【分立半导体数据表BLV97CE超高频功率晶体管产品speci fi cation1993年3月】,IC型号BLV97,BLV97 PDF资料,BLV97经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

BLV97CE

超高频功率晶体管

产品speci fi cation

1993年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

特点

内部输入匹配，以实现高的功率增益

镇流电阻器的最佳温度分布

镀金保证了出色的可靠性

描述

BLV97CE

在SOT171 NPN硅平面外延晶体管

包络，用于共发射极， AB类

在无线电发射器的960 MHz运行

通信频段。该晶体管的6引脚法兰

包络线，用陶瓷帽。所有的引脚均从隔离

凸缘。

快速参考数据

RF性能可达到吨

= 25

°C

在一个共发射极AB类电路。

操作模式

C.W. AB类

钉扎 - SOT171A

针

符号

描述

辐射源

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形和符号。

顶视图

MAM141

F（兆赫）

960

(V)

(W)

（ dB）的

＆ GT ;

(%)

＆ GT ;

手册， halfpage

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。

所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

1993年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极电压

集电极电流

总功耗

储存温度

工作结温

条件

发射极开路

开基

集电极开路

DC或平均值

峰值

＆ GT ;

1兆赫

＆ GT ;

1兆赫

= 25

°C

分钟。

BLV97CE

马克斯。

3.5

150

200

单位

°C

热阻

符号

THJ - MB

日MB -H

参数

从结点到安装基座（ RF ）

从安装底座到散热片

条件

典型值。

马克斯。

2.3

0.4

单位

K / W

手册， halfpage

MDA441

100

手册， halfpage

P合计

(W)

MDA442

(A)

TH = 70

°C

TMB = 25

°C

VCE （ V）

120

TH（ ° C）

160

图2 DC飙升。

Fig.3

电源/温度降额;

我：直流或射频操作;

二：不匹配时，短线操作。

1993年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

特征

在T

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CES

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家泄漏电流

直流电流增益

集电极电容在f = 1 MHz的

反馈电容在f = 1 MHz的

集电极 - 佛罗里达州安格电容

条件

发射极开路

= 50毫安

开基

= 100毫安

集电极开路

= 10毫安

= 0

= 27 V

= 2 A

= 20 V

= I

= 0

= 25 V

= 0

= 25 V

分钟。

3.5

典型值。

BLV97CE

马克斯。

单位

手册， halfpage

100

MDA443

的hFE

100

手册， halfpage

（PF ）

MDA444

VCE = 25 V

20 V

IC （ A）

VCB （ V）

Fig.4

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.5

输出电容为一个函数

集电极 - 基极电压;典型值。

1993年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

应用信息

RF性能在一个共发射极的测试电路。

= 25

°C,

日MB -H

=除非另有规定ED 0.4 K / W 。

操作模式

C.W. AB类

F（兆赫）

960

(V)

C（ ZS ）

（MA ）

(W)

（ dB）的

＆ GT ;

TYP 。 8.5

BLV97CE

(%)

＆ GT ;

（典型值）。 55

手册， halfpage

MDA445

(%)

手册， halfpage

MDA446

（ dB）的

(W)

PL （W）的

PS （W）的

Fig.6

的功率增益和效率的一个函数

负载功率;典型值。

Fig.7

负载功率作为输入功率的函数;

典型值。

坚固耐用的AB类操作

该BLV97CE是能够承受负载失配的

通过各阶段对应的VSWR = 50 ，下

满足下列条件： V

= 24 V ;我

C（ ZS ）

= 120毫安;

F = 960 MHz的额定输出功率。

1993年3月

分立半导体

数据表

BLV97CE

超高频功率晶体管

产品speci fi cation

1993年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

特点

内部输入匹配，以实现高的功率增益

镇流电阻器的最佳温度分布

镀金保证了出色的可靠性

描述

BLV97CE

在SOT171 NPN硅平面外延晶体管

包络，用于共发射极， AB类

在无线电发射器的960 MHz运行

通信频段。该晶体管的6引脚法兰

包络线，用陶瓷帽。所有的引脚均从隔离

凸缘。

快速参考数据

RF性能可达到吨

= 25

°C

在一个共发射极AB类电路。

操作模式

C.W. AB类

钉扎 - SOT171A

针

符号

描述

辐射源

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形和符号。

顶视图

MAM141

F（兆赫）

960

(V)

(W)

（ dB）的

＆ GT ;

(%)

＆ GT ;

手册， halfpage

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。

所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

1993年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极电压

集电极电流

总功耗

储存温度

工作结温

条件

发射极开路

开基

集电极开路

DC或平均值

峰值

＆ GT ;

1兆赫

＆ GT ;

1兆赫

= 25

°C

分钟。

BLV97CE

马克斯。

3.5

150

200

单位

°C

热阻

符号

THJ - MB

日MB -H

参数

从结点到安装基座（ RF ）

从安装底座到散热片

条件

典型值。

马克斯。

2.3

0.4

单位

K / W

手册， halfpage

MDA441

100

手册， halfpage

P合计

(W)

MDA442

(A)

TH = 70

°C

TMB = 25

°C

VCE （ V）

120

TH（ ° C）

160

图2 DC飙升。

Fig.3

电源/温度降额;

我：直流或射频操作;

二：不匹配时，短线操作。

1993年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

特征

在T

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CES

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家泄漏电流

直流电流增益

集电极电容在f = 1 MHz的

反馈电容在f = 1 MHz的

集电极 - 佛罗里达州安格电容

条件

发射极开路

= 50毫安

开基

= 100毫安

集电极开路

= 10毫安

= 0

= 27 V

= 2 A

= 20 V

= I

= 0

= 25 V

= 0

= 25 V

分钟。

3.5

典型值。

BLV97CE

马克斯。

单位

手册， halfpage

100

MDA443

的hFE

100

手册， halfpage

（PF ）

MDA444

VCE = 25 V

20 V

IC （ A）

VCB （ V）

Fig.4

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.5

输出电容为一个函数

集电极 - 基极电压;典型值。

1993年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

应用信息

RF性能在一个共发射极的测试电路。

= 25

°C,

日MB -H

=除非另有规定ED 0.4 K / W 。

操作模式

C.W. AB类

F（兆赫）

960

(V)

C（ ZS ）

（MA ）

(W)

（ dB）的

＆ GT ;

TYP 。 8.5

BLV97CE

(%)

＆ GT ;

（典型值）。 55

手册， halfpage

MDA445

(%)

手册， halfpage

MDA446

（ dB）的

(W)

PL （W）的

PS （W）的

Fig.6

的功率增益和效率的一个函数

负载功率;典型值。

Fig.7

负载功率作为输入功率的函数;

典型值。

坚固耐用的AB类操作

该BLV97CE是能够承受负载失配的

通过各阶段对应的VSWR = 50 ，下

满足下列条件： V

= 24 V ;我

C（ ZS ）

= 120毫安;

F = 960 MHz的额定输出功率。

1993年3月