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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第42页 > BPV22F
BPV22F
威世德律风根
硅PIN光电二极管
描述
BPV22F是一个高速和高灵敏度的PIN光电
具有球形侧二极管中的塑料包装
视图镜头。环氧封装本身是一个红外滤光片,光谱
trally匹配砷化镓或砷化镓/砷化镓铝红外线发射器
(
l
p
= 950纳米)。
镜头半径和芯片位置完美匹配
芯片尺寸,从而不会compro-高灵敏度
mising视角。
与扁平封装球面镜片比较
包实现了80 %的灵敏度改善。
特点
D
D
D
D
D
D
大辐射敏感区( A = 7.5毫米
2
)
广视角
=
±
60
°
提高了灵敏度
快速的响应时间
塑料封装的IR滤镜
过滤器设计用于950纳米发射
94 8633
应用
红外遥控和自由的空气传输系统结合红外发射器二极管( TSU ...-或
TSI ...-系列) 。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
T
AMB
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
x
25
°
C
t
x
5s
文档编号81508
第2版, 20日, 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (5)
BPV22F
威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
串联电阻
开路电压
温度。 V系数
o
短路电流
反向光电流
温度。我系数
ra
绝对光谱灵敏度
y
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100
m
A,E = 0
V
R
= 10 V , E = 0
V
R
= 0 V , F = 1MHz时, E = 0
V
R
= 12 V , F = 1兆赫
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米,V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米,V
R
= 10 V
V
R
= 5 V,
l
= 870 nm的
V
R
= 5 V,
l
= 950 nm的
符号
V
F
V
( BR )
I
ro
C
D
R
S
V
o
TK
Vo
I
k
I
ra
TK
IRA
s(
l
)
s(
l
)
60
2
70
400
370
–2.6
75
80
0.1
0.35
0.6
±60
950
870...1050
90
4 x 10
–14
6x10
12
100
100
4
1
30
典型值
1
最大
1.3
单位
V
V
nA
pF
W
55
mV
毫伏/ K
m
A
m
A
%/K
/ W
/ W
nm
nm
%
W / Hz的√
cm√Hz /
W
ns
ns
兆赫
兆赫
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
量子效率
l
= 950 nm的
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
l
= 950 nm的
探测
V
R
= 10 V,
l
= 950 nm的
上升时间
下降时间
截止频率
V
R
= 10 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 820 nm的
V
R
= 10 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 820 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 870 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 950 nm的
l
p
l
0.5
h
t
r
t
f
f
c
f
c
NEP
D
*
www.vishay.de
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2 (5)
文档编号81508
第2版, 20日, 99
BPV22F
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明)
1000
I
ra
- 反向光电流(
m
A )
I
ro
- 反向暗电流( NA)
100
1毫瓦/厘米
2
l
=950nm
0.5毫瓦/平方厘米
2
0.2毫瓦/平方厘米
2
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
0.02毫瓦/平方厘米
2
100
10
10
V
R
=10V
1
20
40
60
80
100
1
0.1
94 8412
1
10
100
94 8403
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
R
- 反向电压( V)
图1.反向暗电流与环境温度
I
RA相对
- 相对反向光电流
1.4
图4.反向光电流与反向电压
80
C
D
- 二极管电容(pF )
E=0
f=1MHz
60
1.2
V
R
=5V
l
=950nm
1.0
40
0.8
20
0.6
0
94 8409
0
20
40
60
80
100
94 8407
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
R
- 反向电压( V)
图2.相对反向光电流与
环境温度
1000
I
ra
- 反向光电流(
m
A )
图5.二极管电容与反向电压
S (
l
)
REL
- 相对光谱灵敏度
10
94 8408
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
750
100
10
V
R
=5V
l
=950nm
1
0.1
0.01
94 8411
0.1
1
850
950
1050
1150
E
e
- 辐射(毫瓦/平方厘米
2
)
l
- 波长(nm )
图3.反向光电流与光强
图6.相对光谱灵敏度与波长
文档编号81508
第2版, 20日, 99
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3 (5)
BPV22F
威世德律风根
10
°
20
°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
94 8413
图7.相对辐射灵敏度对比
角位移
尺寸(mm)
95 11475
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4 (5)
文档编号81508
第2版, 20日, 99
BPV22F
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统,以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
文档编号81508
第2版, 20日, 99
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5 (5)
BPV22F
威世半导体
硅PIN光电二极管,符合RoHS
特点
包装类型:含铅
包装形式:侧视图
尺寸(单位:mm) : 4.5 ×5× 6
