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分立半导体

数据表

BLV33

甚高频线性功率晶体管

产品speci fi cation

取代1995年11月数据

1996年10月10日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频线性功率晶体管

特点

扩散发射极镇流电阻的最佳

温度曲线

黄金夹层金属确保卓越的

可靠性。

应用

主要是用在直链的VHF放大器中使用

电视发射机和。

手册， halfpage

BLV33

钉扎 - SOT147

针

符号

辐射源

BASE

辐射源

描述

集热器

描述

NPN硅平面外延晶体管封装在一个

" 4 fslead SOT147封装绞盘用陶瓷帽。

所有引线从螺柱隔离。

顶视图

MAM270

Fig.1简化外形和符号。

快速参考数据

RF性能在一个共发射极推挽测试电路。

的模式

手术

CW ， A类

CW ， AB类

笔记

1.三音测试方法（图像载波

分贝，伴音载波

分贝，边带信号

分贝），零分贝对应于

高峰同步的水平。

2.电视服务（负调制， CCIR系统）。

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。

所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

视力

（兆赫）

224.25

(V)

, I

C（ ZS ）

(A)

3.2

0.1

(°C)

(1)

（ dB）的

同步

(1)

(W)

>16.5

（典型值）。 26

（典型值）。 90

（ dB）的

（典型值）。 9.7

（典型值）。 6.5

30/25

同步COMPR 。

(2)

在同步/同步进行

(%)

1996年10月10日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频线性功率晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CESM

首席执行官

EBO

C（ AV ）

合计

英镑

参数

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

平均集电极电流

峰值集电极电流

总功耗（ DC）

RF功率耗散

储存温度

工作结温

F > 1兆赫

= 25

°C

F >为1 MHz ;牛逼

= 25

°C

= 0

开基

集电极开路

条件

分钟。

马克斯。

12.5

132

165

+150

200

BLV33

单位

°C

热特性

符号

日J- MB （ DC ）

日J- MB （ RF）

日MB -H

参数

热阻结到

安装底座（ DC散热）

热阻结到

安装底座（ RF损耗）

从安装热阻

底座到散热片

条件

DISS

= 80瓦;牛逼

= 82

°C;

= 70

°C

DISS

= 80瓦;牛逼

= 82

°C;

= 70

°C

DISS

= 80瓦;牛逼

= 82

°C;

= 70

°C

价值

1.46

1.17

0.15

单位

K / W

手册， halfpage

MGG120

手册， halfpage

200

MGG119

(A)

P合计

(W)

150

(1)

(2)

(3)

100

(1)

VCE （ V）

TH（ ° C）

100

(1) T

= 25

°C.

(2) T

= 70

°C.

（3）第二次击穿极限（与温度无关）。

（ 1 ）连续DC （包括RF A类）的操作。

（ 2）连续的RF操作。

图2 DC飙升。

图3功率降额曲线。

1996年10月10日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频线性功率晶体管

BLV33

手册，全页宽

2.0

MGG121

RTH J-

（K / W）

1.8

100

1.6

1.4

150

°C

125

°C

1.2

°C

1.0

日MB -H

= 0.15 K / W 。

100

°C

TJ = 200

°C

175

°C

P合计（W）的

150

Fig.4

结点的最大热阻到散热片作为功耗的功能，与散热片

和结点温度作为参数。

例子

标称A类操作： V

= 25 V ;我

= 3.2 A;牛逼

= 70

°C.

图4所示：

第j个小时

=最大。 1.60 K / W

=最大。 198

°C.

典型的设备：

第j个小时

= typ.1.50 K / W

= （典型值）。 190

°C.

1996年10月10日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频线性功率晶体管

特征

= 25

°C;

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） CES

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CES

CESAT

参数

条件

分钟。

典型值。

0.75

680

750

155

BLV33

马克斯。

100

单位

兆赫

集电极 - 发射极击穿电压V

= 0; I

= 25毫安

集电极 - 发射极击穿电压开放的基础;我

= 100毫安

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极开路;我

= 10毫安

= 0; V

= 30 V

= 25 V ;我

= 3 A;注1

= 6 A;我

= 0.6 A;注1

= 25 V ;我

F = 100 MHz的;注意2

= 25 V ;我

F = 100 MHz的;注意2

= 100毫安; V

= 25 V;

F = 1 MHz的

笔记

集电极电容

反馈电容

集电极电容螺柱

= 25 V ;我

= i

= 0; F = 1 MHz的

脉冲条件下测得的1 ：吨

≤

300

s; δ ≤

0.02.

脉冲条件下测得的2 ：吨

≤

s; δ ≤

0.01.

1996年10月10日

BLV33

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI BLV33

是一个共发射极

器件专为A级

电视应用。

包装样式0.500 4L螺柱

功能包括：

黄金金属化

发射极镇流

最大额定值

CESM

首席执行官

DISS

英镑

12.5 A

65 V

33 V

132 W @ T

= 25 °C

-65℃ + 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

1.5 ° C / W

1 = COLLECTOR

2 & 4 =辐射源

3 = BASE

订货编号： ASI10498

特征

符号

首席执行官

CES

EBO

CES

= 25°C

测试条件

= 100毫安

= 25毫安

= 10毫安

= 30 V

= 25 V

F = 224.25兆赫

= 100毫安

= 3.0 A

= 6.0 A

= 3.2 A

OUT

= 19 W

= 3.0 A

F = 1.0 MHz的

最小典型最大

4.0

155

3.0

680

750

9.0

9.7

100

单位

---

兆赫

---

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

1/3

BLV33

错误！未找到引用源。

图。 1互调失真（D

）和功率

获得作为输出功率的函数。

图。 2交叉调制失真（D

）为

输出功率的函数。

条件图。 1和2：

典型值; V

= 25 V ;我

= 3.2 A;牛逼

= 25°C牛逼...

= 70 ℃; F

视力

= 224.25兆赫。

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

2/3

BLV33

错误！未找到引用源。

图。 3 V

= 28 V ;我

C（ ZS ）

= 100毫安;牛逼

= 70 °C;

视力

= 224.25兆赫。

图。 4 V

= 28 V ;我

C（ ZS ）

= 100毫安;牛逼

= 70 °C;

视力

= 224.25兆赫;典型值。

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

3/3