bq2002/F
镍镉/镍氢电池快速充电管理IC
特点
镍镉电池快速充电
或镍 - 金属氢化物batter-
IES
LED直接输出显示
充电状态
快速充电终止了-ΔV ，
最大电压，最大
温度和最大
时间
内部带隙电压基准
erence
可选的终止充电
可选脉冲涓流充电
价格
低功耗模式
8引脚300mil的DIP或150万
SOIC
概述
该bq2002和bq2002 / F快充电
IC是低成本的CMOS电池充电
控制器提供可靠的充电
终端为镍镉电池和镍氢电池
电池应用。控制
电流限制或恒流
电源允许bq2002 / F至是
依据具有成本效益的单机或
系统集成的充电器。该
bq2002 /女集成快速充电用
可选的浮充和脉冲涓流CON-
控制在一个单片IC充电一
更多的镍镉或镍氢电池。
快速充电是在应用程序启动
充电电源或电池的重
放置。为了安全，快充为
抑制当电池温度
和电压外配置
极限。
快速充电是用任何的终止
以下：
n
n
n
n
n
峰值电压检测（ PVD）法
负增量电压（ -ΔV ）
最大电压
最高温度
最大时间
快速充电后， bq2002 /女OP-
倚重上衣起飞和脉冲淌下了
每个预配置的限制电池。
快速充电可以使用被禁止
对INH引脚。该bq2002 / F可以也
被放置在低的待机功耗模式
以降低系统的功耗。
牛逼 ê BQ 20 02 F 当f ê RS由于F R OM吨 é
bq2002仅在一个稍微differ-
耳鼻喉科一套快充和浮充的
可时间限制。所有differ-
这两个芯片之间的分配办法是illus-
trated在表1中。
引脚连接
TM
LED
BAT
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
CC
引脚名称
TM
LED
INH
VCC
TS
定时器模式选择输入
充电状态输出
电池电压输入
系统接地
TS
V
CC
INH
CC
温度检测输入
电源电压输入
充电禁止输入
充电控制输出
BAT
V
SS
8引脚DIP或
窄体SOIC
PN-200201.eps
bq2002 /女选型指南
产品型号
bq2002
TCO
0.5
V
CC
HTF
无
LTF
无
-ΔV PVD
快速充电
C/2
1C
2C
C/2
1C
2C
t
MTO
160
80
40
160
100
55
顶关闭
C/32
C/16
无
C/32
C/16
无
保养
C/64
C/64
C/32
C/64
C/64
C/32
bq2002F 0.5
V
CC
无
无
SLUS131 ， 1999年1月
1
bq2002/F
PVD和-ΔV终止
有两种模式的终止电压根据
在TM的状态。对于-ΔV （ TM =高点），若V
BAT
is
比12mV任何先前测得的值低
±3mV,
快速充电终止。对于PVD （ TM =低或
MID） ，减少为2.5mV的
±2.5mV
快结束
费。在PVD和-ΔV测试的范围内有效
1V < V
BAT
< 2V 。
销被调制在286μs活跃的占空比
每4290μs无效。这个调制的结果中的
平均速率的快速充电率的1/ 16日。马克西 -
妈妈电压，时间和温度是唯一的三 -
在顶过启用mination方法。
脉冲涓流充电
脉冲涓流被用于补偿自放电
当电池处于闲置状态中的充电器。电池是
脉冲涓流通过驱动CC引脚活跃被控
一段286μs的活动的每一个18.0ms为1C和
2C的选择，并为活动的每8.86ms 286μs
对于C / 2的选择。这导致C / 64的涓流率
为顶级客启用模式和C / 32 ，否则。
电压采样
电压进行采样， BAT引脚的PVD和-ΔV之三
mination每隔17S 。样品是平均
电压测量取57μs分开。该IC采用
32测量PVD模式和16个测量
在-ΔV方式。将所得的采样周期（ 9.17和
18.18ms ，分别）滤除谐波为中心
在55和109Hz 。该技术最大限度地减少了EF-
任何交流电源纹波可能养活通过的FECT
从50或60Hz的交流电源供电。容
ANCE所有时序
±20%.
