【光电晶体管侧面看芯片光电流IC（上）（M A）@VCE=5VEE = 0.5MW /厘米2典型值。电】,IC型号BPT-NP03C1,BPT-NP03C1 PDF资料,BPT-NP03C1经销商,ic,电子元器件-51电子网

光电晶体管

侧面看

芯片

光电流

C（上）

（M A）

=5V

EE = 0.5MW /厘米

典型值。

电气&光学特性

饱和

武ltage

CE （SAT）

( V )

-0.1毫安

EE = 0.5MW /厘米

马克斯。

Breakdow

Voltag ê V

BR （C EO ）

(V)

-0.1毫安

ee值= 0毫瓦/平方厘米

分钟。

暗电流

（ N A ）

=10V

ee值= 0毫瓦/平方厘米

马克斯。

VIEWING

角

1/2

NU部分MBER

马泰人

波长

P（纳米）

镜头

科罗拉多州

BPT-NP03C1

BPT-NP13C1

BPT-NP23C1

硅光电晶体管

（ NPN ）

940(400-1100)

水

明确

0.50

0.45

0.50

100

BPT-NP03C2

BPT-NP13C2

BPT-NP23C2

硅光电晶体管

（ NPN ）

940(400-1100)

水

明确

0.65

0.45

0.65

0.50

100

AMERICAN BRIGHT

（ 909 ） 628-5050传真（ 909 ） 628-5006

2003美国的B正确光电子 orporation 。 S pecifications如有更改，恕不另行通知

W W瓦特一个M E ICA B R IG TLE 。合米

IR-13

应用

远程控制，

光电检测器，

烟雾探测器，

自动控制系统

光学编码器

集电极 - 发射极饱和压降VCE （ SAT ）。（IB =为100uA ） / IC = 2毫安

........................................................................................................

0.4V （最大）

发射极 - 集电极击穿电压（ BVeco ）

...............................................................................................................................................

5V （最大）

工作温度范围

........................................................................................................................................................................

( -45 ~+85 )

存储温度范围

..........................................................................................................................................................................

( -45 ~+100 )

引线焊接温度（ 1 / 16英寸的情况下）

............................................................................................................................................

（5秒250）

电气和辐射特性（Ta = 25

绝对

最大

等级

包

产品型号

VCEO

(V)

（ mW）的

收藏家光电流

（集成电路（ON））

镜头

外形

MIN 。 TYP 。

VCE

集热器

上升时间

暗电流

＆放大器;

（ ICEO ）

下降时间

马克斯。 VCE

(V)

（美国）

PEAK

VIEWING

WAVE

画角

长

2 1/2

号

（度）

（纳米）

绝对最大额定值（Ta = 25

)

（毫安）（MA ）（V ）

无色透明

黑

无色透明

黑

无色透明

黑

无色透明

黑

无色透明

黑

无色透明

黑

无色透明

0.5

1.0

1.5

0.8

1.2

1.7

0.5

2.0

3.0

4.0

3.0

4.0

5.0

1.5

2.5

3.5

5.0

PT-02

（毫瓦/平方厘米

）（ nA的）

100

5.00(.197)

BPT-BP0331

BPT-BP0931

T-1

BPT-BP1331

标准

1.0"铅BPT- BP1931

BPT-BP2331

BPT-BP2931

BPT-BP0314

BPT-BP0914

T-13/4

BPT-BP1314

标准

1.0"铅BPT- BP1914

BPT-BP2314

BPT-BP2914

BPT-NP03C1

一边查看

BPT-NP13C1

1.5*4.5*5.7

BPT-NP23C1

PT-01

3.00(.118)

100

PT-01

1.0

940

PT-02

100

PT-03

BPT-BPxx31

5.30(.209)

BPT-BPxx14

0.81(.032)

1.00(.039)

1.5 （ 0.059 ）最大。

8.62(.339)

阴极

25.4 （ 1.0 ） MIN 。

3.8(.15)

1.0(.04)

分钟。

FLAT为负极

1.5 （ 0.059 ）最大。

0.5 （ 0.02） SQ.TYP 。

1.0

0.1

(.04

.004)

19.80 （ 0.780 ） MIN 。

5.70(.224)

0.5 （ 0.02） SQ 。 TYP 。

FLAT为负极

1.00 （ 0.039 ） MIN 。

2.54 （ 0.10 ） NOM 。

2.54 （ .100 ） NOM 。

PT-03

4.5

0.1

(.177

.004)

BPT-NPx3C1

0.75R

1.5(.059)

0.1

1.30.1(.051)

5.7(.224)

0.3

15.0(.591)

E0.5

(.020)

16.5(.6.50)

2.54 （ .100 ） NOM 。

1.EMITTER

2.COLLECTOR

笔记

1.所有尺寸为毫米（英寸）。

2.Tolerance isA0.25mm （ 0.010 ）。

黄色石材公司。

886-2-28221522传真： 886-2-28202309

石黄

CORP 。规格如有变更，恕不另行通知。

www.ystone.com.tw

光电晶体管

侧面看

芯片

光电流

C（上）

（M A）

=5V

EE = 0.5MW /厘米

典型值。

电气&光学特性

饱和

武ltage

CE （SAT）

( V )

