SFH 300
SFH 300 FA
.
PN- Silizium - Fototransistor
N
硅NPN光电晶体管
SFH 300
SFH 300 FA
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich冯420nm的双波长1130 （ SFH 300 ）
UND北880海里（ SFH 300 FA ）
q
霍厄Linearitt
q
5毫米- Plastikbauform IM LED - Gehuse
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
电脑Blitzlichtgerte
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
q
特别适合于从应用程序
420纳米至1130纳米（ SFH 300）和
880纳米（ SFH 300 FA ）
q
高线性度
q
5毫米LED封装胶
q
可在组
应用
q
电脑控制的闪烁
q
光中断
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
半导体集团
240
10.95
feof6652
feo06652
SFH 300
SFH 300 FA
典型值（ * vorher ）
类型（ *原）
SFH 300
（ * BP 103 B）
SFH 300-2
（* BP 103 B-2）
SFH 300-3
（* BP 103 B-3）
SFH 300-4
1)
（* BP 103 B-4）
1)
1)
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P1189
Q62702-P85-S2
Q62702-P85-S3
Q62702-P85-S4
典型值（ * vorher ）
类型（ *原）
SFH 300 FA
（ * BP 103 BF ）
SFH 300 FA- 2
（* BP 103的BF -2）的
SFH 300 FA- 3
（* BP 103 BF- 3）
SFH 300 FA- 4
（* BP 103 BF- 4）
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P1193
Q62702-P1192
Q62702-P1057
Q62702-P1058
EINE Lieferung在dieser的Gruppe卡恩Wegen酒店Ausbeuteschwankungen - 编者音麦sichergestellt werden 。
在diesem秋季世界投资报告behalten UNS死Lieferung einer Ersatzgruppe VOR 。
用品出这组不能总是由于产量的不可预见的传播保证。
在这种情况下，我们将保留我们提供的替代品组的右边。
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur贝Tauchltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
5 s
浸焊温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
5 s
Lttemperatur贝Kolbenltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
3 s
烙铁焊接温度
≥
2毫米距离
从外壳底部
t
≤
3 s
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
发射器 - Kollektorspannung
发射极 - 集电极电压
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
260
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EC
35
50
100
7
V
mA
mA
V
半导体集团
241
SFH 300
SFH 300 FA
Grenzwerte
最大额定值
（续）
bezeichnung
描述
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
200
375
统一性
单位
mW
K / W
P
合计
R
thJA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Kapazitt ，
V
EC
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 35 V,
E
= 0
符号
符号
SFH 300
λ
s最大
λ
850
邂逅相遇，
价值
SFH 300 FA
870
nm
统一性
单位
420 ... 1130 730 ... 1120纳米
A
L
×
B
L
×
W
H
0.12
0.5
×
0.5
4.1 ... 4.7
0.12
0.5
×
0.5
4.1 ... 4.7
mm
2
mm
×
mm
mm
±
25
6.5
5 (≤ 100)
±
25
6.5
5 (≤ 100)
毕业生
度。
pF
nA
C
CE
I
首席执行官
半导体集团
242
SFH 300
SFH 300 FA
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen
Ziffern gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨的分组
由阿拉伯的数字。
bezeichnung
描述
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 300 ：
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor发射极 - Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
1)
1)
符号
符号
-2
邂逅相遇，
价值
-3
-4
统一性
单位
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
0.63 ... 1.25
3.4
7.5
1 ... 2
5.4
10
≥
1.6
8.6
10
mA
mA
s
V
CESAT
130
140
150
mV
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe
I
PCEmin
是分钟。指定的组的光电流
半导体集团
243
BP 103 B
BP 103 BF
.
