【分立半导体数据表BLV45/12甚高频功率晶体管产品speci fi cation1986年8月】,IC型号BLV45/12,BLV45/12 PDF资料,BLV45/12经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

BLV45/12

甚高频功率晶体管

产品speci fi cation

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

描述

N-P - N型硅平面外延

晶体管主要用于在使用

在移动无线电发射机

175 MHz的commmunications带。

特点

多基的结构和

发射极镇流电阻的

最适温度曲线

黄金金属确保

卓越的可靠性

内部匹配，以达到

最佳的宽带能力，

高功率增益

该晶体管的6引脚法兰

信封用陶瓷帽

（ SOT - 119 ）。所有的引脚均从隔离

凸缘。

快速参考数据

R.F.性能达至T

= 25

°C

在一个共发射极B类电路

操作模式

窄带; C.W.

引脚配置

12,5

兆赫

175

钉扎

针

手册， halfpage

BLV45/12

＆ GT ;

6,5

＆ GT ;

描述

辐射源

BASE

集热器

辐射源

MSB006

Fig.1简体outlinbe ， SOT119A 。

产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全

安全规定， BeO的光盘不被损坏。

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

峰值

集电极 - 发射极电压（开基）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流

直流或平均

峰值; F

＆ GT ;

1兆赫

总功耗

在T

= 25

°C;

＆ GT ;

1兆赫

储存温度

工作结温

合计

英镑

马克斯。

CBOM

首席执行官

EBO

马克斯。

BLV45/12

36 V

16,5 V

4 V

9 A

27 A

90 W

200

°C

150

°C

MGP347

手册， halfpage

160

MGP348

(A)

TH = 70

°C

TMB = 25

°C

P合计

(W)

ΙΙ

16.5

VCE （ V）

100

TH（ ° C）

200

我连续运行（F

＆ GT ;

1兆赫）

第二短时不匹配时的操作; （F

＆ GT ;

1兆赫）

日MB -H

= 0.2 K / W 。

图2直流飙升。

Fig.3

电源/温度降额曲线;

日MB -H

= 0.2 K / W 。

热阻

耗散= 68瓦;牛逼

= 25

°C

从结点到安装基座

（射频损耗）

从安装底座到散热片

日J- MB

日MB -H

1,58 K / W

0.2 K / W

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

特征

= 25

°C

除非另有规定编

集电极 - 基极击穿电压

发射极开路;我

= 50毫安

集电极 - 发射极击穿电压

开基;我

= 100毫安

发射极 - 基极击穿电压

集电极开路;我

= 10毫安

集电极截止电流

= 0; V

= 16 V

二次击穿能量

L = 25 mH的; F = 50赫兹;

= 10

直流电流增益

= 10 V ;我

= 6 A

集电极电容在f = 1 MHz的

= i

= 0; V

= 12,5 V

集电极 - 佛罗里达州安格电容

反馈电容在f = 1 MHz的

= 0; V

= 12,5 V

典型值。

丁苯橡胶

＆ GT ;

典型值。

CES

＆ LT ;

（ BR ） EBO

＆ GT ;

（ BR ） CEO

＆ GT ;

（ BR ） CBO

＆ GT ;

BLV45/12

36 V

16,5 V

4 V

22毫安

12.5兆焦耳

130 pF的

3 pF的

80 pF的

MGP349

手册， halfpage

100

手册， halfpage

400

MGP350

的hFE

VCE = 12.5 V

10 V

（PF ）

200

IC （ A）

VCB （ V）

Fig.4

直流电流增益与集电极电流;

= 25

°C.

Fig.5

输出电容与V

; I

= i

= 0;

F = 1兆赫;牛逼

= 25

°C

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

应用信息

R. F.表现C.W.操作（共发射极电路; B类）

F = 175 MHz的;牛逼

= 25

°C;

日MB -H

= 0.2 K / W

操作模式

窄带; C.W.

12,5

＆ GT ;

典型值。

6,5

8,0

BLV45/12

＆ GT ;

典型值。

手册，全页宽

T.U.T.

L10

C10

C12

C11

MGP351

图6的B类测试电路在f = 175兆赫。

组件的列表：

= C11 = C12 = 4 40 pF的液膜电剪（货号2222 809 07008 ）

= C10 = 10pF的多层瓷介片状电容器

(1)

= 2.5 20 pF的液膜电介质修剪器（目录号2222 809 07004 ）

= C5 = 91 pF的多层瓷介片状电容器

(1)

= 820 pF的多层瓷介片状电容器

(1)

= C8 = 2

4.7 pF的积层陶瓷贴片电容器

(1)

并联

= 100 nF的电容涤纶

=带， 28毫米

4 mm

= 4圈铜丝（ 1.0毫米） ; int.dia 。 4,0毫米;长7.5毫米;导致2

3,5 mm

=带， 22毫米

6 mm

= 1回合铜丝（ 0.8毫米） ; int.dia 。 3,0毫米;导致2

9 mm

= L9 = Ferroxcube公司宽带H.F.呛， 3B级（目录号4312 020 36640 ）

=带， 12毫米

6 mm

= 2圈漆包铜线（ 1.6毫米） ; int.dia 。 5,0毫米;长7.0毫米;导致2

5 mm

= 2圈漆包铜线（ 1.6毫米） ; int.dia 。 5,0毫米;长7.0毫米;导致2

3 mm

L10 =带， 18毫米

4 mm

L1，L3， L6和L10是条带在具有环氧树脂音响冰川玻璃电介质双铜包层的印刷电路板，

厚度1/16英寸。

记

1.美国技术陶瓷电容器型100B或相同质量的电容。

= 4,7

的10％，碳的电阻

1986年8月

分立半导体

数据表

BLV45/12

甚高频功率晶体管

产品speci fi cation

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

描述

N-P - N型硅平面外延

晶体管主要用于在使用

在移动无线电发射机

175 MHz的commmunications带。

特点

多基的结构和

发射极镇流电阻的

最适温度曲线

黄金金属确保

卓越的可靠性

内部匹配，以达到

最佳的宽带能力，

高功率增益

该晶体管的6引脚法兰

信封用陶瓷帽

（ SOT - 119 ）。所有的引脚均从隔离

凸缘。

快速参考数据

R.F.性能达至T

= 25

°C

在一个共发射极B类电路

操作模式

窄带; C.W.

