BPX 48
BPX 48女性
Silizium - 微分Fotodiode
硅光电二极管差
BPX 48
BPX 48女性
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich ·冯· 400双波长1100纳米（ BPX 48 ）
UND北920海里（ BPX 48 F）
q
霍厄Fotoempfindlichkeit
q
DIL - Plastikbauform MIT达赫
Packungsdichte
q
Doppeldiode MIT极值达赫
Gleichmβigkeit
Anwendungen
q
Nachlaufsteuerung
q
Kantenführungen
q
Weg- bzw. Winkelabtastungen
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
q
特别适合于从应用程序
400纳米920纳米至1100纳米（ BPX 48）和
（ BPX 48 F）
q
高感光
q
DIL塑料封装的高包装
密度
q
双二极管具有极高
均匀性
应用
q
后续控制
q
边缘控制
q
路径和角度扫描
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
半导体集团
348
10.95
feof6638
feo06638
BPX 48
BPX 48女性
典型值
TYPE
BPX 48
BPW 48女性
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P17-S1
Q62702-P305
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 80
230
统一性
单位
°C
°C
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur （ Ltstelle 2毫米VOM
Gehuse entfernt贝Ltzeit
t
≤
3 s)
焊接温度2毫米的距离
从外壳底部（
t
≤
3 s)
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
T
op
;
T
英镑
T
S
V
R
P
合计
10
50
V
mW
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
献给jede Einzeldiode
特征
(
T
A
= 25
°C)
每个单独的二极管系统
bezeichnung
描述
Fotoempfindlichkeit
光谱灵敏度
V
R
= 5 V ， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K,
V
R
= 5 V,
λ
= 950纳米，
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
符号
符号
BPX 48
邂逅相遇，
价值
BPX 48女性
统一性
单位
S
S
λ
s最大
λ
24 (≥ 15)
–
900
–
7.5 (≥ 4.0)
920
NA /九
A
nm
400 ... 1150 750 ... 1150纳米
A
1.54
1.54
mm
2
半导体集团
349
BPX 48
BPX 48女性
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
献给jede Einzeldiode
特征
(
T
A
= 25
°C)
每个单独的二极管系统
bezeichnung
描述
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen
flche
辐射敏感区尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ，
V
R
= 10 V
暗电流
Spektrale Fotoempfindlichkeit
光谱灵敏度
λ
= 850 nm的
λ
= 950 nm的
马克斯。 Abweichung德Fotoempfindlichkeit
德Systeme的VOM Mittelwert
马克斯。该系统的光谱偏差
从平均灵敏度
Quantenausbeute
量子产率
λ
= 850 nm的
λ
= 950 nm的
Leerlaufspannung
开路电压
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
Kurzschlustrom
短路电流
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
，升= 950纳米
Anstiegs- UND Abfallzeit宫Fotostromes
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 1 k;
V
R
= 5 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 20
A
Durchlaspannung ，
I
F
= 40毫安，
E
= 0
正向电压
符号
符号
BPX 48
邂逅相遇，
价值
BPX 48女性
0.7
×
2.2
mm
0.7
×
2.2
统一性
单位
L
×
B
L
×
W
H
0.5
0.5
mm
±
60
10 (≤ 100)
±
60
10 (≤ 100)
毕业生
度。
nA
I
R
S
λ
S
λ
S
0.55
–
±
5
–
0.65
±
5
/ W
%
电子
光子
η
0.8
–
–
0.95
V
O
V
O
330 (≥ 280)
–
–
300 (≥ 280)
mV
mV
I
SC
I
SC
t
r
,
t
f
24
–
500
–
7
500
A
A
ns
V
F
1.3
1.3
V
半导体集团
350
BPX 48
BPX 48女性
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
献给jede Einzeldiode
特征
(
T
A
= 25
°C)
每个单独的二极管系统
bezeichnung
描述
Kapazitt ，
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
Temperaturkoeffizient冯
I
SC
温度COEF网络cient
I
SC
Normlicht /标准光A
λ
= 950 nm的
Rauschquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
Nachweisgrenze ，
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
检出限
符号
符号
BPX 48
邂逅相遇，
价值
BPX 48女性
25
– 2.6
pF
毫伏/ K
25
– 2.6
统一性
单位
C
0
TC
V
TC
I
TC
I
NEP
0.18
–
1.0
×
10
–13
–
0.2
1.0
×
10
–13
%/K
%/K
W
√Hz的
厘米“
√Hz的
W
D*
1.2
×
10
12
1.2
×
10
12
方向特性
S
REL
=
f
()
半导体集团
351
Silizium - 微分Fotodiode
硅光电二极管差
BPX 48
BPX 48女性
BPX 48
BPX 48女性