PN- Silizium - Fototransistor
N
NEU ： NPN - Silizium - Fototransistor MIT Tageslichtsperrfilter
硅NPN光电晶体管
新：硅NPN光电晶体管与日光过滤器
BP 103 B
BP 103 BF
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich冯420nm的双波长1130 （BP 103 B）
UND北880海里（ BP 103 BF ）
q
霍厄Linearitt
q
5毫米- Plastikbauform IM LED - Gehuse
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
电脑Blitzlichtgerte
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
q
特别适合于从应用程序
420纳米至1130纳米（ BP 103 B）和的
880纳米（ BP 103 BF ）
q
高线性度
q
5毫米LED封装胶
q
可在组
应用
q
电脑控制的闪烁
q
稳步光反射开关和
不同强度
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
半导体集团
204
BP 103 B
BP 103 BF
典型值（ * AB 4/95 ）
Bestellnummer
类型（ *为4/95 ）订购代码
BP 103 B- 2
（ * SFH 300-2 ）
BP 103 B-3的
（ * SFH 300-3 ）
BP 103 B-4中
1)
（ * SFH 300-4 ）
BP 103 BF- 2
（ * SFH 300 FA- 2 ）
BP 103 BF- 3
（ * SFH 300 FA- 3 ）
BP 103 BF- 4
（ * SFH 300 FA- 4 ）
1)
Gehuse
包
T1
3
/
4,
klares bzw.以Schwarzes环氧Gieβharz ， Lt-
spieβe IM 2.54 mm的光栅
(
1
/
10
“ ） ， Kollektorkennzei-
问： kürzerer Ltspieβ ，弗拉克很Gehuseboden
T1
3
/
4,
透明和黑色环氧树脂镜片，溶胶 -
德片2.54毫米（
1
/
10
“ ）引线间距，收藏家
标记：短焊料中的铅，持平于包装底部
Q62702-P85-S2
Q62702-P85-S3
Q62702-P85-S4
Q62702-P1192
Q62702-P1057
Q62702-P1058
Lieferung在dieser的Gruppe卡恩Wegen酒店Ausbeuteschwankungen - 编者音麦sichergestellt werden 。
在diesem秋季世界投资报告behalten UNS死Lieferung einer Ersatzgruppe VOR 。
1)
用品出这组不能总是由于产量的不可预见的传播保证。
在这种情况下，我们将保留我们提供的替代品组的右边。
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur贝Tauchltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
5s
浸焊温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
5s
Lttemperatur贝Kolbenltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
3s
烙铁焊接温度
≥
2毫米距离
从外壳底部
t
≤
3s
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
符号
符号
T
op
;
T
英镑
T
S
邂逅相遇，
价值
–55 ... +100
260
统一性
单位
o
C
o
C
T
S
300
o
C
V
CE
I
C
35
50
V
mA
半导体集团
205
BP 103 B
BP 103 BF
bezeichnung
描述
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
发射器 - Kollektorspannung
发射极 - 集电极电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
o
C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
I
CS
V
EC
P
合计
R
thJA
邂逅相遇，
价值
100
7
200
375
统一性
单位
mA
V
mW
K / W
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C,
λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
作者= 10％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Kapazitt ，
V
EC
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Dunkelstrom
暗电流
V
首席执行官
= 35 V,
E
= 0
符号
符号
λ
s最大
λ
邂逅相遇，
价值
BP 103 B
850
BP 103 BF
900
nm
统一性
单位
420 ... 1130 730 ... 1120纳米
A
L
x
B
L
x
W
H
0.12
0.5 x 0.5
4.1 ... 4.7
0.045
0.45 x 0.45
2.4 ... 2.8
mm
2
毫米×毫米
mm
C
CE
I
首席执行官
±
25
6.5
5 (≤100)
±
12
5.0
1 (≤200)
毕业生
度。
pF
nA
半导体集团
206
BP 103 B
BP 103 BF
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen
Ziffern gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨的分组
由阿拉伯的数字。
bezeichnung
描述
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor发射极 - Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
I
PCEmin1)
x 0.3,
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
1)
符号
符号
邂逅相遇，
价值
-2
-3
-4
统一性
单位
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
0.63 ... 1.25
3.4
7.5
1 ... 2
5.4
10
≥1.6
8.6
10
mA
mA
s
V
CESAT
130
140
150
mV
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe
1)
I
PCEmin
是分钟。指定的组的光电流
半导体集团
207
QQ：2880707522 复制
