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BPV20F
威世德律风根
硅PIN光电二极管
描述
BPV20F是一个高速和高灵敏度的PIN光电
带圆柱侧视图二极管在一个塑料封装
镜头。环氧封装本身是一个红外滤光片，光谱
匹配砷化镓或砷化镓/砷化镓铝红外线发射器
(
l
p
=950nm).
镜头半径和芯片位置完美匹配
芯片尺寸，从而不会compro-高灵敏度
mising视角。
与扁平封装柱面透镜比较
包达到了20％的灵敏度改善。
94 8387
特点
D
D
D
D
D
D
大辐射敏感区（ A = 7.5毫米
2
)
广视角
=
±
65
°
提高了灵敏度
快速的响应时间
TO- 92塑料封装的IR滤镜
过滤器设计用于950纳米发射
应用
红外遥控和自由的空气传输系统结合红外发射器二极管（ TSU ...-或
TSI ...-系列） 。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
T
AMB
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
x
25
°
C
t
x
5s
文档编号81506
第2版， 20日， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (6)
BPV20F
威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
串联电阻
开路电压
温度。 V系数
o
短路电流
反向光电流
温度。我系数
ra
绝对光谱灵敏度
y
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100
m
A，E = 0
V
R
= 10 V ， E = 0
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
V
R
= 12 V ， F = 1兆赫
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米，V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米，V
R
= 10 V
V
R
= 5 V,
l
= 870 nm的
V
R
= 5 V,
l
= 950 nm的
符号
V
F
V
（ BR ）
I
ro
C
D
R
S
V
o
TK
Vo
I
k
I
ra
TK
IRA
s(
l
)
s(
l
)
民
60
2
70
400
360
–2.6
55
60
0.1
0.35
0.6
±65
950
870...1050
90
4x10
–14
6x10
12
100
100
4
1
30
典型值
1
最大
1.3
单位
V
V
nA
pF
W
40
mV
毫伏/ K
m
A
m
A
%/K
/ W
/ W
度
nm
nm
%
W / Hz的√
cm√Hz /
W
ns
ns
兆赫
兆赫
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
量子效率
l
= 950 nm的
噪声等效功率
V
R
=10 V,
l
= 950 nm的
探测
V
R
=10 V,
l
= 950 nm的
上升时间
下降时间
截止频率
V
R
= 10 V ，R
L
=1 k
W
,
l
= 820 nm的
V
R
= 10 V ，R
L
=1 k
W
,
l
= 820 nm的
V
R
= 12 V ，R
L
=1 k
W
,
l
= 870 nm的
V
R
= 12 V ，R
L
=1 k
W
,
l
= 950 nm的
l
p
l
0.5
h
t
r
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f
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c
f
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D
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BPV20F
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
1000
I
ra
- 反向光电流（
m
A )
I
ro
- 反向暗电流（ NA）
100
1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
0.2毫瓦/平方厘米
2
10
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
l
=950nm
100
10
V
R
=10V
1
20
40
60
80
100
0.02毫瓦/平方厘米
2
1
0.1
94 8410
1
10
100
94 8403
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
R
- 反向电压（ V）
图1.反向暗电流与环境温度
I
RA相对
- 相对反向光电流
1.4
图4.反向光电流与反向电压
80
C
D
- 二极管电容（pF ）
E=0
f=1MHz
60
1.2
V
R
=5V
l
=950nm
1.0
40
0.8
20
0.6
0
94 8409
0
20
40
60
80
100
94 8407
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
R
- 反向电压（ V）
图2.相对反向光电流与
环境温度
1000
I
ra
- 反向光电流（
m
A )
图5.二极管电容与反向电压
S (
l
)
REL
- 相对光谱灵敏度
10
94 8408
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
750
100
10
1
V
R
=5V
l
=950nm
0.1
0.01
94 8404
0.1
1
850
950
1050
1150
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米
2
)
l
- 波长（nm ）
图3.反向光电流与光强
图6.相对光谱灵敏度与波长
文档编号81506
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BPV20F
威世德律风根
0°
10
°
20
°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
94 8406
图7.相对辐射灵敏度对比
角位移
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文档编号81506
第2版， 20日， 99
BPV20F
威世德律风根
尺寸（mm）
9612202
文档编号81506
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BPV20F
威世德律风根
硅PIN光电二极管
描述
BPV20F是一个高速和高灵敏度的PIN光电
带圆柱侧视图二极管在一个塑料封装
镜头。环氧封装本身是一个红外滤光片，光谱
匹配砷化镓或砷化镓/砷化镓铝红外线发射器
(
l
p
=950nm).
