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分立半导体
数据表
BLV98CE
超高频功率晶体管
产品speci fi cation
1993年3月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特点
内部输入匹配，以实现高的功率增益
植入镇流电阻的最佳
温度曲线
镀金保证了出色的可靠性
描述
BLV98CE
在SOT- 171 NPN硅平面外延晶体管
包络，用于共发射极， AB类
在无线电发射器的960 MHz运行
通信频段。该晶体管的6引脚法兰
包络线，用陶瓷帽。所有的引脚均从隔离
凸缘。
快速参考数据
RF性能可达到吨
h
= 25
°C
在一个共发射极AB类电路。
操作模式
C.W. AB类
钉扎 - SOT171A
针
1
2
3
4
5
6
符号
e
e
b
c
e
e
描述
手册， halfpage
F（兆赫）
960
V
CE
(V)
24
P
L
(W)
15
G
P
（ dB）的
＆ GT ;
7.5
η
c
(%)
＆ GT ;
50
辐射源
辐射源
BASE
集热器
辐射源
辐射源
顶视图
2
4
6
c
b
1
3
5
MAM141
e
Fig.1简化外形和符号。
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
1993年3月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
集电极电流
总功耗
储存温度
工作结温
条件
发射极开路
开基
集电极开路
DC或平均值
峰值
f
＆ GT ;
1兆赫
f
＆ GT ;
1兆赫
T
mb
= 25
°C
分钟。
65
BLV98CE
马克斯。
50
27
3.5
1.5
4.5
40
150
200
V
V
V
A
A
W
单位
°C
°C
热阻
符号
R
THJ - MB
R
日MB -H
参数
从结点到安装基座（ RF ）
从安装底座到散热片
条件
典型值。
马克斯。
4.4
0.4
单位
K / W
K / W
手册， halfpage
10
MDA449
手册， halfpage
60
MDA450
IC
(A)
TMB = 25
°C
1
TH = 70
°C
P合计
(W)
40
(2)
(1)
20
10
1
1
10
VCE （ V）
10
2
0
0
40
80
120
TH（ ° C）
160
（ 1 ）直流或射频手术
（ 2 ）不匹配时，短线操作
图2 DC飙升。
图3电源/温度降额。
1993年3月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
在T
j
= 25
°C
除非另有说明。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
C
cf
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家泄漏电流
直流电流增益
集电极电容在f = 1 MHz的
反馈电容在f = 1 MHz的
集电极 - 佛罗里达州安格电容
条件
发射极开路
I
C
= 25毫安
开基
I
C
= 50毫安
集电极开路
I
E
= 5毫安
V
BE
= 0
V
CE
= 27 V
I
C
= 1 A
V
CE
= 20 V
I
E
= I
e
= 0
V
CB
= 24 V
I
C
= 0
V
CE
= 24 V
分钟。
50
27
3.5
15
典型值。
23
14
2
BLV98CE
马克斯。
5
V
V
V
单位
mA
pF
pF
pF
手册， halfpage
100
MDA451
的hFE
80
100
手册， halfpage
Cc
（PF ）
80
MDA452
VCE = 24 V
20 V
60
60
40
40
20
20
0
0
1
2
3
IC （ A）
4
0
0
10
20
VCB （ V）
30
Fig.4
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.5
输出电容为V的函数
CB
;
典型值。
1993年3月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
应用信息
RF性能在一个共发射极的测试电路。
T
h
= 25
°C,
R
日MB -H
=除非另有规定ED 0.4 K / W 。
操作模式
C.W. AB类
F（兆赫）
960
V
CE
(V)
24
I
C（ ZS ）
（MA ）
30
P
L
(W)
15
G
P
（ dB）的
＆ GT ;
7.5
TYP 。 8.5
BLV98CE
η
c
(%)
＆ GT ;
50
（典型值） 。 55
手册， halfpage
10
Gp
MDA453
（ dB）的
8
Gp
100
η
(%)
80
手册， halfpage
30
MDA454
PL
(W)
20
6
η
60
4
40
10
2
20
0
0
5
10
15
20
PL （W）的
25
0
0
0
2
4
6
PS （W）的
8
Fig.6
的功率增益和效率的一个函数
负载功率;典型值。
Fig.7
负载功率作为输入功率的函数;
典型值。
坚固耐用的AB类操作
该BLV98CE是能够承受负载失配的
通过各阶段对应的VSWR = 50 ，下
满足下列条件： V
CE
= 24 V，I
C（ ZS ）
= 30毫安，
F = 960 MHz的额定输出功率。
1993年3月
5
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