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分立半导体

数据表

M3D076

BLV59

UHF线性功率晶体管

产品speci fi cation

取代1993年3月的数据

1998年1月09

飞利浦半导体

产品speci fi cation

UHF线性功率晶体管

特点

内部输入匹配，以达到最佳

宽带能力和高功率增益

发射极镇流电阻更低的结

温度

钛 - 铂 - 金金属确保使用寿命长

和出色的可靠性。

应用

UHF线性放大器在电视发射机。

描述

NPN硅平面外延功率晶体管封装

采用6引线SOT171A法兰封装用陶瓷帽。

所有引线从凸缘分离。

顶视图

MAM141

BLV59

钉扎 - SOT171A

针

符号

描述

辐射源

BASE

集热器

辐射源

手册， halfpage

Fig.1简化外形和符号。

快速参考数据

射频性能在T

= 25

°C

在一个共发射极AB类电路。

操作模式

CW ， AB类

（兆赫）

860

(V)

(W)

（ dB）的

(%)

>50

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。

所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

1998年1月09

飞利浦半导体

产品speci fi cation

UHF线性功率晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（ AV ）

合计

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

平均集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

工作结温

＆ GT ;

1兆赫

= 25

°C;

＆ GT ;

1兆赫

开基

集电极开路

条件

发射极开路

分钟。

BLV59

马克斯。

3.5

+150

200

单位

°C

MGP379

MGP380

手册， halfpage

100

(A)

TH = 70

°C

TAMB = 25

°C

P合计

(W)

(2)

(1)

VCE （ V）

100

TH（ ° C）

200

日MB -H

= 0.4 K / W 。

（ 1 ）连续运行（F

＆ GT ;

1兆赫）。

（2）不匹配时短时操作（六

＆ GT ;

1兆赫）。

图2 DC飙升。

Fig.3

电源/温度降额曲线。

1998年1月09

飞利浦半导体

产品speci fi cation

UHF线性功率晶体管

热特性

符号

日J- MB

日MB -H

参数

从结热阻安装基座

从安装底座到散热片的热阻

条件

= 25

°C,

合计

= 50 W

价值

2.3

0.4

BLV59

单位

K / W

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CES

（SBR）

参数

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家泄漏电流

二次击穿能量

直流电流增益

集电极电容

反馈电容

集电极 - 佛罗里达州安格电容

条件

发射极开路;我

= 50毫安

集电极开路;我

= 10毫安

= 27 V; V

= 0

= 24 V ;我

= 2 A

= 25 V ;我

= 0; F = 1 MHz的

分钟。

3.5

典型值。

马克斯。

单位

集电极 - 发射极击穿电压开放的基础;我

= 100毫安

L = 25 mH的; F = 50赫兹;

= 10

= 25 V ;我

= i

= 0; F = 1 MHz的

手册， halfpage

100

MGP381

MGP382

手册， halfpage

100

VCE = 25 V

的hFE

20 V

（PF ）

IC （ A）

VCB （ V）

= 25

°C.

= i

= 0; F = 1兆赫。

Fig.4

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.5

集电极电容的一个函数

集电极 - 基极电压;典型值

1998年1月09

飞利浦半导体

产品speci fi cation

UHF线性功率晶体管

应用信息

RF性能可达到吨

= 25

°C

在一个共发射极AB类电路;

日MB -H

= 0.4 K / W 。

操作模式

CW ， AB类

记

（兆赫）

860

(V)

C（ ZS ）

（MA ）

（ dB）的

TYP 。 8.5

(W)

(%)

>50

（典型值）。 55

BLV59

（ dB）的

(1)

（典型值）。 0.2

1.假设一个3阶幅度传输特性，为1 dB增益压缩对应

在电视业务30 ％的同步输入/ 25 ％同步输出压缩（负调制， CCIR系统）。

坚固耐用的AB类操作

该BLV59是能够承受通过所有阶段，在额定负荷相当于VSWR = 10的负载不匹配

在下列条件下功率： V

= 25 V ; F = 860 MHz的;牛逼

= 25

°C;

日MB -H

= 0.4 K / W ;我

C（ ZS ）

= 60 mA的电流。

手册，全页宽

D.U.T.

C10

C12

L10

C14

L11

C16

C18

C19

C11

C13

C15

C17

C20

C21

MGP383

温度补偿偏置（R

＆ LT ;

0.1

图6 AB类测试电路，在860兆赫。

1998年1月09

ASI BLV59

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI BLV59

是一个普通的

发射装置而设计

A类和AB类放大器

在电视频段IV- V应用

发射器。

功能包括：

黄金金属化

Intrnal匹配

发射极镇流

包装样式0.230 6FLG 。

最大额定值

DISS

英镑

10 A

50 V

80瓦@ T

= 25 C

-55℃至+ 200C

-55℃至+ 150℃

2.2 C / W

1 ，3，4 & 6 =辐射源

2 - 基

5 =收藏家

特征

符号

首席执行官

CES

EBO

IMD

= 50毫安

= 20毫安

= 25 C

测试条件

最小典型最大

4.0

5.0

100

8.0

9.0

-48

-60

单位

---

dBc的

= 5.0 V

= 28 V

= 25 V

视力= -8.0分贝

= 1.0A

F = 1.0 MHz的

= 60毫安

音效= -10分贝

OUT

= 30.0 W

色度= -16分贝

= 25 V

视力= -8.0分贝

= 1.6 A

音效= -10分贝

OUT

= 15 W

色度= -16分贝

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

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