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分立半导体
数据表
BLV103
超高频功率晶体管
产品speci fi cation
1993年3月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特点
内部匹配为最佳
宽带能力和高增益
发射极镇流电阻
最适温度曲线
黄金金属确保
出色的可靠性。
描述
NPN硅平面外延型晶体管
封装在一个6引脚SOT171
法兰外壳用陶瓷帽。它
适用于公共发射极，
在蜂窝式无线电AB类操作
在960兆赫基站
频带。所有的线索都隔离
从安装基座。
钉扎 - SOT171
K， halfpage
BLV103
快速参考数据
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共发射极的测试电路。
操作模式
C.W. AB类
f
（兆赫）
960
V
CE
(V)
24
P
L
(W)
4
G
p
（ dB）的
＆ GT ;
11.5
η
C
(%)
＆ GT ;
45
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全规定
该氧化铍盘不被损坏。所有的人谁处理，使用或处置
该产品应该知道它的性质和所需的安全性的
预防措施。使用后，处理为根据化学品或特殊废物
规定施加于用户的位置。它绝不能丢
用一般的或生活垃圾。
引脚配置
针
1
2
3
4
5
6
描述
辐射源
辐射源
BASE
集热器
辐射源
辐射源
顶视图
1
3
5
2
手册， halfpage
c
4
6
b
MBB012
e
MBA931 - 1
Fig.1简化外形和符号。
1993年3月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
存储温度范围
结工作温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
直流或平均值
T
mb
= 25
°C
65
分钟。
BLV103
马克斯。
50
30
4
1.25
17
150
200
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
5
手册， halfpage
IC
(A)
TMB = 25
o
C
TH = 70
o
C
(1)
MRA366
MRA365
手册，
25
halfpage
P合计
(W)
20
(3)
(2)
(1)
1
15
10
5
0.1
1
10
VCE （ V）
10
2
0
0
20
40
60
80
100
120
o
C)
日（
（1 ）第二击穿极限（与温度无关） 。
（ 1）连续的直流操作。
（ 2）连续的RF操作。
（ 3 ）不匹配，在短时间的操作。
图2 DC飙升。
图3电源/温度降额。
热阻
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
参数
从结点到安装基座
从安装底座到散热片
条件
T
mb
= 25
°C;
P
DIS
= 17 W
10.3
0.4
马克斯。
单位
K / W
K / W
1993年3月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C.
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
C
c
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
直流电流增益
集电极电容
条件
发射极开路;
I
C
= 4毫安
开基;
I
C
= 30毫安
集电极开路;
I
E
= 2毫安
V
BE
= 0;
V
CE
= 30 V
V
CE
= 25 V;
I
C
= 300毫安
V
CB
= 25 V;
I
E
= I
e
= 0;
F = 1 MHz的
V
CE
= 25 V;
I
C
能力= 20 mA ;
F = 1 MHz的
分钟。
50
30
4
20
典型值。
40
6.6
BLV103
MAX 。 UNIT
1
8
pF
V
V
V
mA
C
re
反馈电容
3.5
4.5
pF
手册，
50
halfpage
MRA361
手册， halfpage
20
MRA358
的hFE
40
VCE = 25 V
Cc
（PF ）
5V
10
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
IC （ A）
1
0
0
10
20
VCB （ V）
30
I
E
= i
e
= 0; F = 1兆赫。
Fig.4
直流电流增益作为集电体的功能
目前，典型值。
Fig.5
集电极电容的一个函数
集电极 - 基极电压，典型值。
1993年3月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
应用信息
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共发射极的测试电路中，R
日MB -H
= 0.4 K / W 。
操作模式
C.W. AB类
960
960
f
（兆赫）
24
26
V
CE
(V)
5
5
I
CQ
（MA ）
4
4
P
L
(W)
G
P
（ dB）的
＆ GT ;
11.5
（典型值） 。 13
（典型值） 。 14
BLV103
η
c
(%)
＆ GT ;
45
（典型值） 。 48
（典型值） 。 50
手册， halfpage
16
MRA359
80
MRA364
8
手册， halfpage
PL
(W)
6
VCE = 26 V
24 V
GP
（ dB）的
12
η
GP
(%)
60
8
η
40
4
4
20
2
0
0
0
2
4
6
PL （W）的
8
0
0
200
400
600
800
PIN （MW ）
AB类操作;我
CQ
= 5毫安
;
F = 960 MHz的;
V
CE
= 24 V.
AB类操作;我
CQ
= 5毫安
;
F = 960兆赫。
Fig.6
增益和效率负载的功能
功率，典型值。
Fig.7
负载功率为驱动力的作用，
典型值。
坚固耐用的AB类操作
该BLV103是能够承受满载的
通过所有1 ：对应的VSWR = 50不匹配
以下下的额定输出功率相
条件：
V
CE
= 24 V ; F = 960 MHz的;牛逼
h
= 25
°C;
R
日MB -H
= 0.4 K / W 。
1993年3月
5
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