辐射敏感区(单位:mm
2
): 7.5
高辐射敏感性
日光阻断滤波器, 940 nm的匹配
发射器
94
8633
快速的响应时间
半灵敏度角度:
= ± 60°
铅(Pb )按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
描述
BPV22F是具有高速和高PIN光电二极管
在一个黑色的塑料封装,侧视图辐射敏感性
镜头和日光阻断滤波器。过滤器bandwdith匹配
900纳米到950纳米的红外线发射器。该镜头达到了80 %
在与扁平封装比较敏感的改善。
应用
红外辐射高速探测器
红外线遥控器和免费的无线数据传输
系统,例如与TSALxxxx系列结合IR
发射器
产品概述
部件
BPV22F
测试条件见表“基本特征”
I
ra
(A)
80
(度)
± 60
λ
0.5
(纳米)
870到1050
订购信息
订购代码
BPV22F
最小起订量:最小起订量
包装
体积
备注
最小起订量: 4000件, 4000件/散装
包装形式
SIDE VIEW
绝对最大额定值
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
t
5s
跟铜导线, 0.14
mm
2
T
AMB
25 °C
测试条件
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
350
单位
V
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
www.vishay.com
350
如有技术问题,请联系: detectortechsupport@vishay.com
文档编号: 81508
修订版1.5 , 08 09月08
BPV22F
硅PIN光电二极管,符合RoHS
威世半导体
基本特征
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
串联电阻
开路电压
V温度COEF网络cient
o
短路电流
反向光电流
我的温度系数
ra
绝对光谱灵敏度
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
量子效率
噪声等效功率
探测
上升时间
下降时间
截止频率
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
V
R
= 10 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 870 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1 kΩ,
λ
= 950 nm的
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100 μA , E = 0
V
R
= 10 V , E = 0
V
R
= 0 V , F = 1MHz时, E = 0
V
R
= 12 V , F = 1兆赫
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950 nm的
E
e
= 1
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
λ
= 950 nm的
符号
V
F
V
( BR )
I
ro
C
D
R
S
V
o
TK
Vo
I
k
I
ra
TK
IRA
s(λ)
s(λ)
55
60
2
70
400
370
- 2.6
75
80
0.1
0.35
0.6
± 60
950
870到1050
90
4x
6x
10
-14
10
12
30
分钟。
典型值。
1
马克斯。
1.3
单位
V
V
nA
pF
Ω
mV
毫伏/ K
A
A
%/K
/ W
/ W
nm
nm
%
W / Hz的√
cm√Hz / W
ns
ns
兆赫
兆赫
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米,
V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米,
V
R
= 10 V
V
R
= 5 V,
λ
= 870 nm的
V
R
= 5 V,
λ
= 950 nm的
λ
p
λ
0.5
η
NEP
D*
t
r
t
f
f
c
f
c
100
100
4
1
基本特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
I
RA相对
- 相对反向光电流
1000
I
ro
- 反向暗电流( NA)
1.4
1.2
100
V
R
= 5
V
λ
= 950 nm的
1.0
10
0.8
V
R
= 10
V
1
20
40
60
80
100
0.6
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度( ° C)
94
8403
T
AMB
- 环境温度( ° C)
94
8409
图。 1 - 反向暗电流与环境温度
图。 2 - 相对反向光电流与环境温度
文档编号: 81508
修订版1.5 , 08 09月08
如有技术问题,请联系: detectortechsupport@vishay.com
www.vishay.com
351
BPV22F
威世半导体
硅PIN光电二极管,符合RoHS
S ( )
REL
- 相对光谱灵敏度
1000
I
ra
- 反向光电流( μA )
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
750
100
10
V
R
= 5
V
λ
= 950 nm的
1
0.1
0.01
94
8411
0.1
1
2
10
850
950
1050
1150
E
e
- 辐照度(毫瓦/平方厘米)
94
8408
-
波长
(纳米)
图。 3 - 反向光电流与光强
图。 6 - 相对光谱灵敏度与波长
100
I
ra
- 反向光电流( μA )
1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
0.5毫瓦/平方厘米
2
0.2毫瓦/平方厘米
2
0.1毫瓦/平方厘米
2
10
°
20
°
30°
- 角位移
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
10
0.05毫瓦/平方厘米
2
1
0.1
94
8412
0.02毫瓦/平方厘米
2
1
10
100
94
8413
0.6
0.4
0.2
0
V
R
- 反向
电压
(V)
图。 4 - 反向光电流与反向电压
图。 7 - 相对辐射灵敏度与角位移
80
C
D
- 二极管电容(pF )
60
E=0
F = 1 MHz的
40
20
0
0.1
948407
1
10
100
V
R
- 反向
电压
(V)
图。 5 - 二极管电容与反向电压
www.vishay.com
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如有技术问题,请联系: detectortechsupport@vishay.com
文档编号: 81508
修订版1.5 , 08 09月08
BPV22F
硅PIN光电二极管,符合RoHS
威世半导体
包装尺寸
以毫米为单位
5
+ 0.1
- 0.3
3.2
± 0.15
± 0.2
4.5
± 0.2
(2.4)
2.5
< 0.7
± 0.3
6
± 0.3
18.8
± 0.5
8.6
2.25 (球)
0.65
+ 0.1
- 0.2
0.1
