飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
描述
NPN硅平面外延型晶体管
主要用于在手持使用
在900MHz的广播电台
通信频段。
该装置的设计
专门为乙类的操作。
引脚配置
特点
内部输入匹配电容
用于高功率增益
黄金金属确保
卓越的可靠性
该晶体管的4引脚无钉防滑
信封用陶瓷帽
（ SOT122D ） 。所有的线索都隔离
从安装基座。
钉扎
1 = COLLECTOR
2 - 发射极
3 = BASE
4 =辐射源
Fig.1简化外形， SOT122D 。
2
MSB055
BLT92/SL
快速参考数据
射频性能在T
mb
= 25
°C
在一个共发射极B类电路
操作模式
CW （ B类）
V
CE
(V)
7.5
f
（兆赫）
900
P
L
(W)
3.0
G
p
（ dB）的
＆ GT ;
7.0
η
C
(%)
＆ GT ;
50
手册， halfpage
4
1
3
产品安全本设备采用氧化铍（氧化铍） ，粉尘这是有毒的。该装置是
完全安全设置，内部BeO的光盘不被损坏。
1989年5月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定编
集电极 - 基极击穿电压
发射极开路;我
C
= 10毫安
集电极 - 发射极击穿电压
开基;我
C
= 20毫安
发射极 - 基极击穿电压
集电极开路;我
E
= 2毫安
集电极截止电流
V
BE
= 0; V
CE
= 10 V
二次击穿能量
L = 25 mH的; F = 50赫兹;
BE
= 10
直流电流增益
I
C
= 600毫安; V
CE
= 5 V
集电极电容在f = 1 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 7.5 V
反馈电容在f = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 7.5 V
集电极 - 安装底座电容
C
re
C
C- MB
典型值。
典型值。
C
c
典型值。
h
FE
＆ GT ;
E
丁苯橡胶
＆ GT ;
I
CES
＆ LT ;
V
（ BR ） EBO
＆ GT ;
V
（ BR ） CEO
＆ GT ;
V
（ BR ） CBO
＆ GT ;
BLT92/SL
20 V
10 V
3.0 V
5.0毫安
1.0兆焦耳
25
11 pF的
6.0 pF的
1.2 pF的
手册， halfpage
24
MDA298
Cc
（PF ）
16
8
0
0
2
4
6
8
10
VCB （ V）
图3集电极电容作为集电极 - 基极电压的函数; F = 1兆赫;我
E
= i
e
= 0;典型值。
1989年5月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
应用信息
在连续工作的射频性能（共发射极电路; B类） ; F = 900 MHz的;牛逼
mb
= 25
°C
操作模式
V
CE
(V)
7.5
P
L
(W)
3.0
＆ GT ;
典型值。
G
p
（ dB）的
7.0
8.5
BLT92/SL
η
C
(%)
＆ GT ;
典型值。
50
57
B级; CW
手册，全页宽
50
,,,,,,,, ,,,,,,,
,,,,,,,, ,,,,,,,
L1
C4
L2
L3
D.U.T.
L4
C5
L5
C6
C9
L6
C1
C2
C3
C7
C8
C10
L7
L8
L10
R1
L9
C12
R2
C13
C14
C11
50
+ Vcc的
MDA299
图4的B类测试电路在f = 900兆赫。
组件的列表：
C1
C3
C4
C11
L1
L2
L3
L5
L6
L7
L8
L9
R1
= C 2 = C 8 = C 10 = 1.4至5.5 pF的液膜电介质修剪器（目录号2222 809 09001 ）
= C6 = C7 = 3.3 pF的多层瓷介片状电容器
(1)
= C5 = C9 = 5.6 pF的多层瓷介片状电容器
(1)
= C12 = C13 = 180 pF的多层瓷介片状电容器
= 50
带状线（25毫米
×
2.4 mm)
= 50
带状线（ 11毫米
×
2.4 mm)
= L4 = 25
带状线（ 11.5毫米
×
6.0 mm)
= 50
带状线（7.0毫米
×
2.4 mm)
= 50
带状线（ 27.0毫米
×
2.4 mm)
= 4圈密绕漆包铜线英寸（0.4毫米） ， INT 。直径;. 3mm时，与铁素体拍
（目录号4330 830 32221 ）在coldside引线
= 1回合铜丝（1.0 MM） ; int类型。直径。 5.5毫米;长2毫米;导致2
×
5 mm
= L10 = Ferroxcube公司宽带高频扼流圈， 3B级（目录号4312 020 36642 ）
= R2 = 10
±
5％ ; 0.25 W的金属液膜电阻
C14 = 1
F
（ 35 V ）钽电容
上有PTFE音响breglass电介质双铜包层印刷电路板的带状线（ ε
r
= 2.2);
厚度1/32英寸;铜的片材2的厚度
×
35
m.
记
1.美国技术陶瓷电容型100A或同等质量的电容。
1989年5月
5
QQ：2880707522 复制