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet献给Anwendungen IM Bereich
冯为400nm双波长1100 （ BPX 48 ） UND贝
920纳米（ BPX 48 F）
霍厄Fotoempfindlichkeit
DIL - Plastikbauform MIT达赫Packungsdichte
Doppeldiode MIT极值达赫Gleichmigkeit
特点
特别适用于从应用程序
400纳米920纳米至1100纳米（ BPX 48）和
（ BPX 48 F）
高光敏性
DIL塑料封装具有高封装密度
双二极管具有极高
均匀性
应用
后续控制
边缘控制
路径和角度扫描
工业电子产品
控制和驱动电路
Anwendungen
Nachlaufsteuerung
Kantenführungen
Weg- bzw. Winkelabtastungen
Industrieelektronik
“梅森/ Steuern / Regeln ”
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P17-S1
Q62702-P305
典型值
TYPE
BPX 48
BPX 48女性
2001-02-21
1
BPX 48 ， BPX 48女性
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur （ Ltstelle 2毫米VOM Gehuse
entfernt贝Ltzeit
t
≤
3 s)
焊接温度在2毫米的距离
外壳底部（
t
≤
3 s)
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 … + 80
230
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
V
R
P
合计
10
50
V
mW
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
献给jede Einzeldiode
特征
(
T
A
= 25
°C)
每个单独的二极管系统
bezeichnung
参数
Fotostrom
光
V
R
= 5 V ， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K,
E
V
= 1000九
V
R
= 5 V,
λ
= 950纳米，
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
作者= 10％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen
flche
辐射敏感区尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseoberflche
距离前面的芯片到外壳表面
符号
符号
BPX 48
邂逅相遇，
价值
BPX 48女性
统一性
单位
I
P
I
P
λ
s最大
λ
24 (≥ 15)
–
900
400 … 1150
–
7.5 (≥ 4.0)
920
750 … 1150
A
A
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
1.54
0.7
×
2.2
1.54
0.7
×
2.2
mm
2
mm
×
mm
0.5
0.5
mm
2001-02-21
2
BPX 48 ， BPX 48女性
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
献给jede Einzeldiode
特征
(
T
A
= 25
°C)
每个单独的二极管系统（续）
bezeichnung
参数
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ，
V
R
= 10 V
暗电流
Spektrale Fotoempfindlichkeit
光谱灵敏度
λ
= 850 nm的
λ
= 950 nm的
马克斯。 Abweichung德Fotoempfindlichkeit德
Systeme的VOM Mittelwert
马克斯。该系统的光谱灵敏度的偏差
从平均
Quantenausbeute
量子产率
λ
= 850 nm的
λ
= 950 nm的
Leerlaufspannung
开路电压
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
Kurzschlustrom
短路电流
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
Anstiegs- UND Abfallzeit宫Fotostromes
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 1 k;
V
R
= 5 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 20
A
Durchlaspannung ，
I
F
= 40毫安，
E
= 0
正向电压
Kapazitt ，
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
符号
符号
BPX 48
±
60
10 (≤ 100)
邂逅相遇，
价值
BPX 48女性
±
60
10 (≤ 100)
毕业生
度。
nA
统一性
单位
I
R
S
λ
S
λ
S
0.55
–
±
5
–
0.65
±
5
/ W
%
电子
光子
η
η
0.8
–
–
0.95
V
O
V
O
330 (≥ 280)
–
–
300 (≥ 280)
mV
mV
I
SC
I
SC
t
r
,
t
f
24
–
500
–
7
500
A
A
ns
V
F
C
0
TC
V
1.3
25
– 2.6
1.3
25
– 2.6
V
pF
毫伏/ K
2001-02-21
3
BPX 48 ， BPX 48女性
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
献给jede Einzeldiode
特征
(
T
A
= 25
°C)
每个单独的二极管系统（续）
bezeichnung
参数
Temperaturkoeffizient冯
I
SC
温度COEF网络cient
I
SC
Normlicht /标准光A
λ
= 950 nm的
Rauschquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
Nachweisgrenze ，
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
检出限
方向特性
S
REL
=
f
()
40
30
20
10
符号
符号
BPX 48
邂逅相遇，
价值
BPX 48女性
统一性
单位
TC
I
TC
I
NEP
0.18
–
1.0
×
10
– 13
–
0.2
1.0
×
10
– 13
%/K
%/K
W
-----------
-
Hz
cm
×
Hz
-------------------------
-
W
D*
1.2
×
10
12
1.2
×
10
12
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2001-02-21
4
QQ：2881677436 复制
