飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
描述
N-P - N型硅平面外延
晶体管主要用于在使用
在u.h.f.移动无线发射机
乐队。晶体管也很
适用于本申请
900兆赫移动无线电频段。
特点
多基的结构和扩散
发射极镇流电阻的
最适温度曲线;
黄金金属确保
出色的可靠性。
该BLU99有一个4领先螺柱
信封用陶瓷帽
( SOT122A ) 。所有的线索都隔离
从螺栓。该BLU99 / SL是一个
无钉防滑版本( SOT122D ) 。
快速参考数据
R.F.表现在T
h
= 25
°C
在一个共发射极B类电路。
操作模式
窄带; C.W.
V
CE
V
12,5
12,5
f
兆赫
470
900
P
L
W
5
4
& GT ;
典型值。
G
p
dB
BLU99
BLU99/SL
η
C
%
10,5
& GT ;
7,0典型。
60
60
引脚配置
钉扎 - SOT122A ; SOT122D
针
fpage
描述
集热器
辐射源
BASE
辐射源
4
1
2
3
4
AGE
4
1
3
1
3
2
顶视图
MBK187
2
MSB055
Fig.1
简化的轮廓。
SOT122A
(BLU99).
Fig.2
简化的轮廓。
SOT122D
(BLU99/SL).
产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全
安全规定, BeO的光盘不被损坏。
1993年3月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定编
集电极 - 基极击穿电压
发射极开路;我
C
= 10毫安
集电极 - 发射极击穿电压
开基;我
C
= 20毫安
发射极 - 基极击穿电压
集电极开路;我
E
= 1毫安
集电极截止电流
V
BE
= 0; V
CE
= 16 V
二次击穿能量; L = 25 mH的; F = 50赫兹
R
BE
= 10
直流电流增益
(2)
I
C
= 0.6 A; V
CE
= 10 V
跃迁频率在f = 500 MHz的
(1)
I
C
= 0.6 A; V
CE
= 12,5 V
集电极电容在f = 1 MHz的
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 12,5 V
反馈电容在f = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 12,5 V
集电极电容螺柱
笔记
脉冲条件下测得的1 :吨
p
= 50
微秒; δ <
0,01.
脉冲条件下测得的2 :吨
p
= 300
微秒; δ <
0,01.
C
re
C
cs
典型值。
典型值。
C
c
典型值。
f
T
典型值。
h
FE
E
丁苯橡胶
& GT ;
& GT ;
典型值。
I
CES
& LT ;
V
( BR ) EBO
& GT ;
V
( BR ) CEO
& GT ;
V
( BR ) CBO
& GT ;
BLU99
BLU99/SL
36 V
16 V
3 V
5毫安
1兆焦耳
25
100
4,0 GHz的
7.5 pF的
5 pF的
1,2 pF的
1993年3月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
BLU99
BLU99/SL
手册, halfpage
120
MDA374
手册, halfpage
5
MDA375
的hFE
fT
(千兆赫)
4
80
3
2
40
1
0
0
0.8
1.6
IC ( A)
2.4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
IE浏览器( A)
2
Fig.5
V
CE
= 10 V ;牛逼
j
= 25
°C;
(典型值) 。值。
Fig.6
V
CB
= 12.5 V ; F = 500 MHz的;吨
j
= 25
°C;
(典型值) 。值。
手册, halfpage
16
Cc
MDA376
(PF )
14
12
10
8
6
0
4
8
12
16
20
VCB ( V)
我图7
E
= i
e
= 0; F = 1兆赫; (典型值) 。值。
1993年3月
5