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9,7毫米× 6.4毫米
bq2084
SLUS550C - 2002年12月 - 修订2004年7月
SBS v1.1可以让瓦斯超限FOR
使用具有bq29312
特点
D
提供了可精确测量
在充电锂离子和锂聚合物电池
描述
该BQ2084 SBS兼容的电量监测计IC，适用于电池组
或者在系统安装维护的准确纪录
可充电锂离子或锂聚合物电池。该
BQ2084监视能力和其它关键参数
电池组和报告信息发送到系统
主机控制器通过串行通信总线。这是
设计与bq29312模拟前端工作（AFE）
保护IC ，以最大限度地提高功能性和安全性
尽量减少元件数量和成本的智能电池
电路。从BQ2084使用信息，主机
控制器可以管理剩余电池电量，延长
在系统运行时尽可能。
该BQ2084使用一个集成转换器在连续
取样为电池充电的测量和
放电电流。优化的库仑计数
便携式应用中，自校准集成
转换器的分辨率高于0.65 NVH和一个更好
偏移小于1 μV （典型值）的测量误差。为
电压和温度的报告以后， BQ2084使用
16位A至D转换器。与bq29312一起，
板载ADC还监测组和个人
电池电压在电池组中，并允许BQ2084到
产生要落实控制信号
电池平衡和锂离子所需的安全防护
和锂聚合物电池化学组成。
该BQ2084支持智能电池数据（SBData ）
命令和电荷控制功能。它传达
使用系统管理总线（SMBus ）数据2线
协议。可用的数据包括电池的
剩余容量，温度，电压，电流和
剩余运行时间的预测。
该BQ2084提供LED驱动器和按键输入
描绘出剩余电池容量从满到空的
20 ％，25％ ，或33 ％的增量与3-，4-，或5-段
显示。
D
支持智能电池技术规范
（ SBS ） V1.1
D
集成时基移除极品
外部晶体与晶体可选输入
D
可与TI的bq29312模拟前端
（ AFE ）保护IC提供完整的包
电子7.2 -V ， 10.8 V或14.4 V电池
包装用很少的外部元件
D
基于强大的低功耗RISC CPU
内核与高性能外设
D
集成闪存，消除了
无需外部EEPROM配置
D
采用16位Δ-Σ转换器
精确的电压和温度
测量
D
措施费流量使用高
分辨率16位转换器集成
- 更好的分辨率比为0.65 ， NVH
- 自校准
- 偏移误差小于1 μV
D
可编程单元建模最大
电池电量计准确度
D
驱动器3-， 4-，或5段LED显示屏
剩余电量指示
D
38引脚TSSOP （ DBT ）
应用
D
笔记本电脑
D
医疗和测试设备
D
便携式仪表
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2004年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
该BQ2084包含的内部数据的闪存每千字节，用来存储配置信息。该
信息包括标称容量和电压，自放电率低，速度补偿因子，以及其它
用于精确地调整为使用条件的剩余容量的可编程单元的造型因素的基础上
时间，速率和温度。该BQ2084也自动校准或学习中真正的电池容量
当然，从可编程放电循环近满到空附近水平。
该bq29312模拟前端（ AFE），保护IC的使用最大化功能性和安全性，并最小化
元件数量和成本的智能电池电路。该bq29312 AFE保护IC提供电源
BQ2084由2,3或4个串联的锂离子电池组，从而消除了需要外部调节器电路。
订购信息
包
TA
-20 ° C至85°C
（ 1） BQ2084是提供卷带封装。添加的R后缀的
设备类型（例如， bq2084DBTR ）订购磁带和卷轴版本。
38引脚TSSOP （ DBT ）
bq2084DBT(1)
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
单位
电源电压范围内，相对于VDD到VSS （见注2 ）
漏极开路I / O引脚，
V
（ IOD ）相对于VSS （见注2 ）
输入电压范围为所有其他引脚，六相对于VSS （见注2 ）
工作自由空气的温度范围， TA
存储温度范围， TSTG
0.3 V至4.1 V
0.3 V至6 V
-0.3 V至
V
DD + 0.3 V
-20 ° C至85°C
-65_C到150_C
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
（2） VSS是指V（ SSA ），V（ SSD）和V（ SSP）的公共节点。
2
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电气特性
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
VDD
国际直拨电话
我（SLP）
VOL
电源电压
运行模式电流
低功耗存储模式电流
