BPX 43
NPN - Silizium - Fototransistor
硅NPN光电晶体管
BPX 43
集体中毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有说明
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
特点
q
特别适合于从应用程序
Bereich ·冯· 450双波长1100纳米
q
霍厄Linearitt
q
Hermetisch dichte Metallbauform （TO- 18）的
麻省理工学院Basisanschluβ ， geeignet双125
°C
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
450纳米至1100纳米
q
高线性度
q
密封金属封装（ TO- 18 ）
含底座连接合适高达125
°C
q
可在组
应用
q
光中断
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
典型值
TYPE
BPX43
BPX 43-2
BPX 43-3
BPX 43-4
BPX 43-5
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P16
Q62702-P16-S2
Q62702-P16-S3
Q62702-P16-S4
Q 62702 - P16 -S5
半导体集团
223
10.95
fmof6019
BPX 43
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur贝Tauchltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
5 s
浸焊温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
5 s
Lttemperatur贝Kolbenltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
3 s
烙铁焊接温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
3 s
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
发射器 - Basisspannung
发射极 - 基极电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 125
260
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
合计
R
thJA
50
50
200
7
220
450
V
mA
mA
V
mW
K / W
半导体集团
224
BPX 43
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Fotostrom DER Kollektor个基本Fotodiode
集电极 - 基极二极管的光电流
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
V
CB
= 5 V
Kapazitt
电容
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 25 V,
E
= 0
符号
符号
λ
s最大
λ
邂逅相遇，
价值
880
450 ... 1100
统一性
单位
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
0.675
1
×
1
2.4 ... 3.0
mm
2
mm
×
mm
mm
±
15
毕业生
度。
I
PCB
I
PCB
11
35
A
A
C
CE
C
CB
C
EB
I
首席执行官
23
39
47
20 (≤ 300)
pF
pF
pF
nA
半导体集团
225
BPX 43
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen
Ziffern gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨的分组
由阿拉伯的数字。
bezeichnung
描述
符号
符号
-2
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
I
PCE
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor发射极 - Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
Stromverstrkung
电流增益
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
邂逅相遇，
价值
-3
-4
-5
统一性
单位
0.8 ... 1.6 1.25 ... 2.5 2.0 ... 4.0
≥
3.2毫安
3.8
6.0
9.5
15.0毫安
9
12
15
18
s
t
r
,
t
f
V
CESAT
200
220
240
260
mV
I
PCE
I
PCB
110
170
270
430
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe
I
PCEmin
是分钟。指定的组的光电流
半导体集团
226
BPX43
威世德律风根
硅NPN光电晶体管
描述
BPX43是一个非常高的灵敏度NPN硅外延
在一个标准的TO -18 hermeti-平面光电晶体管
美云密封的金属外壳与玻璃镜片。
光与照射的卓越的线性度
使得它非常适合线性应用。一个基本的终端
可用来使偏置和灵敏度控制。
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
密封TO- 18案例
镜头窗
半灵敏度角
=
±
15
°
确切的中心对齐芯片
提供基极
非常高的感光度照片
高线性度
适用于可见光和近红外辐射
选入组的灵敏度
94 8402
应用
检测器，用于模拟和数字工业电子与应用，测量控制，如：远程
光栅额外的光学，光电开关，报警系统等。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
热阻结/外壳
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
op
T
英镑
T
sd
R
thJA
R
thJC
价值
80
70
7
50
200
250
125
–55...+125
–55...+125
260
400
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
K / W
t
p
10
m
s
T
AMB
25
°
C
x
x
t
5秒，从距离
感人的边界
2 mm
x
y
文档编号81534
第2版， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
BPX43
威世德律风根
硅NPN光电晶体管
描述
BPX43是一个非常高的灵敏度NPN硅外延
在一个标准的TO -18 hermeti-平面光电晶体管
美云密封的金属外壳与玻璃镜片。
光与照射的卓越的线性度
使得它非常适合线性应用。一个基本的终端
可用来使偏置和灵敏度控制。
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
密封TO- 18案例
镜头窗
半灵敏度角
=
±
15
°
确切的中心对齐芯片
提供基极
非常高的感光度照片
高线性度
适用于可见光和近红外辐射
选入组的灵敏度
94 8402
应用
检测器，用于模拟和数字工业电子与应用，测量控制，如：远程
光栅额外的光学，光电开关，报警系统等。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
热阻结/外壳
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
op
T
英镑
T
sd
R
thJA
R
thJC
价值
80
70
7
50
200
250
125
–55...+125
–55...+125
260
400
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
K / W
t
p
10
m
s
T
AMB
25
°
C
x
x
t
5秒，从距离
感人的边界
2 mm
x
y
文档编号81534
第2版， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
NPN - Silizium - Fototransistor
硅NPN光电晶体管
铅（Pb ）免费产品 - 符合RoHS
BPX 43
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet献给Anwendungen IM Bereich
冯450nm的双波长1100
霍厄Linearitt
Hermetisch dichte Metallbauform （ TO- 18 ），麻省理工学院
Basisanschluss ， geeignet双125
°C
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
Industrieelektronik
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
特别适用于从应用程序
450纳米至1100纳米
- 高线性度
密封金属封装（ TO- 18 ）
含底座连接合适高达125
°C
可在组
应用
光断续器
工业电子
对于控制与驱动电路
典型值
TYPE
BPX 43
BPX 43-3 / 4
1)
BPX 43-4
BPX 43-4 / 5
1)
BPX 43-5
1)
Bestellnummer
订购代码
Q62702P0016
Q62702P3581
Q62702P0016S004
Q62702P3582
Q 62702P0016S005
Fotostrom
, E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950纳米，V
CE
= 5 V
光
I
PCE
（MA ）
> 0.8
1.25…4.0
2.0…4.0
> 2.0
> 3.2
努尔EINE的Gruppe在einer Verpackungseinheit （世赫“ Kennwerte ” ）在一个包装单位/只斌（见
“特性” ）
2007-04-02
1
BPX 43
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
μs
集电极电流浪涌
发射器 - Basisspannung
发射极 - 基极电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 … + 125
50
50
200
7
220
450
统一性
单位
°C
V
mA
mA
V
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
合计
R
thJA
2007-04-02
2
BPX 43
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
作者= 10％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Halbwinkel
半角
Fotostrom DER Kollektor个基本Fotodiode
集电极 - 基极二极管的光电流
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
V
CB
= 5 V
Kapazitt
电容
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 25 V,
E
= 0
符号
符号
λ
s最大
λ
邂逅相遇，
价值
880
450 … 1100
统一性
单位
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
0.675
1
×
1
±
15
mm
2
mm
×
mm
毕业生
度。
I
PCB
I
PCB
11
35
μA
μA
C
CE
C
CB
C
EB
I
首席执行官
23
39
47
20 (≤ 100)
pF
pF
pF
nA
2007-04-02
3
BPX 43
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen Ziffern
gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨由分组
阿拉伯的数字。
bezeichnung
参数
符号
符号
-2
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
I
PCE
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor发射极 - Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
Stromverstrkung
电流增益
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
邂逅相遇，
价值
-3
-4
-5
统一性
单位
0.8 …1.6 1.25 …2.5 2.0…4.0
≥
3.2
3.8
6.0
9.5
15.0
9
12
15
18
mA
mA
μs
t
r
,
t
f
V
CESAT
200
220
240
260
mV
I
PCE
-----------
-
I
PCB
110
170
270
430
–
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe 。
I
PCEmin
是分钟。光电流在指定组的。
2007-04-02
4
QQ：2880707522 复制
