bq2040
表1.配置存储器映射
参数名称
EEPROM长度
EEPROM CHECK1
剩余时间报警
剩余容量报警
版权所有
初始充电电流
充电电压
电池状态
周期盘点
设计能力
设计电压
规范信息
制造日期
编号
快速充电电流
维护充电电流
版权所有
制造商名称
电流过载
电池电量低%
版权所有
设备名称
锂离子电流锥度
最大充电限制
版权所有
访问保护
FLAGS1
FLAGS2
化学设备
电流测量增益
电池电压失调
温度补偿
最高温度和
T
步
地址
0x00
0x01
描述
EEPROM的数据位置数
必须= 0x64
EEPROM数据完整性校验字节,必须= 0x5b
长
8位
8位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
96位
16位
8位
8位
64位
16位
16位
8位
8位
8位
8位
48位
16位
8位
8位
8位
单位
NA
NA
分钟
MAH
NA
mA
mV
NA
周期
MAH
mV
NA
NA
NA
mA
mA
MAH
NA
mA
%
NA
NA
mA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
0×02 / ×03集RemainingTimeAlarm ( 0X02 )
0×04 / 0x05的设置RemainingCapacityAlarm ( 0×01 )
值0x06 / 0x07执行留作将来使用
0x08的/ 0×09设定的初始充电电流
的0x0A / 0x0B中设置充电电压( 0x15执行)
0x0C的/ 0X0D初始化电池状态(为0x16 )
为0x0E / 0x0F的初始化和CycleCount的商店( 0x17符号)
为0x10 / 0x11的DesignCapacity的设置(为0x18 )
×12 / 0x13设置DesignVoltage ( 0x19符号)
0×14 / 0x15执行程序SpecificationInfo ( 0x1A的)
为0x16 / 0x17已计划ManufactureDate ( 0x1b )
为0x18 / 0x19符号程序的SerialNumber ( 0x1C处)
0x1A的/ 0x1b设定充电电流( 0×14 )
为0x1C / 0x1d设置涓流电流的要求
0X1E / 0x1F的保留必须= 0×0000
0x20-0x2b程序ManufacturerName ( 0x20的)
0x2c上/ 0x2d设置过载电流阈值
0x2e
0x2f
设置电池低量
留作将来使用
设置锥度电流充电的上限
终止
保留必须= 0×00
锁SBS数据集以外的命令
初始化FLAGS1
初始化FLAGS2
0x30-0x37项目设备名称( 0×21 )
0x38/0x39
0x3A的/ 0x3b设置过充电的最大金额
0x3c
0x3d
0x3e
0x3f
0x40-0x45程序DeviceChemistry ( 0x22符号)
0×46 / 0X47检测电阻校准值
0x48
0x49
0x4a
电压校准值
温度校准值
设置最大充电温度和
T
一步
T/t
终止
4
bq2040
表1.配置存储器映射(续)
参数名称
充电效率
完全充电的百分比
Digitial过滤器
目前的积分增益
自放电率
制造商数据
电压GAIN1
版权所有
EDVF充电电流
放电电压1月底
放电电压决赛结束
满充电容量
t
步
拖延时间
EEPROM校验2
版权所有
地址
0x4b
0x4c
0x4d
0x4e
0x4f
描述
设置高/低费率效率
设置百分比在其中电池是consid-
ERED完全充电
设置最小充电/放电阈值
节目的当前积分增益的
检测电阻值
设置电池的自放电率
长
8位
8位
8位
8位
8位
48位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
8位
8位
8位
单位
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
MAH
NA
NA
NA
NA
0x50-0x55程序ManufacturerData ( 0x23 )
0x56 / 0×57分电池校准值
0x58-0x59保留
0x5a/0x5b
设定充电电流的请求,当电池
电压小于EDVF
0x5c的/ 0x5d设置EDV1
0x5e / 0x5F的设置EDVF
从0x60 / 0x61初始化,存储Full- ChargeCapacity的(为0x10 )
0x62
0x63
0x64
设置
t
一步
T/t
终止
套
T/t
延迟计时器
EEPROM的数据完整性校验字节
必须= 0xB5执行
0x65-0x7f保留供未来使用
