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分立半导体

数据表

BLV25

甚高频功率晶体管

产品speci fi cation

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

描述

N-P - N型硅平面外延

主要用于使用晶体管

v.h.f. - F.M.广播发射机。

特点

对于内部匹配的输入

宽带运营和高

功率增益;

多基的结构和扩散

发射极镇流电阻的

最适温度曲线;

黄金金属确保

出色的可靠性。

该晶体管具有一

在6引线

法兰外壳用陶瓷帽。

所有引线从凸缘分离。

快速参考数据

R.F.性能达至T

= 25

°C

在未中和的共发射极B类电路。

模式操作

窄带; C.W.

引脚配置

兆赫

108

175

＆ LT ;

17,5

＆ GT ;

10,0

钉扎

针

手册， halfpage

BLV25

＆ GT ;

描述

辐射源

BASE

集热器

辐射源

MSB006

Fig.1简化外形， SOT119A 。

产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全

安全规定， BeO的光盘不被损坏。

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

集电极 - 发射极电压

（峰值） ; V

= 0

开基

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流

直流或平均

（峰值） ; F

＆ GT ;

1兆赫

在T总功率耗散

= 25

°C

R.F.功耗（F

＆ GT ;

1 MHz时） ;牛逼

= 25

°C

R.F.功耗（F

＆ GT ;

1 MHz时） ;牛逼

= 70

°C

储存温度

工作结温

; I

C（ AV ）

TOT （直流）

TOT （射频）

英镑

马克斯。

CESM

首席执行官

EBO

马克斯。

BLV25

65 V

33 V

4 V

17, 5 A

35 A

220 W

270 W

146 W

+150 °C

200

°C

手册， halfpage

MGP294

手册， halfpage

300

MGP295

P合计

(A)

TMB = 25

°C

(1)

(W)

ΙΙΙ

200

ΙΙ

TH = 70

°C

100

VCE （ V）

TH（ ° C）

100

（1 ）第二击穿极限。

我连续直流手术

二连续射频操作（F

＆ GT ;

1兆赫）

第三短时不匹配时的操作; （F

＆ GT ;

1兆赫）。

图2直流飙升。

图3功率降额曲线与温度的关系。

热阻

（损耗= 150瓦;吨

= 72

°C,

即牛逼

= 42

°C)

从结点到安装基座（直流功耗）

从结点到安装基座（射频损耗）

从安装底座到散热片

日J- MB （ DC ）

日J- MB （ RF）

日MB -H

最大

0.85 K / W

0,60 K / W

0.2 K / W

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

特征

= 25

°C

集电极 - 发射极击穿电压

= 0; I

= 50毫安

开基;我

= 200毫安

发射极 - 基极击穿电压

集电极开路;我

= 20毫安

集电极截止电流

= 0; V

= 33 V

二次击穿能量; L = 25 mH的; F = 50赫兹

开基

= 10

直流电流增益

(1)

= 8.5 A; V

= 25 V

集电极 - 发射极饱和电压

(1)

= 20 A;我

= 4,0 A

跃迁频率在f

100兆赫

(2)

= 8.5 A; V

= 25 V

= 20 A; V

= 25 V

集电极电容在f = 1 MHz的

= I

= 0; V

= 25 V

反馈电容在f = 1 MHz的

= 100毫安; V

= 25 V

集电极 - 佛罗里达州安格电容

笔记

脉冲条件下测得的1 ：吨

≤

300

s; δ ≤

0,02.

脉冲条件下测得的2 ：吨

≤

s; δ ≤

0,01.

典型值。

CESAT

典型值。

15至100

SBO

丁苯橡胶

＆ GT ;

CES

＆ LT ;

（ BR ） EBO

＆ GT ;

（ BR ） CES

（ BR ） CEO

＆ GT ;

BLV25

65 V

33 V

4 V

25毫安

20兆焦耳

1,6 V

600兆赫

275 pF的

155 pF的

3 pF的

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

甚高频功率晶体管

BLV25

手册， halfpage

MGP296

手册， halfpage

800

MGP297

的hFE

典型值

（兆赫）

典型值

400

IC （ A）

E（ A）

图4 V

= 25 V ;牛逼

= 25

°C.

图5 V

= 25 V

;

F = 100 MHz的;吨

= 25

°C.

MGP298

手册， halfpage

600

（PF ）

典型值

300

VCB （ V）

图6我

= I

= 0; F = 1兆赫;牛逼

= 25

°C.

1986年8月

BLV25

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI BLV25

是28 V型硅NPN

功率晶体管的设计主要是为

VHF调频广播发射机。

包装样式0.500 6L FLG

2个0：N

，完全R

产品特点：

28 V工作电压

= 10分贝175 W / 108 MHz的

Omnigold

金属化系统

扩散镇流电阻

暗淡

.725/18,42

M尼加拉瓜妇女协会UM

英寸/ M M

M IM AX UM

英寸/ M M

最大额定值

CESM

首席执行官

EBO

DISS

英镑

17.5 A

65 V

33 V

4.0 V

220 W @ T

= 25 °C

-65℃ + 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

0.80 ° C / W

.150 / 3.43

.045 / 1.14

.210 / 5.33

.835 / 21.21

.200 / 5.08

.490 / 12.45

.003 / 0.08

.125 / 3.18

.725 / 18.42

.970 / 24.64

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.120 / 3.05

.160 / 4.06

.220 / 5.59

.865 / 21.97

.210 / 5.33

.510 / 12.95

.007 / 0.18

.980 / 24.89

.105 / 2.67

.170 / 4.32

.285 / 7.24

.135 / 3.43

1 = COLLECTOR

2&4 =辐射源

3 = BASE

特征

符号

CES

首席执行官

EBO

CES

CESAT

= 50毫安

= 25°C

NONETEST

条件

= 200毫安

= 20毫安

= 33 V

= 25 V

= 20 A

= 25 V

= 28 V

OUT

= 175 W

= 8.5 A

= 4.0 A

F = 1.0 MHz的

F = 108兆赫

最小典型最大

4.0

1.6

275

100

单位

---

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

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