【bq2002D/T镍镉/镍氢电池快速充电管理IC特点镍镉电池快速充电或镍 - 金属氢化物batter】,IC型号BQ2002D,BQ2002D PDF资料,BQ2002D经销商,ic,电子元器件-51电子网

bq2002D/T

镍镉/镍氢电池快速充电管理IC

特点

镍镉电池快速充电

或镍 - 金属氢化物batter-

IES

LED直接输出显示

充电状态

快速充电终止

利率温度的上升，

最大电压，最大

温度和最大

时间

内部带隙电压基准

erence

可选的终止充电（ bq2002T

只）

可选脉冲涓流充电

率（ bq2002T只）

低功耗模式

8引脚300mil的DIP或150万

SOIC

概述

该bq2002D / T快速充电IC的

低成本的CMOS电池充电控制 -

制器能够提供可靠的充电之三

mination为镍镉电池和镍氢BAT-

tery应用。控制

电流限制或恒流

电源允许的bq2002D / T是

依据具有成本效益的单机或

系统集成的充电器。该

bq2002D / T集成快速充电用

可选的浮充和脉冲涓流CON-

控制在一个单片IC充电一

更多的镍镉或镍氢电池。

快速充电是在应用程序启动

充电电源或电池的重

放置。为了安全，快充为

抑制当电池温度

和电压外配置

极限。

快速充电是用任何的终止

以下：

速率升温

最大电压

最高温度

最大时间

快速充电后， bq2002T选项 -

盟友顶客和脉冲的淌下

每个预配置的限制电池。

快速充电可以使用被禁止

对INH引脚。该bq2002D / T可

置于低待机功率模式，以

降低系统的功耗。

引脚连接

LED

BAT

VSS

INH

VCC

引脚名称

LED

BAT

定时器模式选择输入

充电状态输出

电池电压输入

系统接地

INH

温度检测输入

电源电压输入

充电禁止输入

充电控制输出

8引脚DIP或

窄体SOIC

PN-200201.eps

bq2002D / T选型指南

产品型号

bq2002D

TCO

0.225

HTF

0.25

LTF

0.4

快速充电

C/4

超时

320分钟

80分钟

40分钟

440敏

110分钟

55敏

顶关闭

C/64

C/16

无

保养

C/256

C/128

无

bq2002T

0.225

0.25

无

SLUS133 ， 2000年1月é

bq2002D/T

引脚说明

定时器模式下输入

三电平输入，控制设置

为快速充电安全计时器，电压之三

mination模式，顶客，脉细流，以及

电压拖延时间。

LED

充电输出状态

漏极开路输出，用于指示充电

状态。

BAT

电池输入电压

电池电压检测输入。输入到

这个引脚通过一个高阻抗产生重

体管分压网络之间的连接

的正极端子和负极端子

电池。

系统接地

温度检测输入

输入外部电池温度

监控热敏电阻。

电源电压输入

5.0V

20 ％的功率输入。

INH

充电禁止输入

当高， INH暂停快速充电的

进展情况。当返回低电平时， IC重新

sumes操作点在哪里开始

暂停。

充电控制输出

漏极开路输出用于控制

充电到电池的电流。 CC开关

荷兰国际集团以高阻抗（ Z）能使充电

电流流动，而低，禁止充电

电流。 CC被调制以提供顶级客，

如果已启用，和脉冲涓流。

功能说明

图2和bq2002D / T 3显示状态图和

图4示出了bq2002D / T的框图

电池电压和温度

测量

电池电压和温度监测

最大允许值。电压介绍了

电池检测输入，英美烟草，应该代表

单细胞的潜力正在充电的电池。一

的电阻分压比例：

RB1

=N-1

RB2

建议内维持电池电压

有效范围内，其中N是细胞的数目， RB1是

连接到电池的正极的电阻，

和RB2是连接到负BAT-电阻

tery终端。参见图1 。

VCC

RT1

RB1

BAT

RB2

VCC

RT2

PACK +

bq2002D/T

VSS

bq2002D/T

VSS

BAT引脚连接

中级

设置TM

热敏电阻连接

NTC =负温度系数热敏电阻器。

F2002DT1.eps

图1.电压和温度监测和TM引脚配置

bq2002D/T

芯片上

4.0V

VCC

电池电压

是否过高？

VBAT < 2V

VTS > 0.25V VCC

电池

温度是多少？

VBAT

＆ GT ;

