【分立半导体数据表BLU60/12超高频功率晶体管产品speci fi cation1986年3月】,IC型号BLU60-12,BLU60-12 PDF资料,BLU60-12经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

BLU60/12

超高频功率晶体管

产品speci fi cation

1986年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

描述

N-P - N型硅平面外延

晶体管SOT- 119封

主要是用在移动使用

在470 MHz的无线电发射器

通信频段。

特点

多基的结构和

发射极镇流电阻的

最佳的温度分布。

内部匹配，以达到

最佳的宽带能力，

高功率增益。

黄金金属确保

出色的可靠性。

快速参考数据

R.F.性能达至T

= 25

°C

在一个共发射极B类电路

操作模式

窄带; C.W.

12,5

兆赫

470

＆ GT ;

4,4

BLU60/12

该晶体管的6引脚法兰

信封用陶瓷帽。所有

引线从凸缘分离。

＆ GT ;

引脚配置

钉扎

针

描述

辐射源

BASE

集热器

辐射源

手册， halfpage

MSB006

Fig.1简化外形， SOT119A 。

产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全

安全规定， BeO的光盘不被损坏。

1986年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

峰值

集电极 - 发射极电压（开基）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流

直流或平均

（峰值） ; F

＆ GT ;

1兆赫

总功耗

在T

= 25

°C;

＆ GT ;

1兆赫

储存温度

工作结温

合计

英镑

马克斯。

CBOM

首席执行官

EBO

马克斯。

BLU60/12

36 V

16,5 V

4 V

12 A

36 A

110 W

200

°C

150

°C

手册， halfpage

200

PRF

MDA345

(W)

150

100

120

160

200

日（

°C)

我连续操作（F > 1兆赫）。

二短时操作过程中的不匹配（F > 1兆赫）。

图2电源/温度降额曲线。

最大热阻

耗散= 72瓦;牛逼

AMB

= 25

°C

从结点到安装基座（射频操作）

从安装底座到散热片

日J- MB

日MB -H

马克斯。

1,4 K / W

0.2 K / W

1986年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

特征

= 25

°C

除非另有规定编

集电极 - 基极击穿电压

发射极开路;我

= 100毫安

集电极 - 发射极击穿电压

开基;我

= 200毫安

发射极 - 基极击穿电压

集电极开路;我

= 20毫安

集电极截止电流

= 0; V

= 16 V

二次击穿能量

L = 25 mH的; F = 50赫兹;

= 10

直流电流增益

= 10 V ;我

= 8 A

集电极电容在f = 1 MHz的

= i

= 0; V

= 12,5 V

反馈电容在f = 1 MHz的

= 0; V

= 12,5

集电极 - 佛罗里达州安格电容

丁苯橡胶

CES

（ BR ） EBO

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

BLU60/12

分钟。

马克斯。

分钟。

典型值。

36 V

16,5 V

4 V

44毫安

15兆焦耳

170 pF的

100 pF的

3 pF的

手册， halfpage

100

MDA336

手册， halfpage

400

MDA337

的hFE

VCE = 12.5 V

10 V

（PF ）

300

200

100

IC （ A）

VCB （ V）

Fig.3

直流电流增益与集电极电流;

= 25

°C.

Fig.4

输出电容与V

; I

= i

= 0;

F = 1兆赫。

1986年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

应用信息

R.F.表现在T

= 25

°C

在一个共发射极B类电路

操作模式

12,5

兆赫

470

＆ GT ;

4,4

（典型值）。 5,5

BLU60/12

＆ GT ;

（典型值）。 62

窄带; C.W.

手册，全页宽

,,,, ,,,,,

,,,,

C12

D.U.T.

C10

MDA338

C13

C11

图5 B类测试电路在f = 470兆赫。

组件的列表：

C1 = C13 = 1,8至10 pF的液膜电介质修剪器（目录号2222 809 05002 ）

C2 = C11 = 1,4至5,5 pF的液膜电介质修剪器（目录号2222 809 09001 ）

C3 = 12 pF的多层瓷介片状电容器

(1)

C4 = C5 = 8,2 pF的多层瓷介片状电容器

(2)

C6 = C7 = 15 pF的多层瓷介片状电容器

(1)

C8 = 110 pF的多层瓷介片状电容器

(1)

C9 = 3

100nF的多层瓷介片状电容器并联

C10 = 2,2

（ 35 V ）电解电容

C12 = 5,6 pF的多层瓷介片状电容器

(1)

L1 = 34,6

带状线（ 17毫米

4 mm)

L 2 = L 5 = 25,3带状线（6毫米

6 mm)

L3 = 45 nH的; 4匝，密绕漆包铜导线（ 0.5毫米） ; int类型。直径。 2.5毫米;导致2

5 mm

L4 = L8 = Ferroxcube公司宽带H.F.呛， 3B级（目录号4312 020 36642 ）

L6 = 29,2

带状线（ 25,5毫米

5 mm)

L7 = 10 nH的; 1回合铜导线（ 1,0毫米） ; int类型。直径。 5毫米;导致2

5 mm

R1 = 1

5 ％（ 0.4 W）金属液膜电阻

R2 = 10

5 ％（ 1.0 W）金属液膜电阻

笔记

1.美国技术陶瓷电容B型或相同质量的电容。

2.同上A型

1986年3月

分立半导体

数据表

BLU60/12

超高频功率晶体管

产品speci fi cation

1986年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

描述

N-P - N型硅平面外延

晶体管SOT- 119封

主要是用在移动使用

在470 MHz的无线电发射器

通信频段。

特点

多基的结构和

发射极镇流电阻的

最佳的温度分布。

内部匹配，以达到

最佳的宽带能力，

高功率增益。

黄金金属确保

出色的可靠性。

快速参考数据

R.F.性能达至T

= 25

°C

在一个共发射极B类电路

操作模式

窄带; C.W.

