BLS6G2731-120;
BLS6G2731S-120
LDMOS S波段雷达功率晶体管
版本01 - 2008年11月14日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
120适用于雷达应用的2.7 GHz到3.1 GHz的W LDMOS功率晶体管
范围内。
表1中。
典型性能
典型的射频性能在T
例
= 25
°
℃;吨
p
= 100
s;
δ
= 10 %; I
Dq
= 100毫安;在AB类
生产测试电路。
操作模式
脉冲射频
f
（千兆赫）
2.7到3.1
V
DS
(V)
32
P
L
(W)
120
G
p
（ dB）的
13.5
η
D
(%)
48
t
r
（纳秒）
20
t
f
（纳秒）
6
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2产品特点
I
典型的脉冲RF性能在频率为2.7千兆赫至3.1千兆赫，一个电源电压
32 V，一个I
Dq
100mA的，一吨
p
100
s
同
δ
： 10％
N
输出功率= 120瓦
N
功率增益 - 13.5分贝
N
EF网络效率= 48 ％
I
简单的电源控制
I
集成ESD保护
I
高灵活性相对于脉冲格式
I
出色的耐用性
I
高英法fi效率
I
优良的热稳定性
I
专为宽带运营（ 2.7 GHz至3.1 GHz）的
I
内部匹配的易用性
I
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
恩智浦半导体
BLS6G2731-120 ; BLS6G2731S -120
LDMOS S波段雷达功率晶体管
1.3应用
I
S波段功率放大器器在2.7 GHz至3.1 GHz频段雷达应用
范围
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
漏
门
来源
[1]
简化的轮廓
图形符号
BLS6G2731-120 （ SOT502A ）
1
3
2
2
3
sym112
1
BLS6G2731S - 120 （ SOT502B ）
1
2
3
漏
门
来源
[1]
1
3
2
2
1
3
sym112
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BLS6G2731-120
-
描述
VERSION
FL anged LDMOST陶瓷封装; 2安装孔; SOT502A
2引线
无耳FL anged LDMOST陶瓷封装; 2引线
SOT502B
类型编号
BLS6G2731S - 120 -
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
储存温度
结温
民
-
0.5
-
65
-
最大
60
+13
33
+150
225
单位
V
V
A
°C
°C
BLS6G2731-120_6G2731S-120_1
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5.热特性
表5 。
符号
Z
日（ J- MB ）
热特性
参数
瞬态热阻抗
结到安装基座
条件
T
例
= 85
°C;
P
L
= 120 W
t
p
= 100
s; δ
= 10 %
t
p
= 200
s; δ
= 10 %
t
p
= 300
s; δ
= 10 %
t
p
= 100
s; δ
= 20 %
0.23 K / W
0.28 K / W
0.32 K / W
0.33 K / W
典型值
单位
6.特性
表6 。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
V
GS （ TH）
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
条件
V
DS
= 10 V ;我
D
= 180毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 9 A
最小值典型值
60
1.4
-
27
-
8.1
-
-
1.8
-
33
-
13
最大
-
2.4
4.2
-
450
-
单位
V
V
A
A
nA
S
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0 V ;我
D
- 0.6毫安
漏源导通电阻V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 6.3 A
0.085 0.135
7.应用信息
表7中。
应用信息
经营方式：脉冲射频;吨
p
= 100
s;
δ
= 10％ ;射频性能在V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 100毫安;
T
例
= 25
°
℃;除非另有规定版，在AB类生成电路。
符号
P
L
V
CC
G
p
RL
in
P
L(1dB)
η
D
P
下垂（脉冲）
t
r
t
f
参数
输出功率
电源电压
功率增益
输入回波损耗
1 dB增益压缩输出功率
漏EF网络效率
脉冲功率下垂
上升时间
下降时间
P
L
= 120 W
P
L
= 120 W
P
L
= 120 W
P
L
= 120 W
P
L
= 120 W
P
L
= 120 W
P
L
= 120 W
条件
最小值典型值
-
-
12
-
-
40
-
-
-
120
-
7
130
48
0
20
6
最大单位
-
32
-
-
-
0.5
50
50
W
V
dB
dB
W
%
dB
ns
ns
13.5 -
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典型阻抗
Z
S
3.4
j7.2
3.8
j5.9
4.7
j4.8
6.3
j4.1
8.8
j4.9
Z
L
4.6
j4.4
3.8
j4.6
3.0
j4.6
2.3
j4.3
1.8
j3.9
表8 。
f
GHz的
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
漏
Z
L
门
Z
S
001aaf059
图1 。
晶体管阻抗德网络nition
7.1耐用的AB类操作
该BLS6G2731-120和BLS6G2731S -120能够承受的负载的
在以下通过所有阶段1 ：对应的VSWR = 5不匹配
条件： V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 100毫安; P
L
= 120瓦;牛逼
p
= 100
s; δ
= 10 %.
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图7.2
15
G
p
（ dB）的
13
(1)
(3)
(2)
001aaj091
15
G
p
（ dB）的
13
(1)
(3)
(2)
001aaj092
11
11
9
9
7
0
40
80
120
P
L
(W)
160
7
0
40
80
120
P
L
(W)
160
V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 100毫安;牛逼
p
= 300
s; δ
= 10 %.
（ 1 ） F = 2.7 GHz的
（ 2 ） F = 2.9 GHz的
（3） F = 3.1千兆赫
V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 100毫安;牛逼
p
= 100
s; δ
= 20 %.
（ 1 ） F = 2.7 GHz的
（ 2 ） F = 2.9 GHz的
（3） F = 3.1千兆赫
图2.功率增益负载功率的函数;典型
值
60
η
D
(%)
40
(3)
(1)
图3.功率增益为负载功率的函数;典型
值
60
(1)
001aaj093
001aaj094
η
D
(%)
40
(2)
(2)
(3)
20
20
0
0
40
80
120
P
L
(W)
160
0
0
40
80
120
P
L
(W)
160
V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 100毫安;牛逼
p
= 300
s; δ
= 10 %.
（ 1 ） F = 2.7 GHz的
（ 2 ） F = 2.9 GHz的
（3） F = 3.1千兆赫
V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 100毫安;牛逼
p
= 100
s; δ
= 20 %.
（ 1 ） F = 2.7 GHz的
（ 2 ） F = 2.9 GHz的
（3） F = 3.1千兆赫
图4.漏EF网络效率的负载功率的函数;
典型值
图5.漏极英法fi效率随着负载功率的函数;
典型值
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