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实际尺寸
( 3.00毫米× 3.00毫米)
bq2024
SLUS770 - 2007年5月
1.5K位串行EPROM随着SDQ接口
特点
1536位一次性可编程( OTP )
EPROM ,用于存储用户可编程
CON组fi guration数据
工厂编程的唯一的64位
识别号码
总线接口架构允许多个
bq2024的连接到单个主机
单线接口,以减小电路板
路由
同步通信降低主机
中断开销
无需备用电源
地址空间向下兼容
bq2022A
8个字节的RAM缓冲器,用于更快的写入
页面地址重定向
15KV IEC 61000-4-2空气充上SDQ
提供3引脚SOT23封装和TO -92
描述
该bq2024是包含一个1.5K比特串行EPROM
工厂编程的,唯一的48位识别
号, 8位CRC校验码的生成,以及8位家族
码( 09H ) 。 64位状态寄存器写入控制
保护和页面重定向。
该bq2024 SDQ 接口只需要一个
连接和接地回路。数据引脚
也是唯一电源的bq2024 。公交车
架构允许多个SDQ设备是
连接到单个主机。
小型表面贴装封装选项可节省
印刷电路板的空间,同时成本低品牌
它应用的理想选择,如电池组
配置参数,记录维护,资产
跟踪,产品修正状态和访问代码
安全性。
订购信息
(1)
T
A (2)
-20℃至
70°C
(1)
(2)
(3)
包装设备
(3)
产品型号
bq2024DBZR
bq2024LPR
SOT23-3
TO-92
状态
生产
预览
应用
安全编码
库存追踪
产品版本维护
电池组鉴定
对于最新的封装和订购信息,请参阅
该封装选项附录本文档的末尾,
或者看到TI的网站
www.ti.com 。
设备指定在-40℃下进行通信,以85 ℃。
该装置仅在磁带和卷轴与基础
3000单位为bq2024DBZR和2000年单位数量
该bq2024LPR 。
框图
DBZ包
( TOP VIEW )
SDQ
ID ROM
(64位)
EPROM
内存
( 1536位)
内存
卜FF器
( 8字节)
EPROM
状态
(64位)
3
VSS
1
3
VSS
SDQ
1
SDQ通信
控制器和8位CRC校验码
产生电路
国内
公共汽车
VSS
2
LP包装
(底视图)
1
2
3
VSS
2
VSS
SDQ
NC
bq2024
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SDQ是德州仪器的商标。
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2007 ,德州仪器
bq2024
SLUS770 - 2007年5月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
(1)
单位
V
PU
I
OL
T
A
T
A(通讯)
T
英镑
直流电压施加到数据
低电平输出电流
ESD IEC 61000-4-2气隙放电
工作自由空气的温度范围内
通信自由空气的温度范围内
存储温度范围
焊接温度(焊接, 10秒)
(1)
通信设计规定
数据V
SS,
V
SS
到数据
-0.3 V至7 V
40毫安
15千伏
-20℃ 70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
260°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
DC电气特性
T
A
= -20 ° C至70 °C, V
PU (分钟)
= 2.65 V
DC
至5.5 V
DC
所有电压相对于VSS
参数
I
数据
V
OL
V
OH
I
OL
V
IL
V
IH
V
PP
电源电流
低电平输出电压
高电平输出电压
低电平输出电流(漏)
低电平输入电压
高电平输入电压
编程电压
V
PU
= 5.5 V
逻辑0 ,V
PU
= 5.5 V,I
OL
= 4毫安, SDQ引脚
逻辑0 ,V
PU
= 2.65 V,I
OL
= 2毫安
逻辑1
V
OL
= 0.4 V, SDQ引脚
逻辑0
逻辑1
2.2
11.5
12
V
PU
测试条件
典型值
最大
20
0.4
0.4
5.5
4
0.8
mA