输出电压低SMBC ， SMBD ， SDATA ， SCLK ，安全，
PU
LED1–LED5
VIL
输入电压低SMBC ， SMBD ， SDATA ， SCLK ，事件，
PU ， PRES ， PFIN
DISP
VIH
V(AI1)
V(AI2)
Z(AI1)
Z(AI2)
VIT +
VHYS
输入电压高SMBC ， SMBD ， SDATA ， SCLK ，事件，
PU ， PRES ， PFIN
DISP
输入电压范围VIN ， TS
输入电压范围SR1，SR2
输入阻抗SR1 ， SR2
输入阻抗VIN ， TS
负向电压输入
上电复位迟滞
上电复位行为
vs
自由空气的温度
2.50
2.45
2.40
2.35
2.30
2.25
2.20
2.15
2.10
20 10 0
VHYS
维特
140
V HYS - 滞回电压 - 毫伏
135
130
125
120
115
110
105
100
10 20 30 40 50 60 70 80
测试条件
VDDA和VDDD
无闪存编程
或LED活跃
睡眠模式
IOL = 0.5毫安
IOL = 10毫安
民
3.0
典型值
3.3
380
8
最大
3.6
单位
V
A
A
0.4
0.4
–0.3
–0.3
2
2
VSS - 0.3
VSS - 0.25
0.8
0.8
6
VDD + 0.3
1.0
0.25
V
V
V
V
V
M
M
0.25 V +0.25 V
0 V–1.0 V
2.5
8
2.1
50
2.3
125
2.5
200
上电复位
V
mV
V IT - 负向输入阈值电压 - V
TA - 自由空气的温度 -
°C
集成ADC特性
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
V（ SR ）
V（ SROS ）
INL
输入电压范围，V （ SR2 ）和V （ SR1 ）
输入失调
积分非线性误差
FAST = 0， -0.1 V至
0.8× VREF
测试条件
VSR = V （ SR2 ） - V（ SR1 ）
民
–0.25
1
0.004%
0.018%
典型值
最大
0.25
单位
V
mV
PLL开关特性
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
T（ SP ）
启动时间（见注1 ）
±0.5%
频率误差
2
5
ms
（1）的频率误差被从修整频率的内部系统时钟，它是128×振荡器频率测量的标称
4.194兆赫。
3
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振荡器
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C （除非另有说明） （ TYP ： VDD = 3.3 V ， TA = 25 ° C）
参数
测试条件
ROSC = 10万
F（ EIO ）
F（ DIO）
F（ SIO）
从32.768 kHz的频率误差
频率漂移（ 1 ）
启动时间（2）
XCK1 = 12 pF的XTAL
ROSC = 10万， TA = 0 ° C至50℃
ROSC = 10万
民
–2%
0.25%
1%
典型值
0.5%
最大
2%
0.25%
1%
200
250
s
ms
单位
F（ SXO ）
XCK1 = 12 pF的XTAL
（ 1）频率漂移是从修剪频率测量VDD = 3.3 V ， TA = 25 ℃。
（2）启动时间被定义为：对于振荡器的输出频率是时间
±1%
DATA FLASH存储器特性
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
TDR
数据保留
闪存编程写周期
T（ WORDPROG ）字编程时间
我（ DDPROG ）
闪存的写入电流供应
（ 1 ）保险设计。未经生产测试。
测试条件
见注1
见注1
见注1
见注1
8
民
10
20k
2
12
典型值
最大
单位
岁月
周期
ms
mA
注册备份
参数
我（ RBI）
印度储备银行数据保持输入电流
V（ RBI）印度储备银行的数据保持电压（见注1 ）
（ 1 ）指定的设计。未经生产测试。
测试条件
VRBI > 2.0 V ，V
DD
< VIT
1.3
民
典型值
10
最大
100
单位
nA
V
SMBUS时序规范
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
F（ SMB）的
F（ MAS ）
T（ BUF ）
T（ HD ： STA ）
T（ SU ： STA ）
T（ SU ： STO ）
T（ HD ： DAT ）
TSU： DAT ）
T（ TIMEOUT ）
T（ LOW ）
T（高）
为tLOW ： SEXT ）
TLOW ： MEXT
SMBus的工作频率
SMBus的主时钟频率
开始和结束之间的总线空闲时间
后（重复）开始保持时间
重复启动建立时间
停止建立时间
