飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率晶体管
描述
N-P - N型硅平面外延
晶体管主要用于在使用
在移动无线电发射机
175 MHz的commmunications带。
特点
多基的结构和
发射极镇流电阻的
最适温度曲线
黄金金属确保
卓越的可靠性
内部匹配,以达到
最佳的宽带能力,
高功率增益
该晶体管的6引脚法兰
信封用陶瓷帽
( SOT - 119 ) 。所有的引脚均从隔离
凸缘。
快速参考数据
R.F.性能达至T
h
= 25
°C
在一个共发射极B类电路
操作模式
窄带; C.W.
引脚配置
V
CE
V
12,5
f
兆赫
175
P
L
W
75
钉扎
针
1
手册, halfpage
BLV75/12
G
p
dB
& GT ;
6,5
η
C
%
& GT ;
55
描述
辐射源
辐射源
BASE
集热器
辐射源
辐射源
1
2
2
3
4
5
6
3
4
5
6
MSB006
Fig.1简体outlinbe , SOT119A 。
产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全
安全规定, BeO的光盘不被损坏。
1986年8月
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率晶体管
应用
R. F.表现C.W.操作(共发射极电路; B类)
F = 175 MHz的;牛逼
h
= 25
°C;
R
日MB -H
= 0.2 K / W
操作模式
窄带; C.W.
V
CE
V
12,5
P
L
W
75
G
p
dB
& GT ;
6,5
(典型值) 。 7,5
BLV75/12
η
C
%
& GT ;
55
(典型值) 。 63
手册,全页宽
C2
C20
50
C1
L1
L2
C4
L3
C6
L4
T.U.T.
L7
C8 C10
L8
C13 C15
L11
C17
C18
50
C3
C5
C7
L5
C9
L9
C11
C16
C19
R1
L6
R2
C12
C14
+V
CC
MGP394
L10
图6的B类测试电路在f = 175兆赫。
1986年8月
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