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分立半导体
数据表
BLV75/12
甚高频功率晶体管
产品speci fi cation
1986年8月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率晶体管
描述
N-P - N型硅平面外延
晶体管主要用于在使用
在移动无线电发射机
175 MHz的commmunications带。
特点
多基的结构和
发射极镇流电阻的
最适温度曲线
黄金金属确保
卓越的可靠性
内部匹配，以达到
最佳的宽带能力，
高功率增益
该晶体管的6引脚法兰
信封用陶瓷帽
（ SOT - 119 ） 。所有的引脚均从隔离
凸缘。
快速参考数据
R.F.性能达至T
h
= 25
°C
在一个共发射极B类电路
操作模式
窄带; C.W.
引脚配置
V
CE
V
12,5
f
兆赫
175
P
L
W
75
钉扎
针
1
手册， halfpage
BLV75/12
G
p
dB
＆ GT ;
6,5
η
C
%
＆ GT ;
55
描述
辐射源
辐射源
BASE
集热器
辐射源
辐射源
1
2
2
3
4
5
6
3
4
5
6
MSB006
Fig.1简体outlinbe ， SOT119A 。
产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全
安全规定， BeO的光盘不被损坏。
1986年8月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率晶体管
评级
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
直流或平均
峰值; F
＆ GT ;
1兆赫
总功耗
在T
mb
= 25
°C;
f
＆ GT ;
1兆赫
储存温度
工作结温
P
合计
T
英镑
T
j
马克斯。
马克斯。
I
C
I
CM
马克斯。
马克斯。
v
CBOM
V
首席执行官
V
EBO
马克斯。
马克斯。
马克斯。
BLV75/12
36 V
16,5 V
4 V
15 A
45 A
150 W
200
°C
65
to
+
150
°C
手册， halfpage
10
2
MGP390
MGP391
手册， halfpage
200
IC
(A)
P合计
(W)
ΙΙ
100
10
TH = 70
°C
TMB = 25
°C
Ι
1
1
10
16.5
0
VCE （ V）
10
2
0
100
TH（ ° C）
200
我连续运行（F
＆ GT ;
1兆赫）
第二短时不匹配时的操作; （F
＆ GT ;
1兆赫） 。
图2直流飙升。
日MB -H
= 0.2 K / W 。
Fig.3
电源/温度降额曲线;
R
日MB -H
= 0.2 K / W 。
热阻
耗散= 96瓦;牛逼
mb
= 25
°C
从结点到安装基座
（射频操作）
从安装底座到散热片
R
日J- MB
R
日MB -H
=
=
1.05 K / W
0.2 K / W
1986年8月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率晶体管
特征
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
集电极 - 基极击穿电压
发射极开路;我
C
= 100毫安
集电极 - 发射极击穿电压
开基;我
C
= 200毫安
发射极 - 基极击穿电压
集电极开路;我
E
= 20毫安
集电极截止电流
V
BE
= 0; V
CE
= 16 V
二次击穿能量
L = 25 mH的; F = 50赫兹;
BE
= 10
直流电流增益
V
CE
= 10 V ;我
C
= 10 A
集电极电容在f = 1 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 12,5 V
反馈电容在f = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 12,5 V
集电极 - 佛罗里达州安格电容
C
re
C
cf
典型值。
典型值。
C
c
典型值。
h
FE
分钟。
典型值。
E
丁苯橡胶
分钟。
I
CES
马克斯。
V
（ BR ） EBO
分钟。
V
（ BR ） CEO
分钟。
V
（ BR ） CBO
分钟。
BLV75/12
36 V
16,5 V
4 V
44毫安
20兆焦耳
15
55
240 pF的
150 pF的
3 pF的
MGP392
手册， halfpage
80
800
手册， halfpage
Cc
（PF ）
MGP393
VCE = 12.5 V
的hFE
10 V
40
400
0
0
10
20
30
IC （ A）
40
0
0
10
VCB （ V）
20
Fig.4
直流电流增益与集电极电流;
T
j
= 25
°C.
Fig.5
输出电容与V
CB
; I
E
= i
e
= 0;
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
1986年8月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率晶体管
应用
R. F.表现C.W.操作（共发射极电路; B类）
F = 175 MHz的;牛逼
h
= 25
°C;
R
日MB -H
= 0.2 K / W
操作模式
窄带; C.W.
V
CE
V
12,5
P
L
W
75
G
p
dB
＆ GT ;
6,5
（典型值） 。 7,5
BLV75/12
η
C
%
＆ GT ;
55
（典型值） 。 63
手册，全页宽
C2
C20
50
C1
L1
L2
C4
L3
C6
L4
T.U.T.
L7
C8 C10
L8
C13 C15
L11
C17
C18
50
C3
C5
C7
L5
C9
L9
C11
C16
C19
R1
L6
R2
C12
C14
+V
CC
MGP394
L10
图6的B类测试电路在f = 175兆赫。
1986年8月
5
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