接收模式
数据保持时间
数据建立时间
错误信号/检测
时钟低电平时间
时钟高电平时间
累计时钟低电平从延长时间
累计时钟低电平主时间延长
见注2
见注3
见注4
见注1
传输模式
测试条件
民
10
51.2
4.7
4.0
4.7
4.0
0
300
250
25
4.7
4.0
50
25
10
35
ns
ns
ms
s
s
ms
ms
典型值
最大
100
单位
千赫
千赫
s
s
s
s
从模式， SMBC 50％占空比
主模式下，没有时钟从低延伸
tf
时钟/数据下降时间
（ VILMAX - 0.15 V）至（ VIHMIN +0.15 V）的
300
ns
tr
时钟/数据上升时间
0.9至VDD （ VILMAX - 0.15 V）
1000
ns
（ 1） BQ2084时候，任何时钟低电平超过T出（超时）
（2）吨（高）最大。最小总线空闲时间。 SMBC = 1吨> 50毫秒会导致涉及BQ2084正在进行中的交易复位。
（3）吨（ LOW： SEXT ）是累计时间的从设备被允许从初始开始扩展时钟周期一个消息发送到一站。
（4）吨（低部科学省）是累计时间的主设备，允许从初始开始扩展时钟周期一个消息发送到一站。
4
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SLUS550C - 2002年12月 - 修订2004年7月
SMBus的时序图
系统框图
保险丝
PACK +
bq2084
预充电控制
故障保护
保护
3.3 V
PF输入
bq29312
PCH FET驱动器
预充电
FET驱动器
放电/充电/
预充电FET的
PRES
电源管理
LDO ， TOUT和功率模式控制
温度测量色调
<1误差（％）
1千字节
用户FLASH
32 kHz时钟
发电机
电池平衡
DRIVE
二级过压保护
T1
LDO ，千卡输出驱动和UVLO
系统
看门狗
延迟计数器
32千赫
电池均衡算法和控制
SMBUS
SBS V1.1数据
系统接口
I2C
系统接口
RAM寄存器
bq29312 RAM /通讯验证
第一级OC
保护
包下
电源电压
模式控制
第一级和OV
紫外线防护
电池和包
电压
测量
功率模式控制
2层过流保护
电压电平转换器
产能预测<1误差（％）
PACK -
检测电阻器
（5至30毫欧）
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SLUS550C - 2002年12月 - 修订2004年7月
SBS v1.1可以让瓦斯超限FOR
使用具有bq29312
特点
D
提供了可精确测量
在充电锂离子和锂聚合物电池
描述
该BQ2084 SBS兼容的电量监测计IC，适用于电池组
或者在系统安装维护的准确纪录
可充电锂离子或锂聚合物电池。该
BQ2084监视能力和其它关键参数
电池组和报告信息发送到系统
主机控制器通过串行通信总线。这是
设计与bq29312模拟前端工作（AFE）
保护IC ，以最大限度地提高功能性和安全性
尽量减少元件数量和成本的智能电池
电路。从BQ2084使用信息，主机
控制器可以管理剩余电池电量，延长
在系统运行时尽可能。
该BQ2084使用一个集成转换器在连续
取样为电池充电的测量和
放电电流。优化的库仑计数
便携式应用中，自校准集成
转换器的分辨率高于0.65 NVH和一个更好
偏移小于1 μV （典型值）的测量误差。为
电压和温度的报告以后， BQ2084使用
16位A至D转换器。与bq29312一起，
板载ADC还监测组和个人
电池电压在电池组中，并允许BQ2084到
产生要落实控制信号
电池平衡和锂离子所需的安全防护
和锂聚合物电池化学组成。
该BQ2084支持智能电池数据（SBData ）
命令和电荷控制功能。它传达
使用系统管理总线（SMBus ）数据2线
协议。可用的数据包括电池的
剩余容量，温度，电压，电流和
剩余运行时间的预测。
该BQ2084提供LED驱动器和按键输入
描绘出剩余电池容量从满到空的
20 ％，25％ ，或33 ％的增量与3-，4-，或5-段
显示。
D
支持智能电池技术规范
（ SBS ） V1.1
D
集成时基移除极品
外部晶体与晶体可选输入
D
可与TI的bq29312模拟前端
（ AFE ）保护IC提供完整的包
电子7.2 -V ， 10.8 V或14.4 V电池
包装用很少的外部元件
D
基于强大的低功耗RISC CPU
内核与高性能外设
D
集成闪存，消除了
无需外部EEPROM配置
D
采用16位Δ-Σ转换器
精确的电压和温度
测量
D
措施费流量使用高
分辨率16位转换器集成
- 更好的分辨率比为0.65 ， NVH
- 自校准
- 偏移误差小于1 μV
D
可编程单元建模最大
电池电量计准确度
D
驱动器3-， 4-，或5段LED显示屏
剩余电量指示
D
38引脚TSSOP （ DBT ）
应用
D
笔记本电脑
D
医疗和测试设备
D
便携式仪表
