【BLY89CNPN硅射频功率晶体管描述：该ASI BLY89C主要设计对于VHF通信，高达175兆赫】,IC型号BLY89C,BLY89C PDF资料,BLY89C经销商,ic,电子元器件-51电子网

BLY89C

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI BLY89C

主要设计

对于VHF通信，高达175

兆赫。

包装样式0.380 4L螺柱

.112x45°

产品特点：

共发射极

= 6.0分贝在25瓦/ 175兆赫

Omnigold

金属化系统

最大额定值

CBO

首席执行官

EBO

DISS

英镑

6.0 A

36 V

18 V

4.0 V

73 W @ T

= 25 °C

-65℃ + 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

2.4 C / W

暗淡

＃ 8-32 UNC -2A

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

特征

符号

首席执行官

CES

EBO

CES

= 50毫安

= 25毫安

= 10毫安

= 18 V

= 5.0 V

= 15 V

= 25 °C

NONETEST

条件

最小典型最大

4.0

单位

---

= 2.5 A

F = 1.0 MHz的

OUT

= 25 W

F = 175 MHz的

130

= 12.5 V

6.0

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

1/1

分立半导体

数据表

BLY89C

甚高频功率晶体管

产品speci fi cation

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

描述

N-P - N型硅平面外延

晶体管用于在A级使用，

B和C的操作移动，工业

和军方发射了

13,5 V的标称电源电压

晶体管电阻稳定，

为保证承受严重

负载失配条件下用

到16,5 V.电源过压它有一个

8"分之3绞盘信封陶瓷

帽。所有引线被从分离

螺柱。

BLY89C

快速参考数据

R.F.性能达至T

= 25

°C

在未中和的共发射极B类电路

操作模式

C.W.

引脚配置

13,5

兆赫

175

>70

1,6

j1,4

210

j5,5

钉扎 - SOT120

针

描述

集热器

辐射源

BASE

辐射源

halfpage

手册， halfpage

MBB012

MSB056

Fig.1简化外形和符号。

产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全

安全规定， BeO的光盘不被损坏。

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

集电极 - 发射极电压（V

= 0)

峰值

集电极 - 发射极电压（开基）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流（平均值）

集电极电流（峰值） ; F

＆ GT ;

1兆赫

R.F.功耗（F

＆ GT ;

1 MHz时） ;牛逼

= 25

°C

CESM

首席执行官

EBO

C（ AV ）

最大

BLY89C

36 V

18 V

4 V

6 A

12 A

73 W

MGP864

手册， halfpage

MGP865

(A)

PRF

(W)

TH = 70

°C

TMB = 25

°C

ΙΙΙ

通过降容

0.38 W / K

ΙΙ

通过降容

0.29 W / K

VCE （ V）

TH（ ° C）

100

我连续直流手术

二连续射频手术

不匹配时III短时操作

图2直流飙升。

Fig.3

R.F.功耗; V

≤

16,5 V ; F

＆ GT ;

1兆赫。

热阻

（功耗20瓦;吨

= 79

°C,

即牛逼

= 70

°C)

从结点到安装基座（直流功耗）

从结点到安装基座（射频损耗）

从安装底座到散热片

日J- MB （ DC ）

日J- MB （ RF）

日MB -H

3,1 K / W

2,3 K / W

0.45 K / W

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

特征

= 25

°C

击穿电压

集电极 - 发射极电压

= 0; I

= 25毫安

集电极 - 发射极电压

开基;我

= 50毫安

发射极 - 基极电压

集电极开路;我

= 10毫安

集电极截止电流

= 0; V

= 18 V

瞬态能量

L = 25 mH的; F = 50赫兹

开基

= 1.5 V ;

= 33

直流电流增益

(1)

= 2.5 A; V

= 5 V

集电极 - 发射极饱和电压

(1)

= 7.5 A;我

= 1,5 A

跃迁频率

在f = 100 MHz的

(1)

= 2.5 A; V

= 13,5 V

= 7.5 A; V

= 13,5 V

集电极电容

在f = 1 MHz的

= I

= 0; V

= 15 V

反馈电容

在f = 1 MHz的

= 100毫安; V

= 15 V

集电极电容螺柱

记

脉冲条件下测得的1 ：吨

≤

200

s; δ ≤

0,02.

典型值

＆ LT ;

典型值

CESAT

典型值

1,7 V

典型值

为1080

＆ GT ;

CES

＆ LT ;

（ BR ） EBO

＆ GT ;

4 V

（ BR ） CEO

＆ GT ;

18 V

（ BR ） CES

＆ GT ;

36 V

BLY89C

10毫安

8毫秒

800兆赫

750兆赫

65 pF的

90 pF的

41 pF的

2 pF的

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

BLY89C

MGP866

手册， halfpage

MGP867

典型值是TJ = 25

°C

VCE = 13.5 V

手册， halfpage

200

IE = IE = 0

F = 1 MHz的

的hFE

（PF ）

100

典型值

IC （ A）

VCB （ V）

Fig.4

Fig.5

手册，全页宽

1000

MGP868

VCE = 13.5 V

典型值

F = 100 MHz的

TJ = 25

°C

（兆赫）

500

IC （ A）

Fig.6

1986年8月

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