Silizium - PIN- Fotodiode
NEU ：在SMT UND阿尔斯反鸥翼
硅PIN光电二极管
新：在SMT和作为反鸥翼
5.4
4.9
4.5
4.3
BPW 34
BPW 34号
BPW 34 S（ E9087 ）
feo06643
0.6
0.4
1.2
0.7
0.8
0.6
正极标志
4.0
3.7
芯片位置
0.6
0.4
0.8
0.6
0.5
0.3
0.35
0.2
0.6
0.4
0 ... 5
5.08 mm
间距
感光面积
2.65毫米X 2.65毫米
GEO06643
3.5
3.0
0.6
0.4
2.2
1.9
BPW 34
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen
IM Bereich冯400纳米双1100纳米
q
Kurze Schaltzeit （典型值20 ns的）
q
DIL - Plastikbauform MIT达赫
Packungsdichte
q
BPW 34 S / （ E9087 ） ： geeignet献给
气相洛滕UND红外回流焊
洛滕（ JEDEC 4级）
Anwendungen
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
IR- Fernsteuerungen
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
1.8
1.4
约。重量0.1克
特点
q
特别适合于从应用程序
400纳米至1100纳米
q
短的切换时间（典型值20 ns的）
q
DIL塑料封装的高包装
密度
q
BPW 34 S / （ E9087 ） ：适用于
气相和红外回流焊接
（ JEDEC 4级）
应用
q
光中断
q
红外遥控器
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
半导体集团
1
1998-08-27
BPW 34 ， BPW 34号
BPW 34 S（ E9087 ）
芯片位置
0...0.1
1.2
1.1
0.3
1.1
0.9
0.2
0.1
6.7
6.2
4.5
4.3
1.8
±0.2
0.9
0.7
4.0
3.7
1.7
1.5
0...5
BPW 34号
感光面积
2.65毫米X 2.65毫米
阴极引线
GEO06863
芯片位置
0...0.1
1.2
1.1
0.3
1.1
0.9
0.2
0.1
6.7
6.2
4.5
4.3
1.8
±0.2
0.9
0.7
1.7
1.5
0...5
GEO06916
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
典型值
TYPE
BPW 34
BPW 34号
BPW 34 S（ E9087 ）
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P73
Q62702-P1602
Q62702-P1790
半导体集团
2
1998-08-27
BPW34S
感光面积
2.65毫米X 2.65毫米
阴极引线
4.0
3.7
BPW 34 S（ E9087 ）
feo06862
BPW 34 ， BPW 34号
BPW 34 S（ E9087 ）
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 85
32
150
统一性
单位
°C
V
mW
T
op
;
T
英镑
V
R
P
合计
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A，
T
= 2856 K)
特征
(
T
A
= 25
°C,
标准光源A，
T
= 2856 K)
bezeichnung
描述
Fotoempfindlichkeit ，
V
R
= 5 V
光谱灵敏度
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen
flche
辐射敏感区尺寸
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ，
V
R
= 10 V
暗电流
Spektrale Fotoempfindlichkeit ，
λ
= 850 nm的
光谱灵敏度
Quantenausbeute ，
λ
= 850 nm的
量子产率
Leerlaufspannung ，
E
v
= 1000九
开路电压
符号
符号
邂逅相遇，
价值
80 (≥ 50)
850
400 ... 1100
统一性
单位
NA /九
nm
nm
S
λ
s最大
λ
A
L
×
B
L
×
W
7.00
2.65
×
2.65
mm
2
mm
×
mm
±
60
2 (≤ 30)
0.62
0.90
365 (≥ 300)
毕业生
度。
nA
/ W
电子
光子
mV
I
R
S
λ
η
V
O
半导体集团
3
1998-08-27
BPW 34 ， BPW 34号
BPW 34 S（ E9087 ）
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A，
T
= 2856 K)
特征
(
T
A
= 25
°C,
标准光源A，
T
= 2856 K） （续）
bezeichnung
描述
Kurzschluβstrom ，
E
v
= 1000九
短路电流
Anstiegs- UND Abfallzeit宫Fotostromes
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 800
A
Durchlaspannung ，
I
F
= 100毫安，
E
= 0
正向电压
Kapazitt ，
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
Temperaturkoeffizient冯
I
SC
温度COEF网络cient
I
SC
Rauschquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm的
Nachweisgrenze ，
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm的
检出限
符号
符号
邂逅相遇，
价值
80
20
统一性
单位
A
ns
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
72
– 2.6
0.18
4.1
×
10
– 14
V
pF
毫伏/ K
%/K
W
√Hz的
厘米“
√Hz的
W
D*
6.6
×
10
12
半导体集团
4
1998-08-27
BPW 34 ， BPW 34号
BPW 34 S（ E9087 ）
相对光谱灵敏度
S
REL
=
f
(λ)
100
OHF00078
光
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
开路电压
V
O
=
f
(E
v
)
Ι
P
10
3
A
OHF01066
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
10
4
mV
160
mW
P
合计
140
120
100
OHF00958
S
REL
%
80
V
10
3
10
2
V
O
60
10
1
40
Ι
P
10
2
80
60
10
0
20
10
1
40
20
0
400 500 600 700 800 900nm的1100
λ
10
-1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
LX 10
4
0
0
20
40
60
E
V
80 C 100
T
A
暗电流
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
4000
OHF00080
电容
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz时，
E
= 0
100
OHF00081
暗电流
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
10
3
OHF00082
Ι
R
pA
C
pF
80
Ι
R
nA
10
2
3000
70
60
2000
50
40
30
10
1
1000
10
0
20
10
0
0
5
10
15
V
V
R
20
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
10
-1
0
20
40
60
V
R
80 C 100
T
A
方向特性
S
REL
=
f
()
40
30
20
10
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
半导体集团
5
1998-08-27
QQ：2881677436 复制