TM引脚
TM引脚是用来选择一个三电平引脚
充电定时器，浮充电压终止方式，涓流
率和电压保持断开期间的选择。表DE- 1
文士的TM引脚选择的状态。中期
电平选择输入是由一个电阻器产生的二
V之间vider
CC
和地面，修复电压
在TM在V
CC
/2
±
0.5V 。参见图4 。
电压终止拖延
一个拖延一段发生在快速充电开始。
在拖延时间，在PVD和-ΔV终止
被禁用。这样就避免了提前终止的
电压尖峰有时是较旧的电池生产
当首次应用于快速充电电流。最大
电压和温度的终端不受影响
通过保持关闭期间。
充电状态指示
快速充电正在进行中唯一表示当
LED引脚变为低电平。在LED引脚被驱动到所述高阻抗
状态的时间比快速充电之外的所有条件。图2
概述在充电期间LED管脚的状态。
最大电压，温度和时间
任何时候， BAT引脚上的电压超过马克西
妈妈电池电压，V
MCV
，快充或可选的顶级客
充电终止。
最高气温终端随时随地发生的
电压在TS针下降到低于温度切断
阈值V
TCO
.
最大充电时间，使用TM引脚配置。
时间设置可用于相应充电
C / 2时，1C和2C的速率。最大超时端接
灰被强迫在快速充电阶段，然后复位，并
在顶断阶段再次执行，如果选中。有
在涓流充电阶段没有时间限制。
充电禁止
快速充电和顶断可以通过使用被禁止
INH引脚。当高， INH暂停所有快充
顶断活性和内部充电定时器。 INH
冻结LED的当前状态，直到禁止为重
感动。温度监测不受该
INH引脚。在充电禁止时， bq2002 /女继续
到脉冲涓流充电每以旧换新选择的电池。
当INH返回低电平，控制充电和充电
从那里INH开始活跃点定时器简历。
低功耗模式
该IC进入低功耗状态，当V
BAT
驱动
以上所述掉电阈（Ⅴ
PD
），其中
V
PD
= V
CC
- (1V
±0.5V)
无论是CC引脚和LED引脚被驱动到
高阻态。工作电流减小到小于
小于1μA在此模式下。当V
BAT
返回到一个值
低于V
PD
中，IC脉冲涓流充电，直到下一
新的充电周期开始。
顶过充
一个可选的终止充电阶段可以被选择为
遵循快速充电终止1C和C / 2速率。
此阶段，可能需要对NiMH或其他BAT-
有一种倾向，终止tery化学
充电前达到满负荷生产。与顶级客恩
体健，继续充电后，在降低利率
快速充电终止一段时间选
通过TM销。 （见表1 ）在顶部关闭，则CC
5
bq2002/F
镍镉/镍氢电池快速充电管理IC
特点
镍镉电池快速充电
或镍 - 金属氢化物batter-
IES
LED直接输出显示
充电状态
快速充电终止了-ΔV ，
最大电压，最大
温度和最大
时间
内部带隙电压基准
erence
可选的终止充电
可选脉冲涓流充电
价格
低功耗模式
8引脚300mil的DIP或150万
SOIC
概述
该bq2002和bq2002 / F快充电
IC是低成本的CMOS电池充电
控制器提供可靠的充电
终端为镍镉电池和镍氢电池
电池应用。控制
电流限制或恒流
电源允许bq2002 / F至是
依据具有成本效益的单机或
系统集成的充电器。该
bq2002 /女集成快速充电用
可选的浮充和脉冲涓流CON-
控制在一个单片IC充电一
更多的镍镉或镍氢电池。
快速充电是在应用程序启动
充电电源或电池的重
放置。为了安全，快充为
抑制当电池温度
和电压外配置
极限。
快速充电是用任何的终止
以下：
n
n
n
n
n
峰值电压检测（ PVD）法
负增量电压（ -ΔV ）
最大电压
最高温度
最大时间
快速充电后， bq2002 /女OP-
倚重上衣起飞和脉冲淌下了
每个预配置的限制电池。
快速充电可以使用被禁止
对INH引脚。该bq2002 / F可以也
被放置在低的待机功耗模式
以降低系统的功耗。
牛逼 ê BQ 20 02 F 当f é R 5由于F R OM T他
bq2002仅在一个稍微differ-
耳鼻喉科一套快充和浮充的
可时间限制。所有differ-
这两个芯片之间的分配办法是illus-
trated在表1中。
引脚连接
TM
LED
BAT
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
CC
引脚名称
TM
LED
INH
VCC
TS
定时器模式选择输入
充电状态输出
电池电压输入
系统接地
TS
V
CC
INH
CC
温度检测输入
电源电压输入
充电禁止输入
充电控制输出
BAT
V
SS
8引脚DIP或
窄体SOIC
PN-200201.eps
