BPW85
威世德律风根
硅NPN光电晶体管
描述
BPW85是一种高速，高灵敏度的硅NPN
在一个标准的T-1外延平面光电晶体管（直径3
毫米）塑料封装。由于其waterclear环氧树脂的
装置是可见光和近红外辐射敏感
通报BULLETIN 。
的视场角
±
25
°
使其昏迷到雄心
耳鼻喉科杂散光。
特点
D
D
D
D
D
D
D
快速的响应时间
高感光度照片
标准T - 1 （直径3毫米），透明的塑料包装
轴流式接线端子
半灵敏度角
=
±
25
°
适用于可见光和近红外辐射
选入组的灵敏度
94 8396
应用
探测器在电子控制和驱动电路
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
70
5
50
100
100
100
–55...+100
260
450
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
T
AMB
55
°
C
x
x
t
x
3秒，2个毫米的情况下
文档编号81531
第3版， 16 -NOV- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
BPW85
威世德律风根
硅NPN光电晶体管
描述
BPW85是一种高速，高灵敏度的硅NPN
在一个标准的T-1外延平面光电晶体管（直径3
毫米）塑料封装。由于其waterclear环氧树脂的
装置是可见光和近红外辐射敏感
通报BULLETIN 。
的视场角
±
25
°
使其昏迷到雄心
耳鼻喉科杂散光。
特点
D
D
D
D
D
D
D
快速的响应时间
高感光度照片
标准T - 1 （直径3毫米），透明的塑料包装
轴流式接线端子
半灵敏度角
=
±
25
°
适用于可见光和近红外辐射
选入组的灵敏度
94 8396
应用
探测器在电子控制和驱动电路
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
70
5
50
100
100
100
–55...+100
260
450
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
T
AMB
55
°
C
x
x
t
x
3秒，2个毫米的情况下
文档编号81531
第3版， 16 -NOV- 99
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BPW85A ， BPW85B ， BPW85C
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
特点
包装类型：含铅
包装形式： T- 1
尺寸（单位：mm） ： 3
高感光度照片
高辐射敏感性
适用于可见光和近红外辐射
20815
快速的响应时间
半灵敏度角度：
= ± 25°
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
描述
BPW85是硅NPN晶体管具有高辐射
清晰，T - 1塑料封装的灵敏度。它是对敏感
可见光和近红外辐射。
应用
检测器的电子控制和驱动电路
产品概述
部件
BPW85A
BPW85B
BPW85C
记
测试条件见表“基本特征”
I
ca
（MA ）
为0.8 2.5
1.5 4中
3至8个
（度）
± 25
± 25
± 25
λ
0.1
（纳米）
450 1080
450 1080
450 1080
订购信息
订购代码
BPW85A
BPW85B
BPW85C
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
体积
体积
备注
最小起订量： 5000件， 5000件/散装
最小起订量： 5000件， 5000件/散装
最小起订量： 5000件， 5000件/散装
包装形式
T-1
T-1
T-1
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
t
≤
3秒，2个毫米的情况下
跟铜导线
0.14
mm
2
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
55 °C
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
70
5
50
100
100
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
450
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
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414
如有技术问题，请联系： detectortechsupport@vishay.com
文档编号： 81531
修订版1.8 ， 05 09月08
BPW85A ， BPW85B ， BPW85C
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
威世半导体
125
P
V
- 功耗（MW ）
100
75
R
thJA
= 450 K / W
50
25
0
0
94
8308
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
参数
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
集电极 - 发射极饱和电压
开启时间
打开-O FF时间
截止频率
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950纳米，
I
C
- 0.1毫安
测试条件
I
C
= 1毫安
V
CE
= 20 V ， E = 0
V
CE
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
符号
V
（ BR ） CEO
I
首席执行官
C
首席执行官
λ
p
λ
0.1
V
CESAT
t
on
t
关闭
f
c
2.0
2.3
180
分钟。
70
1
3
± 25
850
450 1080
0.3
200
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
pF
度
nm
nm
V
s
s
千赫
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω
专用型特点
参数
收藏家光电流
测试条件
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，
V
CE
= 5 V
部分
BPW85A
BPW85B
BPW85C
符号
I
ca
I
ca
I
ca
分钟。
0.8
1.5
3.0
典型值。
马克斯。
2.5
4.0
8.0
单位
mA
mA
mA
文档编号： 81531
修订版1.8 ， 05 09月08
如有技术问题，请联系： detectortechsupport@vishay.com
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BPW85A ， BPW85B ， BPW85C
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
4
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
10
λ
1
BPW
85
A
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
10
3
0.5毫瓦/平方厘米
2
0.2毫瓦/平方厘米
2
0.1毫瓦/平方厘米
2
V
CE
= 20
V
10
2
0.1
0.05毫瓦/平方厘米
2
10
1
10
94
8304
20
40
60
80
100
0.01
0.1
94
8275
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
100
1
10
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 2 - 集电极暗电流与环境温度
图。 5 - 集电极光电流与集电极发射极电压
2.0
10
I
CA REL
- 相对集电极电流
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
V
CE
= 5
V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
BPW
85
B
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
1
0.2毫瓦/平方厘米
2
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
0.1
λ
= 950 nm的
0.01
0.1
1
10
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
100
94
8239
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
94
8276
图。 3 - 相对集电极电流与环境温度
图。 6 - 集电极光电流与集电极发射极电压
10
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
10
BPW85B
1
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
1
0.2毫瓦/平方厘米
2
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
0.1
BPW85C
BPW85A
0.1
0.01
0.01
94
8271
V
CE
= 5
V
λ
= 950 nm的
0.1
1
10
0.01
0.1
94
8277
BPW
85
C
λ
= 950 nm的
100
1
10
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米）
图。 4 - 集电极光电流与光强
图。 7 - 集电极光电流与集电极发射极电压
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416
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修订版1.8 ， 05 09月08
BPW85A ， BPW85B ， BPW85C
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
威世半导体
C
首席执行官
- 集电极发射极电容（pF ）
10
F = 1 MHz的
8
S
REL
- 相对辐射灵敏度
0°
10°
20°
30°
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
6
4
2
0
0.1
1
10
100
94
8295
94
8294
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 8 - 集电极发射极电容与
集电极 - 发射极电压
图。 11 - 相对辐射灵敏度与角位移
8
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
6
V
CE
= 5
V
R
L
= 100
Ω
λ
= 950 nm的
4
t
关闭
2
t
on
0
0
2
4
6
8
10
12
14
94
8293
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 9 - 导通/关断时间与集电极电流
S (λ)
REL
- 相对光谱灵敏度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
400
600
800
1000
λ
-
波长
（纳米）
94
8348
图。 10 - 相对光谱灵敏度与波长
文档编号： 81531
修订版1.8 ， 05 09月08
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417
- 角位移
BPW85A ， BPW85B ， BPW85C
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
包装尺寸
以毫米为单位
96 12190
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