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分立半导体
数据表
阵容
RF功率晶体管为UHF
1996年2月12日
在分离式半导体， SC08b文件
飞利浦半导体
RF功率晶体管为UHF
介绍
阵容
在本节中，我们提出的建议电路阵容中的主要射频功率应用领域的信息。
输出功率水平的一个全面的指示，加上我们在特定的阵容推荐的类型
配置。每个阵容必要的驱动功率电平被表示在第一列中。
更详细的应用信息可以在应用程序的报告书中找到
“双极型和MOS发射
晶体管“ 。
调幅航空器变送器（ 100400兆赫）
双极
输入
动力
（ mW）的
40
60
500
功率MOS
输入
动力
（ mW）的
30
25
30
100
记
1. V
DS
= 12.5 V.
便携式和移动式发射器（ 400至512兆赫）
双极
输入
动力
（ mW）的
45
15
400
280
400
1
st
舞台
BLV90
BFR96S
BLU99
BLU99
BLU99
2
nd
舞台
BLU99
BLU99
BLU20/12
BLU20/12
BLU20/12
BLU45/12
BLU60/12
BLW81
3
rd
舞台
P
L
(W)
3
10
20
45
60
13
13
V
CE
(V)
7.5
13
1
st
舞台
BLF521
(1)
BLF521
(1)
BLF521
(1)
BLF521
(1)
2
nd
舞台
BLF522
(1)
BLF543
BLF543
BLF544
3
rd
舞台
BLF545
BLF546
BLF547
BLF548
P
L（卡尔）
(W)
40
80
100
150
V
CE
(V)
28
28
28
28
1
st
舞台
BLW89
BLW89
BLW90
2
nd
舞台
2
×
BLW90
2
×
BLW91
2
×
BLX94C
3
rd
舞台
2
×
BLX94C
2
×
BLU60/28
2
×
BLU60/28
P
L（卡尔）
(W)
40
60
120
V
CE
(V)
28
28
28
S =螺柱
F = FL法兰
S
S / F
S / F
1996年2月12日
2
飞利浦半导体
RF功率晶体管为UHF
功率MOS
输入
动力
（ mW）的
50
1
st
舞台
BLF521
2
nd
舞台
BLF522
3
rd
舞台
P
L
(W)
5
阵容
V
CE
(V)
12.5
基站（ 400至470兆赫）
双极
输入
动力
（ mW）的
40
220
功率MOS
输入
动力
（ mW）的
35
40
150
45
记
1. V
DS
= 12.5 V.
模拟蜂窝（ 900兆赫）
双极
输入
动力
（ mW）的
10
1
1
1
1
st
舞台
BFG10W/X
BFG540/X
BFG540/X
BFG520W/X
2
nd
舞台
BLT71/8
BLT80
BLT70
BFG10W/X
BLT81
BLT71
BLT61
3
rd
舞台
P
L
(W)
1.2
1.2
1.2
1.2
V
CE
(V)
4.8
6
4.8
3.6
1
st
舞台
BLF521
(1)
BLF521
(1)
BLF521
(1)
BLF521
(1)
2
nd
舞台
BLF522
(1)
BLF543
BLF544
BLF544
3
rd
舞台
BLF545
BLF546
BLF548
BLF547
P
L
(W)
40
80
150
100
V
CE
(V)
28
28
28
28
1
st
舞台
BLW89
BLW90
2
nd
舞台
BLW91
BLX94C
3
rd
舞台
BLX94C
BLU60/28
P
L
(W)
30
60
V
CE
(V)
28
28
1996年2月12日
3
飞利浦半导体
RF功率晶体管为UHF
数字蜂窝（ 900兆赫）
双极
输入
动力
（ mW）的
1
1
1
记
1.脉冲。
便携式发射装置（ 860至960兆赫） ）
双极
输入
动力
（ mW）的
1
15
1
st
舞台
BFG540
BFG91A
2
nd
舞台
BLT80
BLT80
3
rd
舞台
BLT81
BLT92/SL
P
L
(W)
1.2
3
1
st
舞台
BFG540W/X
BFG540W/X
BFG540W/X
2
nd
舞台
BFG10W/X
BFG10W/X
BFG10W/X
3
rd
舞台
BLT72
BLT62
BLT82
P
L
(W)
3
(1)
3
3.5
(1)
阵容
V
CE
(V)
4.8
3.6
6
V
CE
(V)
6
7.5
移动发射器（ 860至960兆赫）
双极
输入
动力
（ mW）的
110
100
100
1
st
舞台
BLU86
BLV90
BLU86
2
nd
舞台
BLV91/SL
BLV92
BLV91/SL
3
rd
舞台
BLV93
BLV94
BLV93
BLV95
4
th
舞台
P
L
(W)
8
15
22
V
CE
(V)
13
13
13
S =螺柱
F = FL法兰
S / F
S / F
S / F
1996年2月12日
4
飞利浦半导体
RF功率晶体管为UHF
基站（ 860至960 MHz）的AB类操作
双极
输入
动力
（ mW）的
270
220
65
64
100
25
75
75
25
30
35
20
250
笔记
1. BLV904是在SMD封装的晶体管相媲美。
2. BLV902是在SMD封装的晶体管相媲美。
3. BLV909是在SMD封装的晶体管相媲美。
4. d
IM
=
30
分贝。
1
st
舞台
BLV103
(1)
BLV103
(1)
BLV99/SL
(2)
BLV99/SL
BLV99/SL
BGY916
BLV103
(1)
BLV103
(1)
BLV99/SL
BLV99/SL
BLV99/SL
BLV99/SL
BLV103
(1)
2
nd
舞台
BLV934
BLV935
BLV910
BLV100
(3)
BLV100
(3)
BLV958
BLV920
BLV920
BLV103
BLV103
BLV103
BLV103
BLV934
BLV958
2
×
BLV946
BLV98CE
BLV97CE
BLV945A
BLV945A
BLV950
2
×
BLV101A
2
×
BLV101B
BLV950
BLV950
BLV946
BLV101A
BLV101B
3
rd
舞台
4
th
舞台
P
L
(W)
30
30
40
45
45
75
75
80
85
85
120
150（ PEP）的
150
V
CE
(V)
26
26
26
25
25
26
26
26
25
25
25
25
26
阵容
f
（兆赫）
960
960
960
900
960
960
960
960
900
960
900
900
(4)
960
1996年2月12日
5
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B37954J5105M072
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B43305E2108M000
B82144B1103K000
BUL56ASMD
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B37981-F5333-K
B82422-A3331-+
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