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2004年，德州仪器
bq2084
SLUS550C - 2002年12月 - 修订2004年7月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
该BQ2084包含的内部数据的闪存每千字节，用来存储配置信息。该
信息包括标称容量和电压，自放电率低，速度补偿因子，以及其它
用于精确地调整为使用条件的剩余容量的可编程单元的造型因素的基础上
时间，速率和温度。该BQ2084也自动校准或学习中真正的电池容量
当然，从可编程放电循环近满到空附近水平。
该bq29312模拟前端（ AFE），保护IC的使用最大化功能性和安全性，并最小化
元件数量和成本的智能电池电路。该bq29312 AFE保护IC提供电源
BQ2084由2,3或4个串联的锂离子电池组，从而消除了需要外部调节器电路。
订购信息
包
TA
-20 ° C至85°C
（ 1） BQ2084是提供卷带封装。添加的R后缀的
设备类型（例如， bq2084DBTR ）订购磁带和卷轴版本。
38引脚TSSOP （ DBT ）
bq2084DBT(1)
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
单位
电源电压范围内，相对于VDD到VSS （见注2 ）
漏极开路I / O引脚，
V
（ IOD ）相对于VSS （见注2 ）
输入电压范围为所有其他引脚，六相对于VSS （见注2 ）
工作自由空气的温度范围， TA
存储温度范围， TSTG
0.3 V至4.1 V
0.3 V至6 V
-0.3 V至
V
DD + 0.3 V
-20 ° C至85°C
-65_C到150_C
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
（2） VSS是指V（ SSA ），V（ SSD）和V（ SSP）的公共节点。
2
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bq2084
SLUS550C - 2002年12月 - 修订2004年7月
电气特性
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
VDD
国际直拨电话
我（SLP）
VOL
电源电压
运行模式电流
低功耗存储模式电流
输出电压低SMBC ， SMBD ， SDATA ， SCLK ，安全，
PU
LED1–LED5
VIL
输入电压低SMBC ， SMBD ， SDATA ， SCLK ，事件，
PU ， PRES ， PFIN
DISP
VIH
V(AI1)
V(AI2)
Z(AI1)
Z(AI2)
VIT +
VHYS
输入电压高SMBC ， SMBD ， SDATA ， SCLK ，事件，
PU ， PRES ， PFIN
DISP
输入电压范围VIN ， TS
输入电压范围SR1，SR2
输入阻抗SR1 ， SR2
输入阻抗VIN ， TS
负向电压输入
上电复位迟滞
上电复位行为
vs
自由空气的温度
2.50
2.45
2.40
2.35
2.30
2.25
2.20
2.15
2.10
20 10 0
VHYS
维特
140
V HYS - 滞回电压 - 毫伏
135
130
125
120
115
110
105
100
10 20 30 40 50 60 70 80
测试条件
VDDA和VDDD
无闪存编程
或LED活跃
睡眠模式
IOL = 0.5毫安
IOL = 10毫安
民
3.0
典型值
3.3
380
8
最大
3.6
单位
V
A
A
0.4
0.4
–0.3
–0.3
2
2
VSS - 0.3
VSS - 0.25
0.8
0.8
6
VDD + 0.3
1.0
0.25
V
V
V
V
V
M
M
0.25 V +0.25 V
0 V–1.0 V
2.5
8
2.1
50
2.3
125
2.5
200
上电复位
V
mV
V IT - 负向输入阈值电压 - V
TA - 自由空气的温度 -
°C
集成ADC特性
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
V（ SR ）
V（ SROS ）
INL
输入电压范围，V （ SR2 ）和V （ SR1 ）
输入失调
积分非线性误差
FAST = 0， -0.1 V至
0.8× VREF
测试条件
VSR = V （ SR2 ） - V（ SR1 ）
民
–0.25
1
0.004%
0.018%
典型值
最大
0.25
单位
V
mV
PLL开关特性
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
T（ SP ）
启动时间（见注1 ）
±0.5%
频率误差
2
5
ms
（1）的频率误差被从修整频率的内部系统时钟，它是128×振荡器频率测量的标称
4.194兆赫。
