1)
(2)
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
(2)
(2)
(2)
0.3 V至4.1 V
0.3 V至6 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
-20 ° C至85°C
-65_C到150_C
输入电压范围为所有其他引脚，V
I
相对于V
Ss
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
V
SS
指Ⅴ的公共节点
（ SSA ）
, V
（ SSD）的
和V
（ SSP ）
.
2
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电气特性
V
DD
= 3 V至3.6 V ，T
A
= -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
V
DD
I
DD
I
（SLP）
V
OL
电源电压
运行模式电流
低功耗存储模式电流
输出电压低SMBC ， SMBD ， SDATA ， SCLK ，安全，
PU
LED1-LED5
V
IL
输入电压低SMBC ， SMBD ， SDATA ， SCLK ，事件，
PU ， PRES ， PFIN
DISP
V
IH
V
(AI1)
V
(AI2)
Z
(AI1)
Z
(AI2)
V
IT +
V
HYS
输入电压高SMBC ， SMBD ， SDATA ， SCLK ，事件，
PU ， PRES ， PFIN
DISP
输入电压范围VIN ， TS
输入电压范围SR1，SR2
输入阻抗SR1 ， SR2
输入阻抗VIN ， TS
负向电压输入
上电复位迟滞
上电复位行为
vs
自由空气的温度
2.50
2.45
2.40
2.35
2.30
2.25
2.20
2.15
2.10
-20 -10
V
HYS
V
IT-
140
135
130
125
120
115
110
105
100
0
10 20 30 40 50 60 70 80
T
A
- 自由的空气温度 -
°C
V HYS - 滞回电压 - 毫伏
测试条件
VDDA和VDDD
无闪存编程
或LED活跃
睡眠模式
I
OL
- 0.5毫安
I
OL
= 10毫安
民
3
典型值
3.3
380
8
最大
3.6
单位
V
A
A
0.4
0.4
–0.3
–0.3
2
2
V
SS
– 0.3
V
SS
– 0.25
0.8
0.8
6
V
DD
+ 0.3
1.0
0.25
V
V
V
V
V
M
M
-0.25 V至0.25 V
0 V–1 V
2.5
8
2.1
50
2.3
125
2.5
200
上电复位
V
mV
集成ADC特性
V
DD
= 3 V至3.6 V ，T
A
= -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
V
（ SR ）
V
（ SROS ）
INL
输入电压范围，V
(SR2)
和V
(SR1)
输入失调
积分非线性误差
FAST = 0 ， -0.1 V至0.8× V
REF
测试条件
V
SR
= V
(SR2)
– V
(SR1)
民
–0.25
1
0.004%
0.018%
典型值
最大
0.25
单位
V
mV
V IT - 负向输入阈值电压 - V
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PLL开关特性
V
DD
= 3 V至3.6 V ，T
A
= -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
t
（SP）的
(1)
启动时间
(1)
测试条件
±0.5%
频率误差
民
TYP MAX
2
5
单位
ms
的频率误差被从修整频率的内部系统时钟，它是128×振荡器频率测量的标称
4.194兆赫。
振荡器
V
DD
= 3 V至3.6 V ，T
A
= -20 ° C至85°C （除非另有说明） （ TYP ： V
DD
= 3.3 V ，T
A
= 25°C)
参数
f
（ EIO ）
f
（ DIO）的
f
（SIO）
f
（ SXO ）
(1)
(2)
从32.768 kHz的频率误差
频率漂移
启动时间
(2)
(1)
测试条件
ROSC = 10万
XCK1 = 12 pF的XTAL
ROSC = 10万，T
A
= 0 ℃至50 ℃的
ROSC = 10万
XCK1 = 12 pF的XTAL
民
–2%
–0.25%
–1%
典型值
0.5%
最大
2%
0.25%
1%
200
250
单位
s
ms
频率漂移，从修剪频率在V测量
DD
= 3.3 V ，T
A
= 25°C.
的启动时间被定义为：对于振荡器的输出频率是时间
±1%
DATA FLASH存储器特性
V
DD
= 3 V至3.6 V ，T
A
= -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
t
DR
t
（ WORDPROG ）
I
（ DDPROG ）
(1)
数据保留
闪存编程写周期
字编程时间
闪存的写入电流供应
SEE
SEE
SEE
SEE
(1)
(1)
(1)
(1)
测试条件
民
10
20k
典型值
最大
单位
岁月
周期
2
8
12
ms
mA
按设计规定。未经生产测试。
注册备份
参数
I
（ RBI）
V
（ RBI）
(1)
印度储备银行数据保持输入电流
印度储备银行的数据保持电压
(1)
测试条件
V
RBI
> 2 V ，V
DD
＆ LT ; V
IT
民
1.3
典型值
10
最大
100
单位
nA
V
按设计规定。未经生产测试。
SMBUS时序规范
V
DD
= 3 V至3.6 V ，T
A
= -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
f
（ SMB）的
f
（ MAS ）
t
（ BUF ）
T
（ HD ： STA ）
t
（ SU ： STA ）
t
（ SU ： STO ）
t
（ HD ： DAT ）
t
SU ： DAT ）
t
（超时）
t
（低）
(1)
4
SMBus的工作频率
SMBus的主时钟频率
开始和结束之间的总线空闲时间
后（重复）开始保持时间
重复启动建立时间
停止建立时间
数据保持时间
数据建立时间
错误信号/检测
时钟低电平时间
SEE
(1)
测试条件
从模式， SMBC 50％占空比
主模式下，没有时钟从低延伸
民
10
TYP MAX
100
51.2
单位
千赫
千赫
s
s
s
s
ns
ns
4.7
4
4.7
4
接收模式
传输模式
0
300
250
25
4.7
35
ms
s
该BQ2084 - V150超时时，任何时钟低电平超过T
（超时）
.
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SMBus的时序规范（续）
V
DD
= 3 V至3.6 V ，T
A
= -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
t
（高）
t
LOW ： SEXT ）
t
LOW ：文部科学省
t
f
t
r
(2)
(3)
(4)
时钟高电平时间
累计时钟低电平从延长时间
累计时钟低电平主时间延长
时钟/数据下降时间
时钟/数据上升时间
SEE
SEE
SEE
(2)
(3)
(4)
测试条件
民
4
TYP MAX
50
25
10
300
1000
单位
s
ms
ms
ns
ns
(V
ILMAX
- 0.15 V）至（Ⅴ
IHmin
+ 0.15 V)
0.9 V
DD
到（Ⅴ
ILMAX
– 0.15 V)
t
（高）
马克斯。最小总线空闲时间。 SMBC = 1吨> 50毫秒会导致涉及BQ2084 - V150是在任何交易的复位
进展情况。
t
（ LOW ： SEXT ）
是累计时间的从设备被允许从初始开始扩展时钟周期中一个消息到停止。
t
（ LOW ：文部科学省）
是累计时间的主设备，允许从初始开始扩展时钟周期一个消息发送到一站。
SMBus的时序图
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