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分立半导体
数据表
BLT53
超高频功率晶体管
产品speci fi cation
1991年5月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特点
发射极镇流电阻的
最适温度曲线
黄金金属确保
卓越的可靠性
可承受满负荷不匹配。
描述
NPN硅平面外延型晶体管
封装在一个4引线SOT122D
无钉防滑外壳用陶瓷帽。
它被设计为共发射极，
在便携式无线电B类操作
在470 MHz的发射器
通信频段。所有的线索都
分离从安装法兰上。
钉扎 - SOT122D
针
1
2
3
4
描述
集热器
辐射源
BASE
辐射源
1
手册， halfpage
halfpage
BLT53
快速参考数据
射频性能在T
mb
= 25
°C
在一个共发射极的测试电路。
的模式
手术
C.W. B类
f
（兆赫）
470
7.5
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全规定
该氧化铍盘不被损坏。所有的人谁处理，使用或处置
该产品应该知道它的性质和所需的安全性的
预防措施。使用后，处理为根据化学品或特殊废物
规定施加于用户的位置。它绝不能丢
用一般的或生活垃圾。
V
CE
(V)
8
P
L
(W)
G
p
（ dB）的
＆ GT ;
6
η
c
(%)
＆ GT ;
60
引脚配置
4
c
3
b
MBB012
e
2
MSB055
Fig.1简化外形和符号。
1991年5月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
, I
C（ AV ）
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流
总功耗
存储温度范围
结工作温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
直流或平均值
峰值
f
＆ GT ;
1兆赫
RF操作;
T
mb
= 25
°C
65
分钟。
马克斯。
20
10
3
2.5
7.5
35.5
150
200
BLT53
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
手册， halfpage
10
MCD192
手册， halfpage
50
MCD193
IC
(A)
P合计
(W)
40
TMB = 25
o
C
70
o
C
30
(3)
(2)
(1)
1
20
10
10
1
1
10
VCE （ V）
10
2
0
0
40
80
120
160
TMB （
o
C)
（ 1）连续的直流操作。
（ 2）连续的RF操作（六
＆ GT ;
1兆赫） 。
（ 3 ）不匹配，在短时间的操作（F
＆ GT ;
1兆赫） 。
图2 DC飙升。
图3功率降额曲线。
热阻
符号
R
日J- MB （ RF）
参数
从结点到安装基座
条件
P
合计
= 35.5 W;
T
mb
= 25
°C
马克斯。
4.9
单位
K / W
1991年5月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C.
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
f
T
C
c
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极电容
条件
发射极开路;
I
C
= 20毫安
开基;
I
C
= 40毫安
集电极开路;
I
E
= 4毫安
V
BE
= 0;
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5 V;
I
C
= 1.2 A
V
CE
= 7.5 V;
I
E
= 1.6 A
V
CB
= 7.5 V;
I
E
= I
e
= 0;
F = 1 MHz的
V
CE
= 7.5 V;
I
C
= 0;
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
分钟。
20
10
3
25
典型值。
3.9
24
BLT53
马克斯。
1
单位
V
V
V
mA
GHz的
pF
C
re
反馈电容
17
pF
C
C- MB
集电极 - 安装底座电容
1.2
pF
MCD194
手册，
80
halfpage
MCD195
的hFE
60
手册，
50
halfpage
Cc
（PF ）
40
30
40
20
20
10
0
0
2
4
IC （ A）
6
0
0
4
8
VCB （ V）
12
V
CE
= 5 V.
I
E
= i
e
= 0; F = 1兆赫。
Fig.4
直流电流增益作为集电体的功能
目前，典型值。
Fig.5
集电极电容的一个函数
集电极 - 基极电压，典型值。
1991年5月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
BLT53
MCD196
5
手册， halfpage
fT
（千兆赫）
4
3
2
1
0
0
2
4
IE浏览器（ A）
6
V
CB
= 7.5 V.
Fig.6
过渡频率作为发射体的功能
目前，典型值。
1991年5月
5
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