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振荡器
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C （除非另有说明） （ TYP ： VDD = 3.3 V ， TA = 25 ° C）
参数
测试条件
ROSC = 10万
F（ EIO ）
F（ DIO）
F（ SIO）
从32.768 kHz的频率误差
频率漂移（ 1 ）
启动时间（2）
XCK1 = 12 pF的XTAL
ROSC = 10万， TA = 0 ° C至50℃
ROSC = 10万
民
–2%
0.25%
1%
典型值
0.5%
最大
2%
0.25%
1%
200
250
s
ms
单位
F（ SXO ）
XCK1 = 12 pF的XTAL
（ 1）频率漂移是从修剪频率测量VDD = 3.3 V ， TA = 25 ℃。
（2）启动时间被定义为：对于振荡器的输出频率是时间
±1%
DATA FLASH存储器特性
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
TDR
数据保留
闪存编程写周期
T（ WORDPROG ）字编程时间
我（ DDPROG ）
闪存的写入电流供应
（ 1 ）保险设计。未经生产测试。
测试条件
见注1
见注1
见注1
见注1
8
民
10
20k
2
12
典型值
最大
单位
岁月
周期
ms
mA
注册备份
参数
我（ RBI）
印度储备银行数据保持输入电流
V（ RBI）印度储备银行的数据保持电压（见注1 ）
（ 1 ）指定的设计。未经生产测试。
测试条件
VRBI > 2.0 V ，V
DD
< VIT
1.3
民
典型值
10
最大
100
单位
nA
V
SMBUS时序规范
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C ，除非另有说明
参数
F（ SMB）的
F（ MAS ）
T（ BUF ）
T（ HD ： STA ）
T（ SU ： STA ）
T（ SU ： STO ）
T（ HD ： DAT ）
TSU： DAT ）
T（ TIMEOUT ）
T（ LOW ）
T（高）
为tLOW ： SEXT ）
TLOW ： MEXT
SMBus的工作频率
SMBus的主时钟频率
开始和结束之间的总线空闲时间
后（重复）开始保持时间
重复启动建立时间
停止建立时间
接收模式
数据保持时间
数据建立时间
错误信号/检测
时钟低电平时间
时钟高电平时间
累计时钟低电平从延长时间
累计时钟低电平主时间延长
见注2
见注3
见注4
见注1
传输模式
测试条件
民
10
51.2
4.7
4.0
4.7
4.0
0
300
250
25
4.7
4.0
50
25
10
35
ns
ns
ms
s
s
ms
ms
典型值
最大
100
单位
千赫
千赫
s
s
s
s
从模式， SMBC 50％占空比
主模式下，没有时钟从低延伸
tf
时钟/数据下降时间
（ VILMAX - 0.15 V）至（ VIHMIN +0.15 V）的
300
ns
tr
时钟/数据上升时间
0.9至VDD （ VILMAX - 0.15 V）
1000
ns
（ 1） BQ2084时候，任何时钟低电平超过T出（超时）
（2）吨（高）最大。最小总线空闲时间。 SMBC = 1吨> 50毫秒会导致涉及BQ2084正在进行中的交易复位。
（3）吨（ LOW： SEXT ）是累计时间的从设备被允许从初始开始扩展时钟周期一个消息发送到一站。
（4）吨（低部科学省）是累计时间的主设备，允许从初始开始扩展时钟周期一个消息发送到一站。
4
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bq2084
SLUS550C - 2002年12月 - 修订2004年7月
SMBus的时序图
系统框图
保险丝
PACK +
bq2084
预充电控制
故障保护
保护
3.3 V
PF输入
bq29312
PCH FET驱动器
预充电
FET驱动器
放电/充电/
预充电FET的
PRES
电源管理
LDO ， TOUT和功率模式控制
温度测量色调
<1误差（％）
1千字节
用户FLASH
32 kHz时钟
发电机
电池平衡
DRIVE
二级过压保护
T1
LDO ，千卡输出驱动和UVLO
系统
看门狗
延迟计数器
32千赫
电池均衡算法和控制
SMBUS
SBS V1.1数据
系统接口
I2C
系统接口
RAM寄存器
bq29312 RAM /通讯验证
第一级OC
保护
包下
电源电压
模式控制
第一级和OV
紫外线防护
电池和包
电压
测量
功率模式控制
2层过流保护
电压电平转换器
产能预测<1误差（％）
PACK -
检测电阻器
（5至30毫欧）
5
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