bq2002 /女选型指南
产品型号
bq2002
TCO
0.5
V
CC
HTF
无
LTF
无
-ΔV PVD
快速充电
C/2
1C
2C
C/2
1C
2C
t
MTO
160
80
40
160
100
55
顶关闭
C/32
C/16
无
C/32
C/16
无
保养
C/64
C/64
C/32
C/64
C/64
C/32
bq2002F 0.5
V
CC
无
无
SLUS131 - APRIL
2009
1
bq2002/F
PVD和-ΔV终止
有两种模式的终止电压根据
在TM的状态。对于-ΔV （ TM =高点），若V
BAT
is
比12mV任何先前测得的值低
±3mV,
快速充电终止。对于PVD （ TM =低或
MID） ，减少为2.5mV的
±2.5mV
快结束
费。在PVD和-ΔV测试的范围内有效
1V < V
BAT
< 2V 。
销被调制在286μs活跃的占空比
每4290μs无效。这个调制的结果中的
平均速率的快速充电率的1/ 16日。马克西 -
妈妈电压，时间和温度是唯一的三 -
在顶过启用mination方法。
脉冲涓流充电
脉冲涓流被用于补偿自放电
当电池处于闲置状态中的充电器。电池是
脉冲涓流通过驱动CC引脚活跃被控
一段286μs的活动的每一个18.0ms为1C和
2C的选择，并为活动的每8.86ms 286μs
对于C / 2的选择。这导致C / 64的涓流率
为顶级客启用模式和C / 32 ，否则。
电压采样
电压进行采样， BAT引脚的PVD和-ΔV之三
mination每隔17S 。样品是平均
电压测量采取570μs apart.The IC花费
32测量PVD模式和16个测量
在-ΔV方式。将所得的采样周期（ 9.17和
18.18ms ，分别）滤除谐波为中心
在55和109Hz 。该技术最大限度地减少了EF-
任何交流电源纹波可能养活通过的FECT
从50或60Hz的交流电源供电。容
ANCE所有时序
±20%.
TM引脚
TM引脚是用来选择一个三电平引脚
充电定时器，浮充电压终止方式，涓流
率和电压保持断开期间的选择。表DE- 1
文士的TM引脚选择的状态。中期
电平选择输入是由一个电阻器产生的二
V之间vider
CC
和地面，修复电压
在TM在V
CC
/2
±
0.5V 。参见图4 。
电压终止拖延
一个拖延一段发生在快速充电开始。
在拖延时间，在PVD和-ΔV终止
被禁用。这样就避免了提前终止的
电压尖峰有时是较旧的电池生产
当首次应用于快速充电电流。最大
电压和温度的终端不受影响
通过保持关闭期间。
充电状态指示
快速充电正在进行中唯一表示当
LED引脚变为低电平。在LED引脚被驱动到所述高阻抗
状态的时间比快速充电之外的所有条件。图2
概述在充电期间LED管脚的状态。
最大电压，温度和时间
任何时候， BAT引脚上的电压超过马克西
妈妈电池电压，V
MCV
，快充或可选的顶级客
充电终止。
最高气温终端随时随地发生的
电压在TS针下降到低于温度切断
阈值V
TCO
.
最大充电时间，使用TM引脚配置。
时间设置可用于相应充电
C / 2时，1C和2C的速率。最大超时端接
灰被强迫在快速充电阶段，然后复位，并
在顶断阶段再次执行，如果选中。有
在涓流充电阶段没有时间限制。
充电禁止
快速充电和顶断可以通过使用被禁止
INH引脚。当高， INH暂停所有快充
顶断活性和内部充电定时器。 INH
冻结LED的当前状态，直到禁止为重
感动。温度监测不受该
INH引脚。在充电禁止时， bq2002 /女继续
到脉冲涓流充电每以旧换新选择的电池。
当INH返回低电平，控制充电和充电
从那里INH开始活跃点定时器简历。
低功耗模式
该IC进入低功耗状态，当V
BAT
驱动
以上所述掉电阈（Ⅴ
PD
），其中
V
PD
= V
CC
- (1V
±0.5V)
无论是CC引脚和LED引脚被驱动到
高阻态。工作电流减小到小于
小于1μA在此模式下。当V
BAT
返回到一个值
低于V
PD
中，IC脉冲涓流充电，直到下一
新的充电周期开始。
顶过充
一个可选的终止充电阶段可以被选择为
遵循快速充电终止1C和C / 2速率。
此阶段，可能需要对NiMH或其他BAT-
有一种倾向，终止tery化学
充电前达到满负荷生产。与顶级客恩
体健，继续充电后，在降低利率
快速充电终止一段时间选
通过TM销。 （见表1 ）在顶部关闭，则CC
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