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订购数量： ENA1923

BMS4003

三洋半导体

数据表

BMS4003

特点

N沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

导通电阻RDS （ ON） = 50米

（典型值）。

输入电容西塞=为680pF （典型值）

10V驱动器

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

雪崩能量（单脉冲） * 1

雪崩电流* 2

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

EAS

IAV

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

Tc=25°C

条件

评级

100

±30

2.0

150

--55到150

单位

°C

注意：

VDD = 60V ， L = 200

H， IAV = 15A （图1）

≤

200

H，单脉冲

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7525-002

10.0

3.5

3.2

4.5

2.8

产品&包装信息

包

： TO- 220ML （ LS ）

JEITA ， JEDEC

： SC - 67 ， SOT- 186A

最小包装数量： 100个/袋或50PCS /杂志。

记号

电气连接

16.0

7.2

MS4003

LOT号

3.6

1.6

1.2

14.0

0.75

1 2 3

0.7

1 ：门

2 ：排水

3 ：源

三洋： TO- 220ML （ LS ）

2.55

2.4

http://semicon.sanyo.com/en/network

21611QA TKIM TC- 00002572号A1923-1 / 5

BMS4003

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

TRR

QRR

IS = 18A ， VGS = 0V

看科幻G.3

IS = 18A ， VGS = 0V ，的di / dt = 100A / μs的

VDS = 60V ， VGS = 10V ， ID = 18A

见图2

VDS = 20V ， F = 1MHz的

条件

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 100V ， VGS = 0V

VGS = ± 30V ， VDS = 0V

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ，ID = 9A

ID = 9A ， VGS = 10V

评级

民

100

±100

7.8

680

130

11.4

4.1

3.8

0.9

114

1.2

典型值

最大

单位

μA

mΩ

图1雪崩电阻测试电路

图2开关时间测试电路

10V

VIN

VDD=60V

ID=9A

RL=6.7Ω

VDD

PW=10μs

D.C.≤1%

VOUT

≥50Ω

BMS4003

VIN

10V

50Ω

P.G

50Ω

BMS4003

图3反向恢复时间测试电路

VDD

BMS4003

MOSFET驱动器

第A1923-2 / 5

BMS4003

ID - VDS

Tc=25

ID - VGS

VDS=10V

漏极电流ID -

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

IT16318

Tc=7

--25

VGS=6V

漏极至源极电压VDS - V

160

RDS （ ON） - VGS

栅极 - 源极电压VGS - V

160

RDS （ ON） - 锝

IT16319

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

140

120

100

ID=9A

单脉冲

140

120

100

--50

Tc=75

V GS

=9A

V， I D

--25

IT16320

--25

100

125

150

栅极 - 源极电压VGS - V

100

1.0

0.1

5 7 1.0

5 7 10

- ID

外壳温度，TC -

100

IS - VSD

IT16321

正向转移导纳，

-- S

VDS=10V

VGS=0V

单脉冲

TC =

源出电流，是 - 个

Tc=7

0.2

0.4

0.6

0.1

0.01

0.8

1.0

1.2

IT16323

漏极电流ID -

1000

SW时间 - ID

5 7 100

IT16322

VDD=60V

VGS=10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

1000

西塞，科斯，的Crss - VDS

西塞

二极管的正向电压， VSD - V

--25

1.0

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

100

1.0

0.1

5 7 1.0

5 7 10

5 7 100

IT16324

科斯

TD （关闭）

100

TD （上）

CRSS

IT16325

漏极电流ID -

漏极至源极电压VDS - V

第A1923-3 / 5

BMS4003

VGS - 的Qg

VDS=60V

ID=18A

漏极电流ID -

栅极 - 源极电压VGS - V

IT16326

100

1.0

0.1

ASO

IDP = 72A （ PW≤10μs ）

ID=18A

ATI

操作

这个区域是

受限于RDS （ ON）。

0.01

0.1

Tc=25°C

单脉冲

5 7 1.0

5 7 10

总栅极电荷QG - 数控

2.5

PD - TA

漏极至源极电压VDS - V

PD - 锝

5 7 100

IT16327

允许功耗， PD - 含

2.0

1.5

1.0

0.5

100

120

140

160

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

120

EAS - TA

IT16328

外壳温度，TC -

°C

IT16329

雪崩能量降额因子 - ％

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT16330

第A1923-4 / 5

BMS4003

注意使用情况：由于BMS4003是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备

高电荷的物体。

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，

通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得

被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，

航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号

系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁

人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得

其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用

我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序

应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前

使用目的，我们的客户须自行负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并

不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该

客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估

独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的

产品或设备。

三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任

超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）

有限公司。本文描述或包含的产品。

三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有

半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障

或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给

上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，

采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但

不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及

结构设计。

倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为

在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要

从有关根据上述法律，当局出口许可证。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或

机械，包括影印和录音，或任何信息存储或检索系统，或

否则，没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。

任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化

产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的

三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。

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量产。

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党的它，是由于使用的技术信息和产品的知识产权

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该目录规定的2月， 2011年说明和信息，在此受

更改，恕不另行通知。

PS第A1923-5 / 5