BPX 38
NPN - Silizium - Fototransistor
硅NPN光电晶体管
BPX 38
集体中毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有说明
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich ·冯· 450双波长1120nm的
q
霍厄Linearitt
q
Hermetisch dichte Metallbauform （TO- 18）的
麻省理工学院Basisanschluβ ， geeignet双125
°C
1)
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
q
特别适合于从应用程序
450纳米至1120纳米
q
高线性度
q
密封金属封装（ TO- 18 ）
与基地连接，适合高达125
°C
1)
q
可在组
应用
q
光中断
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
典型值
TYPE
BPX 38
BPX 38-2
BPX 38-3
BPX 38-4
BPX 38-5
1)
1)
1)
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P15
Q62702-P15-S2
Q62702-P15-S3
Q62702-P15-S4
Q 62702 - P15 -S5
EINE Lieferung在dieser的Gruppe卡恩Wegen酒店Ausbeuteschwankungen - 编者音麦sichergestellt werden 。
在diesem秋季世界投资报告behalten UNS死Lieferung einer Ersatzgruppe VOR 。
用品出这组不能总是由于产量的不可预见的传播保证。在这种情况下，我们
会预留我们提供的替代组的右侧。
半导体集团
217
10.95
fmo06018
BPX 38
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur贝Tauchltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
5 s
浸焊温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
5 s
Lttemperatur贝Kolbenltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
3 s
烙铁焊接温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
3 s
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
发射器 - Basisspannung
发射极 - 基极电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 125
260
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
合计
R
thJA
50
50
200
7
220
450
V
mA
mA
V
mW
K / W
半导体集团
218
BPX 38
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Fotostrom DER Kollektor个基本Fotodiode
集电极 - 基极二极管的光电流
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
V
CB
= 5 V
Kapazitt
电容
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 25 V,
E
= 0
符号
符号
λ
s最大
λ
邂逅相遇，
价值
880
450 ... 1120
统一性
单位
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
0.675
1
×
1
2.05 ... 2.35
mm
2
mm
×
mm
mm
±
40
毕业生
度。
I
PCB
I
PCB
1.8
5.5
A
A
C
CE
C
CB
C
EB
I
首席执行官
23
39
47
20 (≤ 300)
pF
pF
pF
nA
半导体集团
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BPX 38
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen
Ziffern gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨的分组
由阿拉伯的数字。
bezeichnung
描述
符号
符号
-2
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
I
PCE
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor发射极 - Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
Stromverstrkung
电流增益
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
邂逅相遇，
价值
-3
-4
-5
Einh 。
单位
0.2 ... 0.4 0.32 ... 0.63 0.5 ... 1.0
≥
0.8毫安
0.95
1.5
2.3
3.6毫安
9
12
15
18
s
t
r
,
t
f
V
CESAT
200
200
200
200
mV
I
PCE
I
PCB
170
280
420
650
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe
I
PCEmin
是分钟。指定的组的光电流
半导体集团
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