【分立半导体数据表BLY87C甚高频功率晶体管产品speci fi cation在分离式半导体， SC】,IC型号BLY87C,BLY87C PDF资料,BLY87C经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

BLY87C

甚高频功率晶体管

产品speci fi cation

在分离式半导体， SC08a文件

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

描述

N-P - N型硅平面外延

晶体管用于在A级使用，

B和C的操作移动， H.F.和

v.h.f.发射机标称

13,5 V的电源电压

晶体管电阻稳定，

为保证承受严重

负载失配条件下用

电源过电压16.5 V.

它有一个8"分之3绞盘信封一个

陶瓷帽。所有的线索都隔离

从螺栓。

BLY87C

快速参考数据

R.F.性能达至T

= 25

°C

在未中和的共发射极B类电路

操作模式

C.W.

13,5

12,5

兆赫

175

＆ GT ;

典型值。

12,0

11,5

＆ GT ;

典型值。

2,2

j0,4

j28

引脚配置

钉扎 - SOT120

针

描述

集热器

辐射源

BASE

辐射源

halfpage

手册， halfpage

MBB012

MSB056

Fig.1简化外形和符号。

产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全

安全规定， BeO的光盘不被损坏。

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

集电极 - 发射极电压（V

= 0)

峰值

集电极 - 发射极电压（开基）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流（平均值）

集电极电流（峰值） ; F

＆ GT ;

1兆赫

R.F.功耗（F

＆ GT ;

1 MHz时） ;牛逼

= 25

°C

储存温度

工作结温

CESM

首席执行官

EBO

C（ AV ）

英镑

马克斯。

BLY87C

36 V

18 V

4 V

1,5 A

4,0 A

20 W

200

°C

150

°C

MGP820

手册， halfpage

MGP821

(A)

1.5

PRF

(W)

ΙΙΙ

ΙΙ

TH = 70

°C

TMB = 25

°C

减免0.12 W / K

为0.1W / K的

0.5

VCE （ V）

TH（ ° C）

100

我连续直流手术

二连续射频手术

不匹配时III短时操作

图2直流飙升。

Fig.3

R.F.功耗; V

≤

16,5 V;

＆ GT ;

1兆赫。

热阻

（损耗= 8 W ;吨

= 73,5

°C,

即牛逼

= 70

°C)

从结点到安装基座（直流功耗）

从结点到安装基座（射频损耗）

从安装底座到散热片

日J- MB （ DC ）

日J- MB （ RF）

日MB -H

10,7 K / W

8.6 K / W

0.45 K / W

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

特征

= 25

°C

集电极 - 发射极击穿电压

= 0; I

= 5毫安

集电极 - 发射极击穿电压

开基;我

= 25毫安

发射极 - 基极击穿电压

集电极开路;我

= 1毫安

集电极截止电流

= 0; V

= 18 V

二次击穿能量; L = 25 mH的; F = 50赫兹

开基

= 10

直流电流增益

(1)

= 0.75 A; V

= 5 V

集电极 - 发射极饱和电压

(1)

= 2 A;我

= 0,4 A

跃迁频率在f = 100 MHz的

(1)

= 0.75 A; V

= 13,5 V

= 2 A; V

= 13,5 V

集电极电容在f = 1 MHz的

= I

= 0; V

= 13,5 V

反馈电容在f = 1 MHz的

= 100毫安; V

= 13,5 V

集电极电容螺柱

记

脉冲条件下测得的1 ：吨

≤

200

s; δ ≤

0,02.

典型值。

CESAT

典型值。

SBO

丁苯橡胶

＆ GT ;

CES

＆ LT ;

（ BR ） EBO

＆ GT ;

（ BR ） CEO

＆ GT ;

（ BR ） CES

＆ GT ;

BLY87C

36 V

18 V

4 V

2毫安

0.5兆焦耳

10至100

0,85

950兆赫

850兆赫

16,5 pF的

12 pF的

2 pF的

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

BLY87C

MGP822

MGP823

手册， halfpage

的hFE

VCE = 13.5 V

（PF ）

典型值

IC （ A）

VCB （ V）

图4典型值;牛逼

= 25

°C.

图5我

= I

= 0; F = 1兆赫;牛逼

= 25

°C.

手册，全页宽

1000

MGP824

VCB = 13.5 V

（兆赫）

10 V

500

E（ A）

图6典型值; F = 100 MHz的;牛逼

= 25

°C.

1986年8月

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