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分立半导体

数据表

BLW86

高频/甚高频功率晶体管

产品speci fi cation

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高频/甚高频功率晶体管

描述

N-P - N型硅平面外延

晶体管用于在A级使用，

AB和B操作H.F.和v.h.f.

发射机标称电源

28五，电压的晶体管

电阻稳定，是

保证承受严峻的负荷

不匹配的情况。匹配

团体可根据要求提供。

它有一个8"分之3法兰信封一个

陶瓷帽。所有的线索都隔离

从凸缘。

BLW86

快速参考数据

R.F.性能达至T

= 25

°C

的模式

手术

C.W. （ B类）

s.s.b. （ AB类）

s.s.b. （ A类）

兆赫

175

1,6

5-47,5 （ P.E.P. ）

17 （ P.E.P. ）

＆ GT ;

7,5

＆ GT ;

（典型值）。 19

（典型值）。 22

（典型值）。 45

典型值。

0,7

j1,3 110

j62

引脚配置

halfpage

钉扎 - SOT123

针

描述

集热器

辐射源

BASE

辐射源

手册， halfpage

MBB012

MSB057

Fig.1简化外形和符号。

产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全

安全规定， BeO的光盘不被损坏。

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高频/甚高频功率晶体管

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

集电极 - 发射极电压（V

= 0)

峰值

集电极 - 发射极电压（开基）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流（平均值）

集电极电流（峰值） ; F

＆ GT ;

1兆赫

R.F.功耗（F

＆ GT ;

1 MHz时） ;牛逼

= 25

°C

储存温度

工作结温

CESM

首席执行官

EBO

C（ AV ）

英镑

马克斯。

BLW86

65 V

36 V

4 V

4 A

12 A

105 W

200

°C

150

°C

手册， halfpage

MGP630

手册， halfpage

150

MGP631

(A)

PRF

(W)

100

ΙΙΙ

减免0.58 W / K

ΙΙ

0.43 W / K

TH = 70

°C

TMB = 25

°C

VCE （ V）

TH（ ° C）

100

我连续直流手术

二连续射频手术

不匹配时III短时操作

图2直流飙升。

图3 R.F.功耗; V

≤

28 V ; F

＆ GT ;

1兆赫。

热阻

（损耗= 45瓦;吨

= 83,5

°C,

即牛逼

= 70

°C)

从结点到安装基座（直流功耗）

从结点到安装基座（射频损耗）

从安装底座到散热片

日J- MB （ DC ）

日J- MB （ RF）

日MB -H

2.65 K / W

1,95 K / W

0.3 K / W

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高频/甚高频功率晶体管

特征

= 25

°C

除非另有规定编

集电极 - 发射极击穿电压

= 0; I

= 25毫安

集电极 - 发射极击穿电压

开基;我

= 100毫安

发射极 - 基极击穿电压

集电极开路;我

= 10毫安

集电极截止电流

= 0; V

= 36 V

二次击穿能量; L = 25 mH的; F = 50赫兹

开基

= 10

直流电流增益

(1)

= 2.5 A; V

= 5 V

匹配器件的直流电流增益比

(1)

= 2.5 A; V

= 5 V

集电极 - 发射极饱和电压

(1)

= 7.5 A;我

= 1,5 A

跃迁频率在f = 100 MHz的

(1)

= 2.5 A; V

= 28 V

= 7.5 A; V

= 28 V

集电极电容在f = 1 MHz的

= I

= 0; V

= 28 V

反馈电容在f = 1 MHz的

= 100毫安; V

= 28 V

集电极 - 佛罗里达州安格电容

记

根据脉冲1.测

条件：T已

≤

200

s; δ ≤

0,02.

手册， halfpage

BLW86

（ BR ） CES

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CES

SBO

丁苯橡胶

＆ GT ;

＆ LT ;

＆ GT ;

典型值。

65 V

36 V

4 V

10毫安

8兆焦耳

为1080

＆ LT ;

典型值。

1,2

1,5 V

570兆赫

82 pF的

54 pF的

2 pF的

FE1

FE2

CESAT

MGP632

(A)

TH = 70

°C

Fig.4

典型值;

= 28 V.

0.5

VBE （ V）

1.5

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高频/甚高频功率晶体管

BLW86

MGP633

手册， halfpage

100

手册， halfpage

300

MGP634

（PF ）

的hFE

VCE = 28 V

200

100

典型值

IC （ A）

VCB （ V）

图5典型值;牛逼

= 25

°C.

图6我

= I

= 0; F = 1兆赫;牛逼

= 25

°C.

手册，全页宽

1000

MGP635

（兆赫）

VCB = 28 V

500

15 V

E（ A）

图7典型值; F = 100 MHz的;牛逼

= 25

°C.

1986年8月

BLW86

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI BLW86

是专为

C类， 28 V高频段应用

高达175兆赫。

包装样式0.380 4L FLG

.112 x 45°

产品特点：

共发射极

= 7.0分贝40W / 175兆赫

Omnigold

金属化系统

.125 NOM 。

，完全R

.125

最大额定值

CBO

CE0

EBO

DISS

英镑

5.0 A

65 V

35 V

4.0 V

60瓦@ T

= 25 °C

-65℃ + 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

2.9 ° C / W

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

.240 / 6.10

.230 / 5.84

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

特征

符号

首席执行官

CES

CBO

EBO

CBO

CES

= 25 °C

NONETEST

条件

= 200毫安

= 10毫安

= 30 V

= 5.0 V

= 30 V

= 28 V

= 7.0 W

= 500毫安

F = 1.0 MHz的

F = 175 MHz的

最小典型最大

4.0

1.0

5.0

200

7.6

单位

---

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

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