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BLW33
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI BLW33
是专为
电视,发射器,以及
转播应用高达860
兆赫。
包装风格.280 4L螺柱
A
45°
产品特点:
共发射极
B
C
E
B
P
G
= 10分贝1.0W / 860兆赫
Omnigold
金属化系统
E
F
E
D
C
J
最大额定值
I
C
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
1.25 A
50 V
30 V
4.0 V
19.4 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
9.0 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
I
G
H
K
最低
英寸/毫米
# 8-32 UNC
最大
英寸/毫米
1.010 / 25.65
.220 / 5.59
.270 / 6.86
.003 / 0.08
.117 / 2.97
.572 / 14.53
.130 / 3.30
.245 / 6.22
.640 / 16.26
.175 / 4.45
.275 / 6.99
1.055 / 26.80
.230 /5.84
.285 / 7.24
.007 / 0.18
.137 / 3.48
.255 / 6.48
.217 / 5.51
.285 / 7.24
订货编号: ASI10500
特征
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
IMD
1
I
C
= 30毫安
I
E
= 2.0毫安
V
CE
= 30 V
V
CE
= 25 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 4.0毫安
最小典型最大
50
30
4.0
2.5
单位
V
V
V
mA
---
dB
dBc的
I
C
= 300毫安
I
C
= 300毫安
F = 860 MHz的
20
10
-60
40
120
V
CE
= 25 V
P
OUT
= 1.0 W
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1
分立半导体
数据表
BLW33
UHF线性功率晶体管
产品speci fi cation
1986年8月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
UHF线性功率晶体管
描述
N-P - N型硅平面外延
晶体管主要用于在使用
线性u.h.f.放大器
电视
发射机和换位。该
出色的直流耗散
性能
对于A类操作是
通过扩散发射极的装置获得
镇流电阻器和一个多基
结构,提供了一个最佳的
对晶体温度分布
区。最佳组合
热设计和应用
金色金属夹层
可实现卓越的可靠性
属性。
该晶体管具有一
1
4
"绞盘
信封陶瓷帽。
BLW33
快速参考数据
R.F.性能
操作模式
A类;线性扩增fi er
f
视力
兆赫
860
860
1.三音测试方法(图像载波
8
分贝,伴音载波
7
分贝,边带信号
16
分贝) ,零分贝对应于
高峰同步的水平。
V
CE
V
25
25
I
C
mA
300
300
T
h
°C
70
25
d
im
(1)
dB
60
60
P
同步
(1)
W
& GT ;
典型值。
1,0
& GT ;
1,15典型。
G
p
dB
10,0
10,5
引脚配置
钉扎 - SOT122A 。
1
2
描述
集热器
辐射源
BASE
辐射源
手册, halfpage
4
1
3
3
4
2
顶视图
MBK187
Fig.1简化外形。 SOT122A 。
产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全
安全规定, BeO的光盘不被损坏。
1986年8月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
UHF线性功率晶体管
评级
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
集电极 - 发射极电压
(峰值) ; V
BE
= 0
开基
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
直流或平均
(峰值) ; F
& GT ;
1兆赫
总功率耗散高达至T
mb
= 25
°C
储存温度
工作结温
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
V
CESM
V
首席执行官
V
EBO
马克斯。
马克斯。
马克斯。
BLW33
50 V
30 V
4 V
1,25 A
1,9 A
19,3 W
200
°C
65
to
+150 °C
手册, halfpage
10
MGP442
手册, halfpage
20
MGP443
P合计
(W)
IC
(A)
(1)
15
1
TH = 70
°C
TMB = 25
°C
10
5
10
1
1
10
VCE ( V)
10
2
0
0
50
TH( ° C)
100
(1 )第二击穿极限(与温度无关) 。
图2直流飙升。
图3功率降额曲线与温度的关系。
热阻
(见图4)
从结点到安装基座
(损耗= 7.5瓦;牛逼
mb
= 74,5
°C;
即牛逼
h
= 70
°C)
从安装底座到散热片
R
日J- MB
R
日MB -H
=
=
10,1 K / W
0.6 K / W
1986年8月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
UHF线性功率晶体管
BLW33
手册,全页宽
15
MGP444
TH = 125
°C
100
°C
75
°C
RTH J-
(K / W)
50
°C
25
°C
10
150
°C
175
°C
TJ = 200
°C
0
°C
100
°C
125
°C
5
0
5
10
15
20
P合计(W)的
25
Fig.4
结点的最大热阻到散热片作为功耗的功能,与散热片
和结点温度作为参数。 (R
日MB -H
= 0.6 K / W )。
例子
标称A类操作: V
CE
= 25 V ;我
C
= 300毫安;牛逼
h
= 70
°C.
图4所示:
R
第j个小时
T
j
典型的设备:v
第j个小时
T
j
马克斯。
马克斯。
典型值。
典型值。
10,7 K / W
150
°C
8.25 K / W
132
°C
1986年8月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
UHF线性功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定编
集电极 - 发射极击穿电压
V
BE
= 0; I
C
= 4毫安
开基;我
C
= 30毫安
发射极 - 基极击穿电压
集电极开路;我
E
= 2毫安
集电极截止电流
V
BE
= 0; V
CE
= 30 V
V
BE
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 175
°C
直流电流增益
I
C
= 300毫安; V
CE
= 25 V
I
C
= 300毫安; V
CE
= 25 V ;牛逼
j
= 175
°C
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
I
C
= 600毫安;我
B
= 60毫安
跃迁频率在f = 500 MHz的
(2)
I
E
= 300毫安; V
CB
= 25 V
I
E
= 600毫安; V
CB
= 25 V
集电极电容在f = 1 MHz的
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 25 V
反馈电容在f = 1 MHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 25 V
集电极电容螺柱
笔记
脉冲条件下测得的1 :吨
p
300
s; δ ≤
0,02.
脉冲条件下测得的2 :吨
p
50
s; δ ≤
0,01.
C
re
C
cs
典型值。
典型值。
C
c
典型值。
f
T
f
T
典型值。
典型值。
V
CESAT
典型值。
h
FE
h
FE
I
CES
I
CES
& LT ;
& LT ;
& GT ;
典型值。
& LT ;
V
( BR ) EBO
& GT ;
V
( BR ) CES
V
( BR ) CEO
& GT ;
& GT ;
BLW33
50 V
30 V
4 V
1,0毫安
2,5毫安
20
40
120
450毫伏
3,4 GHz的
3,1 GHz的
6.6 pF的
3.5 pF的
1,2 pF的
1986年8月
5
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    BLW33
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BLW33
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BLW33
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560
高频管
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