5
bq2040
表1.配置存储器映射
参数名称
EEPROM长度
EEPROM CHECK1
剩余时间报警
剩余容量报警
版权所有
初始充电电流
充电电压
电池状态
周期盘点
设计能力
设计电压
规范信息
制造日期
编号
快速充电电流
维护充电电流
版权所有
制造商名称
电流过载
电池电量低%
版权所有
设备名称
锂离子电流锥度
最大充电限制
版权所有
访问保护
FLAGS1
FLAGS2
化学设备
电流测量增益
电池电压失调
温度补偿
最高温度和
T
步
地址
0x00
0x01
描述
EEPROM的数据位置数
必须= 0x64
EEPROM数据完整性校验字节,必须= 0x5b
长
8位
8位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
96位
16位
8位
8位
64位
16位
16位
8位
8位
8位
8位
48位
16位
8位
8位
8位
单位
NA
NA
分钟
MAH
NA
mA
mV
NA
周期
MAH
mV
NA
NA
NA
mA
mA
MAH
NA
mA
%
NA
NA
mA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
0×02 / ×03集RemainingTimeAlarm ( 0X02 )
0×04 / 0x05的设置RemainingCapacityAlarm ( 0×01 )
值0x06 / 0x07执行留作将来使用
0x08的/ 0×09设定的初始充电电流
的0x0A / 0x0B中设置充电电压( 0x15执行)
0x0C的/ 0X0D初始化电池状态(为0x16 )
为0x0E / 0x0F的初始化和CycleCount的商店( 0x17符号)
为0x10 / 0x11的DesignCapacity的设置(为0x18 )
×12 / 0x13设置DesignVoltage ( 0x19符号)
0×14 / 0x15执行程序SpecificationInfo ( 0x1A的)
为0x16 / 0x17已计划ManufactureDate ( 0x1b )
为0x18 / 0x19符号程序的SerialNumber ( 0x1C处)
0x1A的/ 0x1b设定充电电流( 0×14 )
为0x1C / 0x1d设置涓流电流的要求
0X1E / 0x1F的保留必须= 0×0000
0x20-0x2b程序ManufacturerName ( 0x20的)
0x2c上/ 0x2d设置过载电流阈值
0x2e
0x2f
设置电池低量
留作将来使用
设置锥度电流充电的上限
终止
保留必须= 0×00
锁SBS数据集以外的命令
初始化FLAGS1
初始化FLAGS2
0x30-0x37项目设备名称( 0×21 )
0x38/0x39
0x3A的/ 0x3b设置过充电的最大金额
0x3c
0x3d
0x3e
0x3f
0x40-0x45程序DeviceChemistry ( 0x22符号)
0×46 / 0X47检测电阻校准值
0x48
0x49
0x4a
电压校准值
温度校准值
设置最大充电温度和
T
一步
T/t
终止
4
bq2040
表1.配置存储器映射(续)
参数名称
充电效率
完全充电的百分比
Digitial过滤器
目前的积分增益
自放电率
制造商数据
电压GAIN1
版权所有
EDVF充电电流
放电电压1月底
放电电压决赛结束
满充电容量
t
步
拖延时间
EEPROM校验2
版权所有
地址
0x4b
0x4c
0x4d
0x4e
0x4f
描述
设置高/低费率效率
设置百分比在其中电池是consid-
ERED完全充电
设置最小充电/放电阈值
节目的当前积分增益的
检测电阻值
设置电池的自放电率
长
8位
8位
8位
8位
8位
48位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
8位
8位
8位
单位
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
MAH
NA
NA
NA
NA
0x50-0x55程序ManufacturerData ( 0x23 )
0x56 / 0×57分电池校准值
0x58-0x59保留
0x5a/0x5b
设定充电电流的请求,当电池
电压小于EDVF
0x5c的/ 0x5d设置EDV1
0x5e / 0x5F的设置EDVF
从0x60 / 0x61初始化,存储Full- ChargeCapacity的(为0x10 )
0x62
0x63
0x64
设置
t
一步
T/t
终止
套
T/t
延迟计时器
EEPROM的数据完整性校验字节
必须= 0xB5执行