-0.1毫安

EE = 0.5MW /厘米

马克斯。

Breakdow

Voltag ê V

BR （C EO ）

(V)

-0.1毫安

ee值= 0毫瓦/平方厘米

分钟。

暗电流

（ N A ）

=10V

ee值= 0毫瓦/平方厘米

马克斯。

VIEWING

角

1/2

NU部分MBER

马泰人

波长

P（纳米）

镜头

科罗拉多州

BPT-NP03C1

BPT-NP13C1

BPT-NP23C1

硅光电晶体管

（ NPN ）

940(400-1100)

水

明确

0.50

0.45

0.50

100

BPT-NP03C2

BPT-NP13C2

BPT-NP23C2

硅光电晶体管

（ NPN ）

940(400-1100)

水

明确

0.65

0.45

0.65

0.50

100

AMERICAN BRIGHT

（ 909 ） 628-5050传真（ 909 ） 628-5006

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W W瓦特一个M E ICA B R IG TLE 。合米

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佰鸿电子股份有限公司。

自1981年以来

数据表

●

片

日期

2002.04.01

2003.04.04

2004.08.06

2004.10.20

设备号： BPT - NP03C1

初始发行

日期﹑ TOSL ﹑尺寸

格式片

1.0 1.0 1.0 1.0

1.1 1.1 1.1 1.0

2.0 2.0 2.0

2.1 2.0 2.0

特点

½鴻工業股½有限公司

佰鸿电子股份有限公司。

台北縣板橋市和平路

號

樓

3F 。，第19号，何平路，潘吃懊市

台北，台湾， R. C. O.

联系电话： 886-2-29591090

传真： 886-2-29547006 / 29558809

www.brtled.com 。

批准

抽屉

賈遠慶

肖美艷

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自1981年以来

BPT-NP03C1

副作用LOOK包装

PHOTOTRANSISTOR

●

特点

广泛的集电极电流。

高灵敏度。

低成本的塑料封装。

1.2(.047) 0.1

5.7(.224)

R0.76(.030)

1.52(.060)

4.4(.173)±0.1

1.5(.059)

●

包装尺寸：

4.镜头外观：无色透明。

5.本产品不含限制

物质，符合ROHS标准

16.5(0.650)

0.40(.160)

●

描述

在BPT - NP03C1是一个NPN硅光电晶体管

安装在带透镜，水的透明塑料包。

封装的透镜效应允许

50that验收半视角是

从光轴测量的半

微软幻灯片软件。

1.0(.04)MIN.

0.40(.160)

2.54 （ 0.10 ） NOM 。

1.Emitter

2.Collector

注意事项：

1.所有尺寸为毫米（英寸）。

2.Tolerance为±0.25mm （0.01 “），除非另有说明。

3.Lead间距的测量，其中，所述引线从封装

4.Specifications如有变更，恕不另行通知

●

绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

参数

功耗

集电极 - 发射极电压

发射极 - 集电极电压

工作温度

存储温度范围

引线焊接温度

最大额定值

100

-45℃~+85℃

-45℃~+100℃

单位

260 ℃ ，持续5秒

REV ： 2.1

3第1页

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●

电气特性

（ TA = 25℃除非另有说明）

参数

集电极 - 发射

击穿电压

发射极 - 集电极

击穿电压

集电极 - 发射

饱和电压

上升时间

下降时间

集电极暗电流

光电流

符号

（ BR ） CEO

（ BR ） ECO

CE （ SAT ）

C（ ON）

民

典型值

3.5

最大

0.5

100

单位

μS

测试条件

-0.1毫安

Ee=0mW/cm

= 0.1毫安夷= 0毫瓦/平方厘米

= 0.1毫安EE = 1.0MW /厘米

= 5V

=1K

F=100HZ

= 10V ê

= 0毫瓦/平方厘米

= 5V ê

=1.0mW/cm

●

典型的光 - 电特性曲线

（ UA）

10000

1000

图1暗电流VS.

环境温度

（ mW）的

120

100

功耗，Pd

图2功耗对比

环境温度

100

暗电流

0.1

0.01

60 80 100

环境温度

120 (°C)

-25

50 75 100

环境温度

125 (°C)

（美国）

图3的上升和下降时间 -

负载电阻

Vcc=5V

图4相对集电极电流比。

辐射

2.5

相对集电极电流

Vce=5V

F=100Hz

2.0

1.5

1.0

0.5

1.0

1.5

2.0 2.5

3.0（毫瓦/平方厘米）

上升和下降时间

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0 (K )

辐射

负载电阻

REV ： 2.1

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●

攻丝和包装规格（单位：mm ）

●

包装袋尺寸

注意事项：

每袋1,1000pcs ，每盒8Kpcs 。

2 ，所有尺寸的单位均为毫米（英寸）。

3 ，规格如有变更，恕不另行通知。

REV ： 2.1

第3页3

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BPT-NP03C1

光电晶体管规格

商品：光电晶体管

集电极电流斌限制（在1毫瓦/平方厘米

)

BIN码

最小（毫安）

1.440

2.552

3.192

3.640

4.280

5.632

MAX 。（MA ）

3.828

4.788

5.460

6.420

6.852

8.808