【BLV830N沟道增强型功率MOSFET较高的雪崩能量快速开关简单的驱动要求BVDSSRDS （ O】,IC型号BLV830,BLV830 PDF资料,BLV830经销商,ic,电子元器件-51电子网

BLV830

N沟道增强型功率MOSFET

较高的雪崩能量

快速开关

简单的驱动要求

DSS

DS （ ON）

500V

1.5Ω

4.5A

描述

这种先进的高电压MOSFET产生

上海贝岭采用的专有DMOS技术。

专为高效率开关模式电源

绝对最大额定值

(

=25

C除非另有说明）

符号

SDG

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

连续漏电流（

=100

)

漏电流（脉冲）（注1 ）

功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量（注2 ）

雪崩电流

重复性雪崩能量

工作结温范围

存储温度范围

价值

500

+ 20

4.5

2.85

0.59

250

4.5

7.5

-55到+150

单位

W/℃

热特性

符号

第j个-C

日J-一

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

马克斯。

价值

1.67

62.5

单位

℃/

第1/6页

BLV830

N沟道增强型功率MOSFET

电气特性

(

= 25℃ ，除非另有说明）

符号

DSS

ΔBV

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

参数

漏源击穿电压

击穿电压

温度COEF网络cient

静态漏源导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导（注3 ）

漏极 - 源极漏电流

Tc=125℃

栅极 - 源极漏电流

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

测试条件

= 0V时，我

=250uA

参考25 ℃ ，

=1mA

= 10V ，我

=2.7A

, I

=250uA

= 50V ，我

=2.7A

=500V, V

=0V

=400V, V

=0V

= ± 20V

=400V

=4.5A

=10V

note3

=250V

=4.5A

=25

note3

=25V

=0V

F = 1MHz的

分钟。

500

2.5

典型值。

0.6

8.2

800

100

马克斯。

1.5

100

±100

单位

V/℃

GSS

QGS

QGD

（上）

（关闭）

西塞

科斯

CRSS

源极 - 漏极二极管的特性

符号

r r

注意：

（ 1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温

参数

测试条件

分钟。

典型值。

320

马克斯。

4.5

1.6

单位

连续源二极管的正向电流

脉冲源二极管的正向电流（注1）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

= 0V时，我

=4.5A

= 0V时，我

=4.5A

/ DT = 100A / us的

(2)

L = 25mH ，攻速= 4.5A ， VDD = 50V ， RG = 25Ω ，盯着TJ = 25℃

（3 ）脉冲宽度

≤

300我们;占空比

≤

第2/6页

BLV830

N沟道增强型功率MOSFET

典型特征

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

图3.归BVDSS与结

温度

图4.归一导通电阻与

结温

第3/6页

BLV830

N沟道增强型功率MOSFET

典型特征

（

续）

）

图5.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

图7.栅极电荷特性

图8.电容特性

4/6页

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N沟道增强型功率MOSFET

典型特征

（

续）

）

图9.最高安全工作区

图10.瞬态热响应曲线

第5/6页

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