0x65-0x7f保留供未来使用
5
bq2040
表1.配置存储器映射
参数名称
EEPROM长度
EEPROM CHECK1
剩余时间报警
剩余容量报警
版权所有
初始充电电流
充电电压
电池状态
周期盘点
设计能力
设计电压
规范信息
制造日期
编号
快速充电电流
维护充电电流
版权所有
制造商名称
电流过载
电池电量低%
版权所有
设备名称
锂离子电流锥度
最大充电限制
版权所有
访问保护
FLAGS1
FLAGS2
化学设备
电流测量增益
电池电压失调
温度补偿
最高温度和
T
步
地址
0x00
0x01
描述
EEPROM的数据位置数
必须= 0x64
EEPROM数据完整性校验字节,必须= 0x5b
长
8位
8位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
96位
16位
8位
8位
64位
16位
16位
8位
8位
8位
8位
48位
16位
8位
8位
8位
单位
NA
NA
分钟
MAH
NA
mA
mV
NA
周期
MAH
mV
NA
NA
NA
mA
mA
MAH
NA
mA
%
NA
NA
mA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
0×02 / ×03集RemainingTimeAlarm ( 0X02 )
0×04 / 0x05的设置RemainingCapacityAlarm ( 0×01 )
值0x06 / 0x07执行留作将来使用
0x08的/ 0×09设定的初始充电电流
的0x0A / 0x0B中设置充电电压( 0x15执行)
0x0C的/ 0X0D初始化电池状态(为0x16 )
为0x0E / 0x0F的初始化和CycleCount的商店( 0x17符号)
为0x10 / 0x11的DesignCapacity的设置(为0x18 )
×12 / 0x13设置DesignVoltage ( 0x19符号)
0×14 / 0x15执行程序SpecificationInfo ( 0x1A的)
为0x16 / 0x17已计划ManufactureDate ( 0x1b )
为0x18 / 0x19符号程序的SerialNumber ( 0x1C处)
0x1A的/ 0x1b设定充电电流( 0×14 )
为0x1C / 0x1d设置涓流电流的要求
0X1E / 0x1F的保留必须= 0×0000
0x20-0x2b程序ManufacturerName ( 0x20的)
0x2c上/ 0x2d设置过载电流阈值
0x2e
0x2f
设置电池低量
留作将来使用
设置锥度电流充电的上限
终止
保留必须= 0×00
锁SBS数据集以外的命令
初始化FLAGS1
初始化FLAGS2
0x30-0x37项目设备名称( 0×21 )
0x38/0x39
0x3A的/ 0x3b设置过充电的最大金额
0x3c
0x3d
0x3e
0x3f
0x40-0x45程序DeviceChemistry ( 0x22符号)
0×46 / 0X47检测电阻校准值
0x48
0x49
0x4a
电压校准值
温度校准值
设置最大充电温度和
T
一步
T/t
终止
4
bq2040
表1.配置存储器映射(续)
参数名称
充电效率
完全充电的百分比
Digitial过滤器
目前的积分增益
自放电率
制造商数据
电压GAIN1
版权所有
EDVF充电电流
放电电压1月底
放电电压决赛结束
满充电容量
t
步
拖延时间
EEPROM校验2
版权所有
地址
0x4b
0x4c
0x4d
0x4e
0x4f
描述
设置高/低费率效率
设置百分比在其中电池是consid-
ERED完全充电
设置最小充电/放电阈值
节目的当前积分增益的
检测电阻值
设置电池的自放电率
长
8位
8位
8位
8位
8位
48位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
8位
8位
8位
单位
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
MAH
NA
NA
NA
NA
0x50-0x55程序ManufacturerData ( 0x23 )
0x56 / 0×57分电池校准值
0x58-0x59保留
0x5a/0x5b
设定充电电流的请求,当电池
电压小于EDVF
0x5c的/ 0x5d设置EDV1
0x5e / 0x5F的设置EDVF
从0x60 / 0x61初始化,存储Full- ChargeCapacity的(为0x10 )
0x62
0x63
0x64
设置
t
一步
T/t
终止
套
T/t
延迟计时器
EEPROM的数据完整性校验字节
必须= 0xB5执行
