【BLV99NPN硅射频功率晶体管描述：该ASI BLV99是一个共发射极器件专为放大器应用高达860】,IC型号BLV99,BLV99 PDF资料,BLV99经销商,ic,电子元器件-51电子网

BLV99

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI BLV99

是一个共发射极

器件专为放大器

应用高达860兆赫。

功能包括：

镀金

发射极镇流

高增益

封装类型205 4L螺柱

最大额定值

CBO

首席执行官

EBO

DISS

英镑

300毫安

45 V

25 V

3.5 V

5.3 W @ T

= 25 °C

-65℃ + 200 ℃，

-65 ° CTO +150°C

33 ° C / W

1 = COLLECTOR

2 & 4 =辐射源

3 = BASE

特征

符号

CBO

CER

EBO

CBO

IMD

= 1.0毫安

= 10毫安

= 25 °C

测试条件

= 10

最小典型最大

3.5

1.0

单位

---

= 1.0毫安

= 5.0 V

= 5 V

= 24 V

= 20 V

OUT

= 0.5 W

= 150毫安

= 100毫安

F = 1.0 MHz的

F = 860 MHz的

3.5

-58

dBc的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

1/1

分立半导体

数据表

BLV99/SL

超高频功率晶体管

产品speci fi cation

1991年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

特点

发射极镇流电阻的

最适温度曲线

黄金金属确保

出色的可靠性。

描述

NPN硅平面外延型晶体管

封装在一个4引线SOT172D

信封用陶瓷帽。这是

主要用作驱动器，设计

在900兆赫基站阶段

通信频段。所有的线索都

分离自安装基座。

钉扎 - SOT172D

针

BASE

集热器

辐射源

描述

辐射源

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

手册， halfpage

halfpage

BLV99/SL

引脚配置

MBB012

顶视图

MSB007

Fig.1简化外形和符号。

本品含有氧化铍。该产品是完全安全规定

该氧化铍盘不被损坏。所有的人谁处理，使用或处置

该产品应该知道它的性质和所需的安全性的

预防措施。使用后，处理为根据化学品或特殊废物

规定施加于用户的位置。它绝不能丢

用一般的或生活垃圾。

快速参考数据

射频性能在T

= 25

°C

在一个共发射极B类测试电路。

的模式

手术

C.W.窄带

（兆赫）

900

(V)

(W)

（ dB）的

＆ GT ;

(%)

＆ GT ;

1991年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

极限值

按照绝对最大系统（IEC 134）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

存储温度范围

结工作温度

条件

发射极开路

开基

集电极开路

DC值

峰值

＆ GT ;

1兆赫

＆ GT ;

1兆赫;

= 50

°C

分钟。

BLV99/SL

马克斯。

3.5

200

600

150

200

单位

°C

手册， halfpage

MBK466

P合计

(W)

ΙΙ

120

TH（ ° C）

160

（Ⅰ ）连续的RF操作。

（二）不匹配，在短时间的操作。

图2电源/温度降额曲线。

热阻

符号

日J- MB （ RF）

参数

从结点到安装基座

条件

= 4.5瓦;牛逼

= 25

°C

马克斯。

单位

K / W

1991年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

特征

= 25

°C.

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CES

丁苯橡胶

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极漏电流

直流电流增益

二次击穿能量

条件

发射极开路;

= 5毫安

= 0;

= 10毫安

集电极开路;

- 0.5毫安

= 0;

= 27 V

= 20 V;

= 150毫安

L = 25 mH的;

= 10

;

F = 50赫兹

= 24 V;

= I

= 0;

F = 1 MHz的

= 24 V;

= 0;

F = 1 MHz的

分钟。

3.5

0.5

典型值。

BLV99/SL

马克斯。

单位

集电极电容

反馈电容

1.3

手册， halfpage

100

MBK467

手册， halfpage

MBK468

的hFE

（PF ）

0.1

0.2

0.3

0.4

IC （ A）

0.5

VCB （ V）

= 20V;牛逼

= 25

°C.

= i

= 0; F = 1兆赫。

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

目前，典型值。

Fig.4

集电极电容的一个函数

集电极 - 基极电压，典型值。

1991年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

应用信息

射频性能牛逼

= 25

°C

在一个共发射极B类测试电路。

操作模式

C.W.窄带

900

（兆赫）

(V)

(W)

（ dB）的

＆ GT ;

（典型值）。 9.3

BLV99/SL

(%)

＆ GT ;

（典型值）。 63

手册， halfpage

MBK469

100

手册， halfpage

MBK470

（ dB）的

(%)

(W)

PL （W）的

0.1

0.2

0.3

PS （W）的

0.4

B类操作; V

= 24 V ; F = 900 MHz的;

= 25

°C.

B类操作; V

= 24 V ; F = 900 MHz的;

= 25

°C.

Fig.5

增益和效率负载的功能

功率，典型值。

Fig.6

负载功率为驱动力的作用，

典型值。

坚固耐用的B类操作

该BLV99 / SL是能够承受满载的

通过所有1 ：对应的VSWR = 50不匹配

在下列条件下阶段：

= 24 V ， F = 900兆赫，

= 25

°C,

并在额定输出功率。

1991年9月

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