镜头半径和芯片位置完美匹配
芯片尺寸，从而不会compro-高灵敏度
mising视角。
与扁平封装柱面透镜比较
包达到了20％的灵敏度改善。
94 8387
特点
D
D
D
D
D
D
大辐射敏感区（ A = 7.5毫米
2
)
广视角
=
±
65
°
提高了灵敏度
快速的响应时间
TO- 92塑料封装的IR滤镜
过滤器设计用于950纳米发射
应用
红外遥控和自由的空气传输系统结合红外发射器二极管（ TSU ...-或
TSI ...-系列） 。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
测试条件
T
AMB
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
–55...+100
–55...+100
260
350
单位
V
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
x
25
°
C
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x
5s
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威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
串联电阻
开路电压
温度。 V系数
o
短路电流
反向光电流
温度。我系数
ra
绝对光谱灵敏度
y
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100
m
A，E = 0
V
R
= 10 V ， E = 0
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
V
R
= 12 V ， F = 1兆赫
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米，V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米，V
R
= 10 V
V
R
= 5 V,
l
= 870 nm的
V
R
= 5 V,
l
= 950 nm的
符号
V
F
V
（ BR ）
I
ro
C
D
R
S
V
o
TK
Vo
I
k
I
ra
TK
IRA
s(
l
)
s(
l
)
民
60
2
70
400
360
–2.6
55
60
0.1
0.35
0.6
±65
950
870...1050
90
4x10
–14
6x10
12
100
100
4
1
30
典型值
1
最大
1.3
单位
V
V
nA
pF
W
40
mV
毫伏/ K
m
A
m
A
%/K
/ W
/ W
度
nm
nm
%
W / Hz的√
cm√Hz /
W
ns
ns
兆赫
兆赫
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
量子效率
l
= 950 nm的
噪声等效功率
V
R
=10 V,
l
= 950 nm的
探测
V
R
=10 V,
l
= 950 nm的
上升时间
下降时间
截止频率
V
R
= 10 V ，R
L
=1 k
W
,
l
= 820 nm的
V
R
= 10 V ，R
L
=1 k
W
,
l
= 820 nm的
V
R
= 12 V ，R
L
=1 k
W
,
l
= 870 nm的
V
R
= 12 V ，R
L
=1 k
W
,
l
= 950 nm的
l
p
l
0.5
h
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r
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威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
1000
I
ra
- 反向光电流（
m
A )
I
ro
- 反向暗电流（ NA）
100
1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
0.2毫瓦/平方厘米
2
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0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
l
=950nm
100
10
V
R
=10V
1
20
40
60
80
100
0.02毫瓦/平方厘米
2
1
0.1
94 8410
1
10
100
94 8403
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
R
- 反向电压（ V）
图1.反向暗电流与环境温度
I
RA相对
- 相对反向光电流
1.4
图4.反向光电流与反向电压
80
C
D
- 二极管电容（pF ）
E=0
f=1MHz
60
1.2
V
R
=5V
l
=950nm
1.0
40
0.8
20
0.6
0
94 8409
0
20
40
60
80
100
94 8407
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
R
- 反向电压（ V）
图2.相对反向光电流与
环境温度
1000
I
ra
- 反向光电流（
m
A )
图5.二极管电容与反向电压
S (
l
)
REL
- 相对光谱灵敏度
10
94 8408
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
750
100
10
1
V
R
=5V
l
=950nm
0.1
0.01
94 8404
0.1
1
850
950
1050
1150
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米
2
)
l
- 波长（nm ）
图3.反向光电流与光强
图6.相对光谱灵敏度与波长
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威世德律风根
0°
10
°
20
°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
94 8406
图7.相对辐射灵敏度对比
角位移
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B41857A3337M00
BML231204
BMC0603HF-15NK
BA7288K
BLM15AG221SN1B
B65859-A200-C38
BCN4D68KJ7
B72590D0050H260
B3891
BD6607KN
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联系人：高小姐/李先生
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