0x65-0x7f保留供未来使用
5
bq2040
表1.配置存储器映射
参数名称
EEPROM长度
EEPROM CHECK1
剩余时间报警
剩余容量报警
版权所有
初始充电电流
充电电压
电池状态
周期盘点
设计能力
设计电压
规范信息
制造日期
编号
快速充电电流
维护充电电流
版权所有
制造商名称
电流过载
电池电量低%
版权所有
设备名称
锂离子电流锥度
最大充电限制
版权所有
访问保护
FLAGS1
FLAGS2
化学设备
电流测量增益
电池电压失调
温度补偿
最高温度和
T
步
地址
0x00
0x01
描述
EEPROM的数据位置数
必须= 0x64
EEPROM数据完整性校验字节,必须= 0x5b
长
8位
8位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
96位
16位
8位
8位
64位
16位
16位
8位
8位
8位
8位
48位
16位
8位
8位
8位
单位
NA
NA
分钟
MAH
NA
mA
mV
NA
周期
MAH
mV
NA
NA
NA
mA
mA
MAH
NA
mA
%
NA
NA
mA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
0×02 / ×03集RemainingTimeAlarm ( 0X02 )
0×04 / 0x05的设置RemainingCapacityAlarm ( 0×01 )
值0x06 / 0x07执行留作将来使用
0x08的/ 0×09设定的初始充电电流
的0x0A / 0x0B中设置充电电压( 0x15执行)
0x0C的/ 0X0D初始化电池状态(为0x16 )
为0x0E / 0x0F的初始化和CycleCount的商店( 0x17符号)
为0x10 / 0x11的DesignCapacity的设置(为0x18 )
×12 / 0x13设置DesignVoltage ( 0x19符号)
0×14 / 0x15执行程序SpecificationInfo ( 0x1A的)
为0x16 / 0x17已计划ManufactureDate ( 0x1b )
为0x18 / 0x19符号程序的SerialNumber ( 0x1C处)
0x1A的/ 0x1b设定充电电流( 0×14 )
为0x1C / 0x1d设置涓流电流的要求
0X1E / 0x1F的保留必须= 0×0000
0x20-0x2b程序ManufacturerName ( 0x20的)
0x2c上/ 0x2d设置过载电流阈值
0x2e
0x2f
设置电池低量
留作将来使用
设置锥度电流充电的上限
终止
保留必须= 0×00
锁SBS数据集以外的命令
初始化FLAGS1
初始化FLAGS2
0x30-0x37项目设备名称( 0×21 )
0x38/0x39
0x3A的/ 0x3b设置过充电的最大金额
0x3c
0x3d
0x3e
0x3f
0x40-0x45程序DeviceChemistry ( 0x22符号)
0×46 / 0X47检测电阻校准值
0x48
0x49
0x4a
电压校准值
温度校准值
设置最大充电温度和
T
一步
T/t
终止
4
bq2040
表1.配置存储器映射(续)
参数名称
充电效率
完全充电的百分比
Digitial过滤器
目前的积分增益
自放电率
制造商数据
电压GAIN1
版权所有
EDVF充电电流
放电电压1月底
放电电压决赛结束
满充电容量
t
步
拖延时间
EEPROM校验2
版权所有
地址
0x4b
0x4c
0x4d
0x4e
0x4f
描述
设置高/低费率效率
设置百分比在其中电池是consid-
ERED完全充电
设置最小充电/放电阈值
节目的当前积分增益的
检测电阻值
设置电池的自放电率
长
8位
8位
8位
8位
8位
48位
16位
16位
16位
16位
16位
16位
8位
8位
8位
单位
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
MAH
NA
NA
NA
NA
0x50-0x55程序ManufacturerData ( 0x23 )
0x56 / 0×57分电池校准值
0x58-0x59保留
0x5a/0x5b
设定充电电流的请求,当电池
电压小于EDVF
0x5c的/ 0x5d设置EDV1
0x5e / 0x5F的设置EDVF
从0x60 / 0x61初始化,存储Full- ChargeCapacity的(为0x10 )
0x62
0x63
0x64
设置
t
一步
T/t
终止
套
T/t
延迟计时器
EEPROM的数据完整性校验字节
必须= 0xB5执行
0x65-0x7f保留供未来使用
5