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佰鸿电子股份有限公司。
自1981年以来
BM-10EG57ND
1.
2.
3.
4.
5.
6.
产品特点:
1.539英寸( 39.10毫米)矩阵的高度。
点大小3.0毫米。
低功耗的要求。
优秀的人物外观。
多态的可靠性。
多路驱动,列阴极融为一体。
和行阳极融为一体。
包装尺寸:
7.
8.
9.
多种颜色可选。
分类的发光强度。
可堆叠的垂直和水平方向。
1.
2.
说明:
在BM- 10EG57ND是a39.10mm ( 1.539" )
矩阵身高5 × 7点阵显示。
本产品采用HI- EFF红筹股和绿色
芯片, HI- EFF RED芯片制成
砷化镓上的GaP衬底,绿色芯片
从豁口的GaP衬底制成。
注意事项:
1.所有尺寸为毫米(英寸) 。
2.公差为±0.25mm ( 0.01" ),除非另有
指定的。
3.规格如有变更,恕不
通知。
3.
4.
该产品有一个黑色的脸,
白点。
本产品不含限制
物质,符合ROHS标准。
内部电路框图:
½鴻工業股½有限公司
http://www.brtled.com
1.0版本第1页3
佰鸿电子股份有限公司。
自1981年以来
BM-10EG57ND
绝对最大额定值( TA = 25 ℃ )
参数
功耗每点
正向电流每点
峰值正向电流每点
反向电压每点
工作温度
储存温度
焊接温度
( 16"分之1自体)
符号
Pd
I
F
I
FP
(责任1/10 , 1KHZ )
V
R
TOPR
TSTG
TSOL
HI- EFF RED
80
30
150
5
绿色
80
30
150
单位
mW
mA
mA
V
-
-
-
-40℃~80℃
-40℃~85℃
260 ℃ ,持续5秒
电气和光学特性(Ta = 25℃)
HI- EFF RED
参数
每点正向电压
发光强度每点
反向每点电流
峰值波长
主波长度
谱线半宽
符号条件
V
F
Iv
I
R
λp
λd
λ
I
F
=10mA
I
F
=10mA
V
R
=5V
I
F
=10mA
I
F
=10mA
I
F
=10mA
分钟。
-
-
-
-
626
-
典型值。
1.9
8.0
-
640
-
40
马克斯。
2.5
-
100
-
636
-
单位
V
MCD
A
nm
nm
nm
绿色
参数
每点正向电压
发光强度每点
反向每点电流
峰值波长
符号条件
V
F
Iv
I
R
I
F
=10mA
I
F
=10mA
V
R
=5V
分钟。
-
-
典型值。
2.1
8.0
-
马克斯。
2.5
-
单位
V
MCD
A
nm
nm
nm
主波长度
谱线半宽
½鴻工業股½有限公司
http://www.brtled.com
-
λp
I
F
=10mA
-
568
-
-
λd
I
F
=10mA
569
-
λ
I
F
=10mA
30
-
100
574
1.0版本第2页3
佰鸿电子股份有限公司。
自1981年以来
BM-10EG57ND
典型的光电特性曲线
( 25 ℃环境温度,除非另有说明)
1.0
图1相对辐射强度VS.波长
(G)
(E)
相对辐射强度
0.5
0
530
560
590
波长(nm )
620
650
680
710
(E)
(G)
相对发光强度
(@20mA)
3
4
5
50
图2正向电流与
正向电压
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
图3相对光
强度VS.
环境温度
正向电流(mA )
40
30
20
10
0
1
2
正向电压( V)
图4相对光
强度VS.
正向电流
0
-40
周围温度Ta (℃)
图5正向电流
降额曲线VS.
环境温度
-20
0
20
40
60
相对发光强度
(@20mA)
3.0
2.0
(G)
(E)
正向电流(mA )
1.0
½鴻工業股½有限公司
http://www.brtled.com
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
50
0.0
正向电流(mA )
周围温度Ta (℃)
20
40
60
80
100 120
1.0版本第3页3
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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