VTS < 0.25V VCC

收费

PENDING

快速充电，

CC = Z

LED =低

VBAT < 2V和

VTS > 0.25V VCC

关，

CC =低

LED =低

VBAT > 2V

T / T或

VBAT > 2V或

VTS < 0.25V VCC或

最大超时

VBAT

关，

CC =低

LED = Z

SD2002D.eps

图2. bq2002D状态图

芯片上

4.0V

VCC

电池电压

是否过高？

VBAT < 2V

VBAT

＆ GT ;

0.25 VCC < < VTS 0.6 VCC

电池

温度是多少？

VTS > 0.6 VCC或

VTS < 0.25 VCC

（T / T或

最大超时）

和TM =高

收费

PENDING

快

LED -

低

VBAT > 2V或

VTS < 0.225 VCC或

（（T / T或

最大超时）

和TM =高）

顶关闭

LED = Z

VBAT < 2V和

VTS < 0.6 VCC和

VTS > 0.25 VCC

滴流

LED -

低

VBAT > 2V

VBAT

滴流

LED = Z

VBAT > 2V或

VTS < 0.225 VCC或

最大超时

SD2002T.eps

图3. bq2002T状态图

bq2002D/T

OSC

时钟

相

发电机

定时

控制

样品

历史

电压

参考

INH

充电控制

状态机

T/ t

ALU

A至D

变流器

HTF /

LTF

查

POWER- ON

RESET

LED

MCV

查

动力

下

TCO

查

BAT

VCC

VSS

Bd2002TD.eps

图4.框图

注意：

该电阻分压网络输入阻抗

端至端应至少为200kΩ的和小于1兆欧。

接地参考的负温度系数热敏

电阻型号放置在靠近电池可以被用作一个

低成本的温度 - 电压转换器。该温度

在TS TURE感测电压输入用的展开

V之间的电阻，热敏电阻网络

和V

。看

图1 。

如果电池电压或温度的这些外

极限， IC脉冲涓流充电，直到温度

TURE落在允许快速充电范围或一个新的内

充电周期开始。

快速充电继续，直到终止由一个或一个以上的

四个可能的终止条件为：

速率升温

最大电压

最高温度

最大时间

开始一个充电周期

两个事件开始充电周期（参见图5）：

权力1.应用到V

2.电压在BAT引脚下降至最大

电池电压在哪里：

MCV

= 2V

±5%.

如果电池配置的温度范围内和

电压范围时，IC开始快速充电。有效的BAT-

tery电压范围为V

BAT

＆ LT ; V

MCV

。有效的温度

TURE范围为V

HTF

＆ LT ; V

LTF

为bq2002T和

HTF

＆ LT ; V

为bq2002D其中：

LTF

= 0.4

±5%.

HTF

= 0.25

±5%

（ bq2002T只）。

T/t

终止

该bq2002D / T样本处的电压的TS销EV-

ERY 19S并比较其测量3的值

样品较早。如果电压下降25.6mV或

以上，快速充电终止。该

T/t

终止

测试是有效的，只有当V

TCO

＆ LT ; V

LTF

对于

bq2002T和V

TCO

＆ LT ; V

为bq2002D 。

温度采样

一个样本是通过平均起来16测量

ments采取57μs分开。将得到的采样周期

（ 18.18ms ）过滤掉周围的55Hz的谐波。该技

bq2002D/T

VCC = 0

快速充电

顶关闭

（可选，

bq2002T只）

286 s

脉冲涓流

快速充电

（可选，

bq2002T只）

CC输出

286 s

4576 s

SEE

表1

电荷通过应用功率启动

电荷通过更换电池启动

LED

TD2002F1.eps

图5.充电周期阶段

NIQUE最大限度地减少任何交流电源纹波的效果

可供给通过从50Hz或电源

60Hz的交流电源。宽容的所有时机

±20%.

最高气温终端随时随地发生的

电压在TS针下降到低于温度切断

阈值V

TCO

其中：

TCO

= 0.225

±5%

最大充电时间，使用TM引脚配置。

时间设置可用于相应充电

C / 4 ，1C和2C的速率。最大超时端接

灰被强迫在快速充电阶段，然后复位，并

最大电压，温度和时间

任何时候， BAT引脚上的电压超过马克西

妈妈电池电压，V

MCV

，快充或可选的顶级客

充电终止。

表1.快速充电安全时间/浮充表

典型的快速充电

和Top -关闭

时间限制

（分）

440

110

320

相应

快速充电速率

C/4

bq2002D

C/4

bq2002T

注意事项：

MID

低

高

MID

低

高

顶关闭

率

C/64

C/16

残

脉冲 -

细流率

C/256

C/128

脉冲 -

滴流

周期（ms ）

18.3

73.1

典型条件= 25℃ ，V

= 5.0V.

中秋节= 0.5 * V

±0.5V

宽容的所有时机

±20%