V
V
V
单位
A
V
AC开关特性的影响
T
A
= -20 ° C至70 °C, V
PU (分钟)
= 2.65 V
DC
至5.5 V
DC
所有电压相对于VSS
参数
t
c
t
WSTRB
t
WDSU
t
WDH
t
REC
t
RSTRB
t
ODD
t
ODHO
t
RST
t
PPD
t
PP
t
EPROG
t
PSU
t
PREC
(1)
(2)
2
位周期
(1)
写周期开始
(1)
写入数据的设置
(1)
写数据保持
(1) (2)
恢复时间
(1)
阅读周期的开始
(1)
输出数据延迟
(1)
输出数据保持
(1)
复位时间
(1)
存在脉冲延迟
(1)
应答脉冲
(1)
EPROM编程时间
计划建立时间
程序的恢复时间
对于只读存储器命令
测试条件
60
1
t
WSTRB
60
1
5
1
t
RSTRB
17
480
15
60
2500
5
5
60
240
13
13
60
典型值
最大
120
15
15
t
c
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
SDQ引脚和V之间的5 kΩ的串联电阻
PU
。 (见
图1)
t
WDH
必须小于吨
c
考虑到恢复。
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bq2024
SLUS770 - 2007年5月
AC开关特性的影响(续)
T
A
= -20 ° C至70 °C, V
PU (分钟)
= 2.65 V
DC
至5.5 V
DC
所有电压相对于VSS
参数
t
PRE
t
PFE
t
RSTREC
节目上升沿时间
节目下降沿时间
480
测试条件
典型值
最大
5
5
单位
s
s
s
终端功能
终奌站
名字
bq2024DBZR
SDQ
VSS
VSS
SDQ
NC
1
2, 3
1
2
3
I
-
-
I
-
数据
GND
数据
无连接
I / O
描述
bq2024LPR , bq2024LPFR
功能说明
一般操作
第1页框图显示了主要的控制部分和存储单元之间的关系
bq2024 。该bq2024有三个主要组成部分的数据: 1536位工厂编程的ROM ,其中包括8位
家族码, 48位识别码和8位CRC值,EPROM和EPROM状态字节。电源
读取和写入操作,从DATA引脚而得。内置电容储存能量,而信号线
高,在DATA引脚的低次释放能量,直到脚变为高电平来补充
充电的电容器。一个特殊的制造商的节目模板字节可以读取来确定
所需的编程轮廓的零件程序。
1536位EPROM
表1
是bq2024的1536位EPROM中的存储映像,配置为六页的32个字节
每一个。 8字节的RAM缓冲区编程时内存使用额外的寄存器。数据是第一
通过从用于确认正确的bq2024读取一个8位的CRC写入RAM缓冲器中,然后验证
接收到的数据。如果缓冲器的内容是正确的,一个编程命令发出和一个8字节的段
数据被写入到存储器的指定地址。编程时,这个过程可以确保数据的完整性
的存储器。详细阅读和编程bq2024的1536位EPROM部分都在
存储器操作命令
本数据手册的部分。
表1. 1536位EPROM存储器映射
地址( HEX )
00A0-00BF
0080-009F
0060-007F
0040-005F
0020-003F
0000-001F
页面
第5页
第4页
第3页
第2页
第1页
第0页
提交文档反馈
3
bq2024
SLUS770 - 2007年5月
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EPROM状态存储器
除了可编程1536比特的存储器,存在的状态信息中包含的64位
EPROM状态存储器。状态存储器是独立的命令访问。该状态位
EPROM和读取或编程来指示各种条件,在软件查询bq2024 。
状态存储器的第一个字节包含页面写保护位,抑制编程
在1536位主存储区域对应的页面,如果相应的写保护位被编程。
一旦一个位在写入被编程保护页面字节,对应于在整个32字节的页面
位不再可以改变,但仍然可以读出。写保护位可以通过写清除
状态命令。
接下来的6个字节的EPROM状态存储器包含页面地址重定向字节。中位
EPROM状态字节可以指示哪些页是通过将适当取代的页面的主机
