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分立半导体
数据表
BLU60/12
超高频功率晶体管
产品speci fi cation
1986年3月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
描述
N-P - N型硅平面外延
晶体管SOT- 119封
主要是用在移动使用
在470 MHz的无线电发射器
通信频段。
特点
多基的结构和
发射极镇流电阻的
最佳的温度分布。
内部匹配，以达到
最佳的宽带能力，
高功率增益。
黄金金属确保
出色的可靠性。
快速参考数据
R.F.性能达至T
h
= 25
°C
在一个共发射极B类电路
操作模式
窄带; C.W.
V
CE
V
12,5
f
兆赫
470
P
L
W
60
G
p
dB
＆ GT ;
4,4
BLU60/12
该晶体管的6引脚法兰
信封用陶瓷帽。所有
引线从凸缘分离。
η
C
%
＆ GT ;
55
引脚配置
钉扎
针
1
描述
辐射源
辐射源
BASE
集热器
辐射源
辐射源
手册， halfpage
1
2
2
3
4
5
6
3
4
5
6
MSB006
Fig.1简化外形， SOT119A 。
产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全
安全规定， BeO的光盘不被损坏。
1986年3月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
评级
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
直流或平均
（峰值） ; F
＆ GT ;
1兆赫
总功耗
在T
mb
= 25
°C;
f
＆ GT ;
1兆赫
储存温度
工作结温
P
合计
T
英镑
T
j
马克斯。
马克斯。
I
C
I
CM
马克斯。
马克斯。
V
CBOM
V
首席执行官
V
EBO
马克斯。
马克斯。
马克斯。
BLU60/12
36 V
16,5 V
4 V
12 A
36 A
110 W
200
°C
65
to
+
150
°C
手册， halfpage
200
PRF
MDA345
(W)
150
100
II
I
50
0
0
40
80
120
160
200
日（
°C)
我连续操作（F > 1兆赫） 。
二短时操作过程中的不匹配（F > 1兆赫） 。
图2电源/温度降额曲线。
最大热阻
耗散= 72瓦;牛逼
AMB
= 25
°C
从结点到安装基座（射频操作）
从安装底座到散热片
R
日J- MB
R
日MB -H
马克斯。
马克斯。
1,4 K / W
0.2 K / W
1986年3月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定编
集电极 - 基极击穿电压
发射极开路;我
C
= 100毫安
集电极 - 发射极击穿电压
开基;我
C
= 200毫安
发射极 - 基极击穿电压
集电极开路;我
E
= 20毫安
集电极截止电流
V
BE
= 0; V
CE
= 16 V
二次击穿能量
L = 25 mH的; F = 50赫兹;
BE
= 10
直流电流增益
V
CE
= 10 V ;我
C
= 8 A
集电极电容在f = 1 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 12,5 V
反馈电容在f = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 12,5
集电极 - 佛罗里达州安格电容
C
re
C
cf
C
c
h
FE
E
丁苯橡胶
I
CES
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
BLU60/12
分钟。
分钟。
分钟。
马克斯。
分钟。
分钟。
典型值。
典型值。
典型值。
典型值。
36 V
16,5 V
4 V
44毫安
15兆焦耳
15
60
170 pF的
100 pF的
3 pF的
手册， halfpage
100
MDA336
手册， halfpage
400
Cc
MDA337
的hFE
80
VCE = 12.5 V
10 V
（PF ）
300
60
200
40
100
20
0
0
10
20
30
IC （ A）
40
0
0
4
8
12
16
20
VCB （ V）
Fig.3
直流电流增益与集电极电流;
T
j
= 25
°C.
Fig.4
输出电容与V
CB
; I
E
= i
e
= 0;
F = 1兆赫。
1986年3月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
应用信息
R.F.表现在T
h
= 25
°C
在一个共发射极B类电路
操作模式
V
CE
V
12,5
f
兆赫
470
P
L
W
60
G
p
dB
＆ GT ;
4,4
（典型值） 。 5,5
BLU60/12
η
C
%
＆ GT ;
55
（典型值） 。 62
窄带; C.W.
手册，全页宽
C1
50
C3
C2
,,,, ,,,,,
,,,,
L5
C7
C12
L6
C5
D.U.T.
L1
L2
C6
C4
L7
C8
L3
R1
L4
C9
L8
R2
+V
CC
C10
MDA338
C13
50
C11
图5 B类测试电路在f = 470兆赫。
组件的列表：
C1 = C13 = 1,8至10 pF的液膜电介质修剪器（目录号2222 809 05002 ）
C2 = C11 = 1,4至5,5 pF的液膜电介质修剪器（目录号2222 809 09001 ）
C3 = 12 pF的多层瓷介片状电容器
(1)
C4 = C5 = 8,2 pF的多层瓷介片状电容器
(2)
C6 = C7 = 15 pF的多层瓷介片状电容器
(1)
C8 = 110 pF的多层瓷介片状电容器
(1)
C9 = 3
×
100nF的多层瓷介片状电容器并联
C10 = 2,2
F
（ 35 V ）电解电容
C12 = 5,6 pF的多层瓷介片状电容器
(1)
L1 = 34,6
带状线（ 17毫米
×
4 mm)
L 2 = L 5 = 25,3带状线（6毫米
×
6 mm)
L3 = 45 nH的; 4匝，密绕漆包铜导线（ 0.5毫米） ; int类型。直径。 2.5毫米;导致2
×
5 mm
L4 = L8 = Ferroxcube公司宽带H.F.呛， 3B级（目录号4312 020 36642 ）
L6 = 29,2
带状线（ 25,5毫米
×
5 mm)
L7 = 10 nH的; 1回合铜导线（ 1,0毫米） ; int类型。直径。 5毫米;导致2
×
5 mm
R1 = 1
±
5 ％ （ 0.4 W）金属液膜电阻
R2 = 10
±
5 ％ （ 1.0 W）金属液膜电阻
笔记
1.美国技术陶瓷电容B型或相同质量的电容。
2.同上A型
1986年3月
5
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