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分立半导体
数据表
BLX94C
超高频功率晶体管
产品speci fi cation
1996年2月06日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特点
可承受满负荷不匹配
发射极镇流电阻的最佳温度
廓
镀金保证了出色的可靠性。
应用
发送应用程序在UHF范围内具有
标称电源电压高达28 V.
钉扎 - SOT122A
针
1
2
3
4
符号
c
e
b
e
辐射源
BASE
辐射源
描述
集热器
2
MAM229
BLX94C
描述
NPN硅平面外延晶体管主要用于
对于A类， B或C的操作。晶体管是
封装在一个4引线SOT122A螺柱包络线与
陶瓷帽。
手册， halfpage
4
c
1
3
b
e
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共发射极的测试电路。
的模式
手术
CW ， B类
f
（兆赫）
470
V
CE
(V)
28
P
L
(W)
25
G
p
（ dB）的
>6.5
η
C
(%)
>55
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
1996年2月06日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（ AV ）
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（峰值）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
平均集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
工作结温
F > 1兆赫
≤
T
mb
= 25
°C
V
BE
= 0
开基
集电极开路
条件
65
分钟。
BLX94C
马克斯。
65
30
4
2.5
2.5
6
60
+150
200
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
热特性
符号
R
日J- MB
R
日J- MB
R
日MB -H
参数
热阻结到
安装底座（ DC散热）
热阻结到
安装底座（ RF损耗）
从安装底座的热阻
散热器来
条件
P
合计
= 20瓦;吨
mb
= 82
°C;
T
h
= 70
°C
P
合计
= 20瓦;吨
mb
= 82
°C;
T
h
= 70
°C
P
合计
= 20瓦;吨
mb
= 82
°C;
T
h
= 70
°C
4
2.7
0.6
价值
单位
K / W
K / W
K / W
手册， halfpage
10
MBH096
手册， halfpage
60
MBH097
P合计
(W)
IC
(A)
(2)
(1)
50
(3)
40
(2)
1
30
(1)
20
10
1
1
10
VCE （ V）
10
2
10
0
50
日（
o
C)
100
(1) T
mb
= 25
°C.
(2) T
h
= 70
°C.
（ 1）连续的直流操作。
（ 2）连续的RF操作。
（3）失配时短时操作。
图2 DC飙升。
图3功率降额曲线。
1996年2月06日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CES
E
丁苯橡胶
h
FE
f
T
参数
条件
分钟。
65
30
4
3
3
15
典型值。
1.5
50
1.1
0.75
33
18
1.2
BLX94C
马克斯。
10
单位
V
V
V
V
mA
mJ
mJ
f
T
f
T
pF
pF
pF
集电极 - 发射极击穿电压V
BE
= 0; I
C
= 25毫安
集电极 - 发射极击穿电压开放的基础;我
C
= 100毫安
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
二次击穿能量
直流电流增益
跃迁频率
集电极开路;我
E
= 10毫安
I
C
= 4 A;我
B
= 0.8 A;注1
V
BE
= 0; V
CE
= 30 V
开基; L = 25 mH的; F = 50赫兹
R
BE
= 10
;
L = 25 mH的; F = 50赫兹
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1.5 A;注1
V
CB
= 28 V ;我
E
=
1.5
A;
F = 500 MHz的;注1
V
CB
= 28 V ;我
E
=
4
A;
F = 500 MHz的;注1
C
c
C
re
C
C-S
记
集电极电容
反馈电容
集电极电容螺柱
V
CB
= 28 V ;我
E
= i
e
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
= 28 V ;我
C
能力= 20 mA ; F = 1兆赫;
脉冲条件下测得的1 ：吨
p
≤
200
s; δ ≤
0.02.
手册， halfpage
100
MBH099
手册， halfpage
75
MBH098
的hFE
VCE = 25 V
Cc
（PF ）
50
50
5V
25
0
0
2
IC （ A）
4
0
0
20
VCB （ V）
40
脉冲的条件下测定;吨
p
≤
200
s; δ ≤
0.02;T
j
= 25
°C.
(1) V
CE
= 25 V.
(2) V
CE
= 5 V.
I
E
= i
e
= 0; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.4
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.5
集电极电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
1996年2月06日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
BLX94C
手册，全页宽
1,5
MBH106
fT
（千兆赫）
1
0.5
0
0
1
2
3
IE浏览器（ A）
4
V
CB
= 28 V ;牛逼
j
= 25
°.
图6的传输频率，发射极电流的函数;典型值。
1996年2月06日
5
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