重定向字节。该bq2024的硬件无法在网页地址的内容决定
重定向字节。该功能允许用户的软件通过指示来进行数据补丁对EPROM
特定页面或页面应该被替换那些在页面地址重定向字节表示。该
新页地址的补码写入对应的页面地址重定向字节
原来的(替代)页面。如果页面地址重定向字节为FFh ,在主存储器中的数据
对应于该页面是有效的。如果页面地址重定向字节有一些其他的十六进制值,在数据
对应于重定向字节的页面是无效的,有效的数据现在可以在那些被发现
由存储在相关联的页面地址的十六进制值表示的页地址的补
重定向字节。外佣在重定向字节页1的值,例如,表示更新后的数据
现在在第2页的详细信息读取和编程bq2024的EPROM状态存储器
在给出
存储器操作命令
部分。
表2. EPROM状态字节
地址(十六进制)
页面
写保护位
BIT0 - 写保护0页
BIT1 - 写保护第1页
第2位 - 写保护2页
BIT3 - 写保护3页
BIT4 -Write保护4页
BIT5 -Write保护第5页
BIT6 7所使用的页面-bitmap
重定向字节为0页
重定向字节为第1页
重定向字节2页
重定向字节的第3页
重定向字节的第4页
重定向字节的第5页
工厂编程00H
00h
01h
02h
03h
04h
05h
06h
07h
错误检查
验证来自bq2024发送的数据时,主机生成从作为它们的数据的CRC值
收到。这个生成的值与由bq2024发送的CRC值。如果两个CRC值
比赛中,传输无差错。该CRC的等效多项式是X
8
+ X
5
+ X
4
+ 1。详细
被发现的
CRC生成节
本数据手册。
自定义bq2024
64位ID标识每个bq2024 。 48位的序列号是唯一的,由德克萨斯仪器进行编程。
默认的8位家族码为09H ;然而,一个不同的值可在一个单独的客户基础保留。
请联系您的德州仪器的销售代表了解更多信息。
总线终端
因为bq2024的驱动输出为开漏, N沟道MOSFET ,主机必须提供源
电流或5 kΩ的外部上拉,如图中的典型应用电路
图1 。
4
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bq2024
SLUS770 - 2007年5月
VPU
bq2024
SDQI
通讯
调节器
SDQO
VSS
3
VSS
2
主持人
SDQ
1
中央处理器
图1.典型应用电路
串行通信
主机读取,程序或通过的分层指挥机构检查bq2024的状态
SDQ接口。
图2
表明主机必须先发出一个ROM命令的EPROM存储器或之前
状态可以被读取或修改。该ROM命令或者选择当多台设备是一个特定的设备
在SDQ总线上,或跳过一个SDQ设备应用程序的选择过程。
初始化
ROM命令序列
内存/ Status命令序列
图2.一般命令序列
初始化
初始化包括两个脉冲,复位和应答脉冲。主机产生复位
脉冲,而bq2024响应的应答脉冲。主机通过驱动数据重置bq2024
公交车低了至少480
s.
有关详细信息,请参阅
RESET
根据第
SDQ信号。
ROM指令
读取ROM
在读ROM命令是最快的序列,它允许主机读取的8位家族码
和48位识别号。它被使用,如果只有一个SDQ从属设备连接到总线上。在读ROM
序列开始与主机产生至少480的复位脉冲
s.
该bq2024与响应
应答脉冲。接着,主机将继续通过发出读ROM命令, 33H ,然后读出
ROM和使用READ信令的CRC字节(参见READ和WRITE信号部分)的数据中
框架。
RESET
存在
信号的
读ROM ( 33H )
0
0
1
1
1
1
0
0
家庭法及鉴定
数(7字节)
的CRC( 1字节)
图3.读ROM序列
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5
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BQ2024
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BQ2024
TI/德州仪器
21+
5001
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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