12,5

兆赫

470

＆ GT ;

4,4

BLU60/12

该晶体管的6引脚法兰

信封用陶瓷帽。所有

引线从凸缘分离。

＆ GT ;

引脚配置

钉扎

针

描述

辐射源

BASE

集热器

辐射源

手册， halfpage

MSB006

Fig.1简化外形， SOT119A 。

产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全

安全规定， BeO的光盘不被损坏。

1986年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

峰值

集电极 - 发射极电压（开基）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流

直流或平均

（峰值） ; F

＆ GT ;

1兆赫

总功耗

在T

= 25

°C;

＆ GT ;

1兆赫

储存温度

工作结温

合计

英镑

马克斯。

CBOM

首席执行官

EBO

马克斯。

BLU60/12

36 V

16,5 V

4 V

12 A

36 A

110 W

200

°C

150

°C

手册， halfpage

200

PRF

MDA345

(W)

150

100

120

160

200

日（

°C)

我连续操作（F > 1兆赫）。

二短时操作过程中的不匹配（F > 1兆赫）。

图2电源/温度降额曲线。

最大热阻

耗散= 72瓦;牛逼

AMB

= 25

°C

从结点到安装基座（射频操作）

从安装底座到散热片

日J- MB

日MB -H

马克斯。

1,4 K / W

0.2 K / W

1986年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

特征

= 25

°C

除非另有规定编

集电极 - 基极击穿电压

发射极开路;我

= 100毫安

集电极 - 发射极击穿电压

开基;我

= 200毫安

发射极 - 基极击穿电压

集电极开路;我

= 20毫安

集电极截止电流

= 0; V

= 16 V

二次击穿能量

L = 25 mH的; F = 50赫兹;

= 10

直流电流增益

= 10 V ;我

= 8 A

集电极电容在f = 1 MHz的

= i

= 0; V

= 12,5 V

反馈电容在f = 1 MHz的

= 0; V

= 12,5

集电极 - 佛罗里达州安格电容

丁苯橡胶

CES

（ BR ） EBO

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

BLU60/12

分钟。

马克斯。

分钟。

典型值。

36 V

16,5 V

4 V

44毫安

15兆焦耳

170 pF的

100 pF的

3 pF的

手册， halfpage

100

MDA336

手册， halfpage

400

MDA337

的hFE

VCE = 12.5 V

10 V

（PF ）

300

200

100

IC （ A）

VCB （ V）

Fig.3

直流电流增益与集电极电流;

= 25

°C.

Fig.4

输出电容与V

; I

= i

= 0;

F = 1兆赫。

1986年3月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

超高频功率晶体管

应用信息

R.F.表现在T

= 25

°C

在一个共发射极B类电路

操作模式

12,5

兆赫

470

＆ GT ;

4,4

（典型值）。 5,5

BLU60/12

＆ GT ;

（典型值）。 62

窄带; C.W.

手册，全页宽

,,,, ,,,,,

,,,,

C12

D.U.T.

C10

MDA338

C13

C11

图5 B类测试电路在f = 470兆赫。

组件的列表：

C1 = C13 = 1,8至10 pF的液膜电介质修剪器（目录号2222 809 05002 ）

C2 = C11 = 1,4至5,5 pF的液膜电介质修剪器（目录号2222 809 09001 ）

C3 = 12 pF的多层瓷介片状电容器

(1)

C4 = C5 = 8,2 pF的多层瓷介片状电容器

(2)

C6 = C7 = 15 pF的多层瓷介片状电容器

(1)

C8 = 110 pF的多层瓷介片状电容器

(1)

C9 = 3

100nF的多层瓷介片状电容器并联

C10 = 2,2

（ 35 V ）电解电容

C12 = 5,6 pF的多层瓷介片状电容器

(1)

L1 = 34,6

带状线（ 17毫米

4 mm)

L 2 = L 5 = 25,3带状线（6毫米

6 mm)

L3 = 45 nH的; 4匝，密绕漆包铜导线（ 0.5毫米） ; int类型。直径。 2.5毫米;导致2

5 mm

L4 = L8 = Ferroxcube公司宽带H.F.呛， 3B级（目录号4312 020 36642 ）

L6 = 29,2

带状线（ 25,5毫米

5 mm)

L7 = 10 nH的; 1回合铜导线（ 1,0毫米） ; int类型。直径。 5毫米;导致2

5 mm

R1 = 1

5 ％（ 0.4 W）金属液膜电阻

R2 = 10

5 ％（ 1.0 W）金属液膜电阻

笔记

1.美国技术陶瓷电容B型或相同质量的电容。

2.同上A型

1986年3月