BPW77N
威世德律风根
硅NPN光电晶体管
描述
BPW77N是一个非常高的灵敏度NPN硅外延
在一个标准的TO -18 hermeti-平面光电晶体管
美云密封的金属外壳。
它的玻璃镜片为特色的视角
±10
°
品牌
它没有知觉到环境杂散光。
一个基本的终端,以便使偏置和森
敏度的控制。
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
密封情况
镜头窗
窄视角
=
±
10
°
确切的中心对齐芯片
提供基极
高感光度照片
适用于可见光和近红外辐射
选入组的灵敏度
94 8486
应用
探测器在电子控制和驱动电路
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
热阻结/外壳
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
T
sd
R
thJA
R
thJC
价值
80
70
5
50
100
250
125
–55...+125
260
400
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
K / W
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
T
AMB
25
°
C
x
x
t
x
5s
文档编号81527
第2版, 20日, 99
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FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
BPW77NA , BPW77NB
威世半导体
硅NPN光电晶体管,符合RoHS
特点
包装类型:含铅
封装形式: TO- 18
尺寸(单位:mm) : 4.7
高感光度照片
高辐射敏感性
适用于可见光和近红外辐射
94
8401
快速的响应时间
半灵敏度角度:
= ± 10°
基本的终端连接
描述
BPW77是硅NPN晶体管具有高辐射
在气密密封的敏感性TO- 18封装基地
终端和玻璃镜片。它是对可见光和近敏感
红外辐射。
密封包装
铅(Pb )按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
应用
检测器的电子控制和驱动电路
产品概述
部件
BPW77NA
BPW77NB
记
测试条件见表“基本特征”
I
ca
(MA )
7.5至15
& GT ; 10
(度)
± 10
± 10
λ
0.1
(纳米)
450 1080
450 1080
订购信息
订购代码
BPW77NA
BPW77NB
记
最小起订量:最小起订量
包装
体积
体积
备注
最小起订量: 1000件, 1000件/散装
最小起订量: 1000件, 1000件/散装
包装形式
TO-18
TO-18
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
热阻结/ GASE
记
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
t
≤
5s
跟铜线, 0.14毫米
2
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25 °C
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
R
thJC
价值
80
70
5
50
100
250
125
- 40至+ 125
- 40至+ 125
260
400
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
K / W
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修订版1.5 , 08 09月08
BPW77NA , BPW77NB
硅NPN光电晶体管,符合RoHS
威世半导体
800
P
合计
- 总功率耗散( mW)的
600
R
thJC
400
200
R
thJA
0
0
25
50
75
100
125
150
94
8342
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
参数
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
集电极 - 发射极饱和电压
开启时间
打开-O FF时间
截止频率
记
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米,
I
C
= 1毫安
V
S
= 5 V,I
C
= 5毫安,R
L
= 100
Ω
V
S
= 5 V,I
C
= 5毫安,R
L
= 100
Ω
V
S
= 5 V,I
C
= 5毫安,R
L
= 100
Ω
测试条件
I
C
= 1毫安
V
CE
= 20 V , E = 0
V
CE
= 5 V , F = 1MHz时, E = 0
符号
V
( BR ) CEO
I
首席执行官
C
首席执行官
λ
p
λ
0.1
V
CESAT
t
on
t
关闭
f
c
分钟。
70
1
6
± 10
850
450 1080
0.15
6
5
110
0.3
100
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
pF
度
nm
nm
V
s
s
千赫
专用型特点
参数
收藏家光电流
测试条件
部分
符号
I
ca
I
ca
分钟。
7.5
10
典型值。
马克斯。
15
单位
mA
mA
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米, BPW77NA
V
CE
= 5 V
BPW77NB
基本特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
10
6
I
首席执行官
- 集电极暗电流( NA)
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
20
94
8343
2.50
I
CA REL
- 相对集电极电流
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
0
V
CE
= 5V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
V
CE
= 20
V
E=0
50
100
150
94
8344
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
AMB
- 环境温度( ° C)
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图。 2 - 集电极暗电流与环境温度
文档编号: 81527
修订版1.5 , 08 09月08
图。 3 - 相对集电极电流与环境温度
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威世半导体
硅NPN光电晶体管,符合RoHS
100
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间(μs )
I
ca
- 集电极灯电流(mA )
BPW77NB
10
12
10
8
6
t
on
V
CE
= 5
V
R
L
= 100
Ω
λ
= 950 nm的
1
BPW77NA
4
2
0
t
关闭
0.1
V
CE
= 5
V
λ
= 950 nm的
0.01
0.01
0.1
1
10
0
4
8
12
16
94
8349
E
e
- 辐射(毫瓦/平方厘米
2
)
94
8253
I
C
- 集电极电流(毫安)
图。 4 - 集电极光电流与光强
图。 7 - 导通/关断时间与集电极电流
10
I
ca
- 集电极灯电流(mA )
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
0.5
0.2毫瓦/平方厘米
2
毫瓦/平方厘米
2
S (λ)
REL
- 相对光谱灵敏度
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
400
600
800
1000
λ
-
波长
(纳米)
1
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
0.02毫瓦/平方厘米
2
0.1
0.1
1
10
94
8350
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
94
8348
图。 5 - 集电极光电流与集电极发射极电压
图。 8 - 相对光谱灵敏度与波长
C
首席执行官
- 集电极Ermitter电容(pF )
20
0°
10°
20°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
16
F = 1 MHz的
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
12
8
4
0
0.1
1
10
100
0.6
94
8351
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
94
8247
V
CE
- 集电极Ermitter
电压
(V)
图。 6 - 集电极发射极电容集电极与发射极电压
图。 9 - 相对辐射灵敏度与角位移
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硅NPN光电晶体管,符合RoHS
威世半导体
包装尺寸
以毫米为单位
B
E
C
4.69
芯片位置
(2.5)
6.15
± 0.25
+ 0.02
- 0.07
0.45
+ 0.02
- 0.05
13.2
± 0.7
5.5
± 0.15
2.54喃。
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
镜头
± 0.05
水彩编号: 6.503-5023.01-4
问题: 1 ; 96年7月1日
96 12180
4
文档编号: 81527
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日前,Vishay
放弃
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应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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BPW77N
威世德律风根
硅NPN光电晶体管
描述
BPW77N是一个非常高的灵敏度NPN硅外延
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美云密封的金属外壳。
它的玻璃镜片为特色的视角
±10
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敏度的控制。
特点
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D
D
D
D
D
D
D
密封情况
镜头窗
窄视角
=
±
10
°
确切的中心对齐芯片
提供基极
高感光度照片
适用于可见光和近红外辐射
选入组的灵敏度
94 8486
应用
探测器在电子控制和驱动电路
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
热阻结/外壳
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
T
sd
R
thJA
R
thJC
价值
80
70
5
50
100
250
125
–55...+125
260
400
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
K / W
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
T
AMB
25
°
C
x
x
t
x
5s
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第2版, 20日, 99
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