引脚配置

12,5

兆赫

175

钉扎

针

手册， halfpage

BLV45/12

＆ GT ;

6,5

＆ GT ;

描述

辐射源

BASE

集热器

辐射源

MSB006

Fig.1简体outlinbe ， SOT119A 。

产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全

安全规定， BeO的光盘不被损坏。

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

峰值

集电极 - 发射极电压（开基）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流

直流或平均

峰值; F

＆ GT ;

1兆赫

总功耗

在T

= 25

°C;

＆ GT ;

1兆赫

储存温度

工作结温

合计

英镑

马克斯。

CBOM

首席执行官

EBO

马克斯。

BLV45/12

36 V

16,5 V

4 V

9 A

27 A

90 W

200

°C

150

°C

MGP347

手册， halfpage

160

MGP348

(A)

TH = 70

°C

TMB = 25

°C

P合计

(W)

ΙΙ

16.5

VCE （ V）

100

TH（ ° C）

200

我连续运行（F

＆ GT ;

1兆赫）

第二短时不匹配时的操作; （F

＆ GT ;

1兆赫）

日MB -H

= 0.2 K / W 。

图2直流飙升。

Fig.3

电源/温度降额曲线;

日MB -H

= 0.2 K / W 。

热阻

耗散= 68瓦;牛逼

= 25

°C

从结点到安装基座

（射频损耗）

从安装底座到散热片

日J- MB

日MB -H

1,58 K / W

0.2 K / W

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

特征

= 25

°C

除非另有规定编

集电极 - 基极击穿电压

发射极开路;我

= 50毫安

集电极 - 发射极击穿电压

开基;我

= 100毫安

发射极 - 基极击穿电压

集电极开路;我

= 10毫安

集电极截止电流

= 0; V

= 16 V

二次击穿能量

L = 25 mH的; F = 50赫兹;

= 10

直流电流增益

= 10 V ;我

= 6 A

集电极电容在f = 1 MHz的

= i

= 0; V

= 12,5 V

集电极 - 佛罗里达州安格电容

反馈电容在f = 1 MHz的

= 0; V

= 12,5 V

典型值。

丁苯橡胶

＆ GT ;

典型值。

CES

＆ LT ;

（ BR ） EBO

＆ GT ;

（ BR ） CEO

＆ GT ;

（ BR ） CBO

＆ GT ;

BLV45/12

36 V

16,5 V

4 V

22毫安

12.5兆焦耳

130 pF的

3 pF的

80 pF的

MGP349

手册， halfpage

100

手册， halfpage

400

MGP350

的hFE

VCE = 12.5 V

10 V

（PF ）

200

IC （ A）

VCB （ V）

Fig.4

直流电流增益与集电极电流;

= 25

°C.

Fig.5

输出电容与V

; I

= i

= 0;

F = 1兆赫;牛逼

= 25

°C

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

应用信息

R. F.表现C.W.操作（共发射极电路; B类）

F = 175 MHz的;牛逼

= 25

°C;

日MB -H

= 0.2 K / W

操作模式

窄带; C.W.

12,5

＆ GT ;

典型值。

6,5

8,0

BLV45/12

＆ GT ;

典型值。

手册，全页宽

T.U.T.

L10

C10

C12

C11

MGP351

图6的B类测试电路在f = 175兆赫。

组件的列表：

= C11 = C12 = 4 40 pF的液膜电剪（货号2222 809 07008 ）

= C10 = 10pF的多层瓷介片状电容器

(1)

= 2.5 20 pF的液膜电介质修剪器（目录号2222 809 07004 ）

= C5 = 91 pF的多层瓷介片状电容器

(1)

= 820 pF的多层瓷介片状电容器

(1)

= C8 = 2

4.7 pF的积层陶瓷贴片电容器

(1)

并联

= 100 nF的电容涤纶

=带， 28毫米

4 mm

= 4圈铜丝（ 1.0毫米） ; int.dia 。 4,0毫米;长7.5毫米;导致2

3,5 mm

=带， 22毫米

6 mm

= 1回合铜丝（ 0.8毫米） ; int.dia 。 3,0毫米;导致2

9 mm

= L9 = Ferroxcube公司宽带H.F.呛， 3B级（目录号4312 020 36640 ）

=带， 12毫米

6 mm

= 2圈漆包铜线（ 1.6毫米） ; int.dia 。 5,0毫米;长7.0毫米;导致2

5 mm

= 2圈漆包铜线（ 1.6毫米） ; int.dia 。 5,0毫米;长7.0毫米;导致2

3 mm

L10 =带， 18毫米

4 mm

L1，L3， L6和L10是条带在具有环氧树脂音响冰川玻璃电介质双铜包层的印刷电路板，

厚度1/16英寸。

记

1.美国技术陶瓷电容器型100B或相同质量的电容。

= 4,7

的10％，碳的电阻

1986年8月