3.4
+ 0.3
-
地区没有飞机
A
C
0.45
+ 0.2
- 0.1
0.4
+ 0.15
2.54喃。
1.1
± 0.2
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
水彩编号: 6.544-5199.01-4
问题: 2 ; 01年6月19日
95 11475
文档编号: 81508
修订版1.5 , 08 09月08
如有技术问题,请联系: detectortechsupport@vishay.com
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353
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
BPV22F
威世德律风根
硅PIN光电二极管
描述
BPV22F是一个高速和高灵敏度的PIN光电
具有球形侧二极管中的塑料包装
视图镜头。环氧封装本身是一个红外滤光片,光谱
trally匹配砷化镓或砷化镓/砷化镓铝红外线发射器
(
l
p
= 950纳米)。
镜头半径和芯片位置完美匹配
芯片尺寸,从而不会compro-高灵敏度
mising视角。
与扁平封装球面镜片比较
包实现了80 %的灵敏度改善。
特点
D
D
D
D
D
D
大辐射敏感区( A = 7.5毫米
2
)
广视角
=
±
60
°
提高了灵敏度
快速的响应时间
塑料封装的IR滤镜
过滤器设计用于950纳米发射
94 8633
应用
红外遥控和自由的空气传输系统结合红外发射器二极管( TSU ...-或
TSI ...-系列) 。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
T
AMB
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
x
25
°
C
t
x
5s
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威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
串联电阻
开路电压
温度。 V系数
o
短路电流
反向光电流
温度。我系数
ra
绝对光谱灵敏度
y
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100
m
A,E = 0
V
R
= 10 V , E = 0
V
R
= 0 V , F = 1MHz时, E = 0
V
R
= 12 V , F = 1兆赫
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米,V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米,V
R
= 10 V
V
R
= 5 V,
l
= 870 nm的
V
R
= 5 V,
l
= 950 nm的
符号
V
F
V
( BR )
I
ro
C
D
R
S
V
o
TK
Vo
I
k
I
ra
TK
IRA
s(
l
)
s(
l
)
60
2
70
400
370
–2.6
75
80
0.1
0.35
0.6
±60
950
870...1050
90
4 x 10
–14
6x10
12
100
100
4
1
30
典型值
1
最大
1.3
单位
V
V
nA
pF
W
55
mV
毫伏/ K
m
A
m
A
%/K
/ W
/ W
nm
nm
%
W / Hz的√
cm√Hz /
W
ns
ns
兆赫
兆赫
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
量子效率
l
= 950 nm的
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
l
= 950 nm的
探测
V
R
= 10 V,
l
= 950 nm的
上升时间
下降时间
截止频率
V
R
= 10 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 820 nm的
V
R
= 10 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 820 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 870 nm的
V
R
= 12 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 950 nm的
l
p
l
0.5
h
t
r
t
f
f
c
f
c
NEP
D
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威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明)
1000
I
ra
- 反向光电流(
m
A )
I
ro
- 反向暗电流( NA)
100
1毫瓦/厘米
2
l
=950nm
0.5毫瓦/平方厘米
2
0.2毫瓦/平方厘米
2
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
0.02毫瓦/平方厘米
2
100
10
10
V
R
=10V
1
20
40
60
80
100
1
0.1
94 8412
1
10
100
94 8403
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
R
- 反向电压( V)
图1.反向暗电流与环境温度
I
RA相对
- 相对反向光电流
1.4
图4.反向光电流与反向电压
80
C
D
- 二极管电容(pF )
E=0
f=1MHz
60
1.2
V
R
=5V
l
=950nm
1.0
40
0.8
20
0.6
0
94 8409
0
20
40
60
80
100
94 8407
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
R
- 反向电压( V)
图2.相对反向光电流与
环境温度
1000
I
ra
- 反向光电流(
m
A )
图5.二极管电容与反向电压
S (
l
)
REL
- 相对光谱灵敏度
10
94 8408
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
750
100
10
V
R
=5V
l
=950nm
1
0.1
0.01
94 8411
0.1
1
850
950
1050
1150
E
e
- 辐射(毫瓦/平方厘米
2
)
l
- 波长(nm )
图3.反向光电流与光强
图6.相对光谱灵敏度与波长
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威世德律风根
10
°
20
°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
94 8413
图7.相对辐射灵敏度对比
角位移
尺寸(mm)
95 11475
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威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统,以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
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