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分立半导体
数据表
BLV910
超高频功率晶体管
产品speci fi cation
1995年4月11日
飞利浦半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特点
内部输入匹配，以实现高的功率增益和
简单的设计宽带电路
发射极镇流电阻的最佳温度
廓
镀金保证了出色的可靠性。
应用
基站发射机在820至960 MHz范围内。
手册， halfpage
BLV910
描述
NPN硅平面外延晶体管用于
共发射极AB类操作。晶体管是
封装在一个6引脚SOT171凸缘信封用
陶瓷帽。所有引线从凸缘分离。
2
4
6
c
b
钉扎 - SOT171
针
1
2
3
4
5
6
符号
e
e
b
c
e
e
辐射源
辐射源
BASE
集热器
辐射源
辐射源
Fig.1简化外形和符号。
顶视图
描述
1
3
5
MAM141
e
快速参考数据
射频性能在T
mb
= 25
°C
在一个共发射极的测试电路。
操作模式
CW ， AB类
f
（兆赫）
960
V
CE
(V)
26
P
L
(W)
10
G
p
（ dB）的
≥
11
η
C
(%)
≥
55
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
1995年4月11日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（ AV ）
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
平均集电极电流
总功耗
储存温度
工作结温
最多至T
mb
= 25
°C
开基
集电极开路
条件
发射极开路
65
分钟。
BLV910
马克斯。
70
30
3
1.5
1.5
30
+150
200
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
热特性
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
参数
热阻结到
安装底座
从安装热阻
底座到散热片
条件
P
合计
= 30瓦;牛逼
mb
= 25
°C
价值
5.85
0.4
单位
K / W
K / W
手册， halfpage
10
MLC658
手册， halfpage
40
MLC659
IC
(A)
(1)
1
(2)
P
合计
(W)
30
(2)
20
(1)
10
10
1
1
10
VCE （ V）
10
2
0
0
20
40
60
80
100
120
o
140
TH（ C）
(1) T
mb
= 25
°C.
(2) T
h
= 70
°C.
（ 1 ）连续运行。
（2）不匹配时短时操作。
图2 DC飙升。
图3功率降额曲线。
1995年4月11日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
收藏家泄漏电流
直流电流增益
集电极电容
反馈电容
条件
发射极开路;我
C
= 5毫安
开基;我
C
= 15毫安
集电极开路;我
E
- 0.3毫安
V
BE
= 0; V
CE
= 28 V
V
CE
= 10 V ;我
C
= 0.5 A;
V
CB
= 26 V ;我
E
= i
e
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
= 26 V ;我
C
= 0; F = 1 MHz的
分钟。
70
30
3
30
10
6
典型值。
BLV910
马克斯。
0.75
120
单位
V
V
V
mA
pF
pF
手册， halfpage
100
MLC660
手册， halfpage
40
MLC661
^ h FE
80
(1)
Cc
（PF ）
30
60
(2)
20
40
10
20
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I C （ A）
0
0
10
20
30
40
50
VCB （ V）
(1) V
CE
= 26 V ：脉冲条件下测得;
t
p
≤
500
微秒; δ <
0.01.
(2) V
CE
= 10 V.
I
E
= i
e
= 0; F = 1兆赫。
Fig.4
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.5
集电极电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
1995年4月11日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
应用信息
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共发射极， AB类测试电路。
操作模式
CW ， AB类
坚固耐用的AB类操作
f
（兆赫）
960
V
CE
(V)
26
I
CQ
（MA ）
25
P
L
(W)
10
G
p
（ dB）的
≥11
BLV910
η
C
(%)
≥55
该BLV910是能够承受的负荷不匹配对应的VSWR = 20 ：通过各个阶段的评分1
输出功率，在下列条件下： V
CE
= 26 V ; F = 960 MHz的;我
CQ
= 25毫安;牛逼
mb
= 25
°C.
手册， halfpage
16
MLC662
MLC663
80
Gp
η
(%)
60
η
手册， halfpage
16
Gp
（ dB）的
12
PL
(W)
12
8
40
8
4
20
4
0
0
4
8
12
P L （W）的
16
0
0
0
0.4
0.8
1.2
P I （W）的
1.6
V
CE
= 26 V.
I
CQ
= 25 mA的电流。
F = 960兆赫。
V
CE
= 26 V.
I
CQ
= 25 mA的电流。
F = 960兆赫。
Fig.6
功率增益和EF网络效率的功能
负载功率;典型值。
Fig.7
负载功率作为输入功率的函数;
典型值。
1995年4月11日
5
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