【分立半导体数据表M3D324BLS3135-10微波功率晶体管产品speci fi cation20】,IC型号BLS3135-10,BLS3135-10 PDF资料,BLS3135-10经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

M3D324

BLS3135-10

微波功率晶体管

产品speci fi cation

2000年2月1

飞利浦半导体

产品speci fi cation

微波功率晶体管

特点

适合短期和中期脉冲应用

内部输入和输出匹配网络的一个简单的

电路设计

发射极镇流电阻，提高耐用性

镀金保证了出色的可靠性

相互交叉的发射极 - 基体结构提供了高

发射器效率

多单元的几何形状提高了权力分享和降低

热阻。

手册， halfpage

BLS3135-10

钉扎 - SOT445C

针

集热器

辐射源

基地;连接法兰FL

描述

应用

公共基C类脉冲功率放大器雷达

应用程序在3.1至3.5 GHz范围内。

描述

NPN硅平面外延微波功率晶体管

2引线的矩形凸缘封装用陶瓷帽

（ SOT445C ）与连接到共同的基

FL法兰。

快速参考数据

射频性能在T

= 25

°C

在一个共同的基类- C测试电路。

操作模式

脉冲C类

（千兆赫）

3.1 3.5

(V)

(W)

≥10

顶视图

MBK132

Fig.1简化外形。

（ dB）的

（典型值）。 9

(%)

（典型值）。 40

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。

所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

2000年2月1

飞利浦半导体

产品speci fi cation

微波功率晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

CES

EBO

合计

英镑

SLD

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

工作结温

焊接温度

达0.2mm的陶瓷帽;吨

≤

10 s

发射极开路

= 0

集电极开路

≤

100

s; δ ≤

10%

= 100

s; δ

= 10%; T

= 25

°C

条件

分钟。

BLS3135-10

马克斯。

1.5

+200

200

235

单位

°C

热特性

符号

第j个小时

参数

条件

= 200

s; δ

= 10％ ;注1

= 300

s; δ

= 10％ ;注1

记

根据脉冲微波工作条件1.等效热阻。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CES

CBO

CES

EBO

参数

集电极 - 基极击穿电压

收藏家泄漏电流

射极漏泄电流

直流电流增益

条件

= 2.5毫安;发射极开路

= 40 V ;我

= 0

= 40 V; V

= 0

= 1.5 V ;我

= 0

= 5 V ;我

= 0.25 A

分钟。

0.3

0.5

0.1

马克斯。

单位

价值

5.2

5.8

6.3

单位

K / W

从结到散热器牛逼的热阻抗

= 100

s; δ

= 10％ ;注1

集电极 - 发射极击穿电压余

= 2.5毫安; V

= 0

应用信息

射频性能在T

= 25

°C

在共基极电路的测试。

操作模式

C类;吨

= 100

s; δ

= 10%

（千兆赫）

3.1 3.5

(V)

(W)

≥10

（ dB）的

≥7.5

（典型值）。 9

(%)

≥35

（典型值）。 40

2000年2月1

飞利浦半导体

产品speci fi cation

微波功率晶体管

BLS3135-10

手册， halfpage

MCD856

手册， halfpage

(1)

(2)

(3)

MCD857

(W)

（ dB）的

(2)

(3)

0.5

PD （W）的

1.5

PL （W）的

= 40 V ; C类;吨

= 100

s; δ

= 10%.

（1） F = 3.1千兆赫。

（ 2 ） F = 3.3千兆赫。

（ 3 ） F = 3.5千兆赫。

= 40 V ; C类;吨

= 100

s; δ

= 10%.

（1） F = 3.1千兆赫。

（ 2 ） F = 3.3千兆赫。

（ 3 ） F = 3.5千兆赫。

Fig.2

负载功率为驱动电源的功能;

典型值。

Fig.3

功率增益随着负载功率的函数;

典型值。

手册， halfpage

MCD858

(%)

手册， halfpage

MCD859

回报

损失

（ dB）的

(3)

(2)

(1)

（ dB）的

回报

损失

PL （W）的

3.2

3.4

F（千兆赫）

3.6

= 40 V ; C类;吨

= 100

s; δ

= 10%.

（1） F = 3.1千兆赫。

（ 2 ） F = 3.3千兆赫。

（ 3 ） F = 3.5千兆赫。

= 40 V ; C类; P

= 10瓦;牛逼

= 100

s; δ

= 10%.

Fig.4

集电极效率作为负载的函数

电源;典型值。

Fig.5

功率增益和输入回波损耗为

频率的函数;典型值。

2000年2月1

飞利浦半导体

产品speci fi cation

微波功率晶体管

BLS3135-10

手册， halfpage

MCD860

手册， halfpage

MCD861

()

3.2

3.4

F（千兆赫）

3.6

3.2

3.4

F（千兆赫）

3.6

= 40 V ; C类; P

= 10 W.

= 40 V ; C类; P

= 10 W.

Fig.6

输入阻抗作为频率的函数的

（系列组件） ;典型值。

Fig.7

负载阻抗作为频率的函数的

（系列组件） ;典型值。

2000年2月1

分立半导体

数据表

M3D324

BLS3135-10

微波功率晶体管

产品speci fi cation

2000年2月1

飞利浦半导体

产品speci fi cation

微波功率晶体管

特点

适合短期和中期脉冲应用

内部输入和输出匹配网络的一个简单的

电路设计

发射极镇流电阻，提高耐用性

镀金保证了出色的可靠性

相互交叉的发射极 - 基体结构提供了高

发射器效率

多单元的几何形状提高了权力分享和降低

热阻。

手册， halfpage

BLS3135-10

钉扎 - SOT445C

针

集热器

辐射源

基地;连接法兰FL

描述

应用

公共基C类脉冲功率放大器雷达

应用程序在3.1至3.5 GHz范围内。

描述

NPN硅平面外延微波功率晶体管

2引线的矩形凸缘封装用陶瓷帽

（ SOT445C ）与连接到共同的基

FL法兰。

快速参考数据

射频性能在T

= 25

°C

在一个共同的基类- C测试电路。

操作模式

脉冲C类

（千兆赫）

3.1 3.5

(V)

(W)

≥10

顶视图

MBK132

Fig.1简化外形。

（ dB）的

（典型值）。 9

(%)

（典型值）。 40

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。

所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

2000年2月1

飞利浦半导体

产品speci fi cation

微波功率晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

CES

EBO

合计

英镑

SLD

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

工作结温

焊接温度

达0.2mm的陶瓷帽;吨

≤

10 s

发射极开路

= 0

集电极开路

≤

100

s; δ ≤

10%

= 100

s; δ

= 10%; T

= 25

°C

条件

分钟。

BLS3135-10

马克斯。

1.5

+200

200

235

单位

°C

热特性

符号

第j个小时

参数

条件

= 200

s; δ

= 10％ ;注1

= 300

s; δ

= 10％ ;注1

记

根据脉冲微波工作条件1.等效热阻。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CES

CBO

CES

EBO

参数

集电极 - 基极击穿电压

收藏家泄漏电流

射极漏泄电流

直流电流增益

条件

= 2.5毫安;发射极开路

= 40 V ;我

= 0

= 40 V; V

= 0

= 1.5 V ;我

= 0

= 5 V ;我

= 0.25 A

分钟。

0.3

0.5

0.1

马克斯。

单位

价值

5.2

5.8

6.3

单位

K / W

从结到散热器牛逼的热阻抗

= 100

s; δ

= 10％ ;注1

集电极 - 发射极击穿电压余

= 2.5毫安; V

= 0

应用信息

射频性能在T

= 25

°C

在共基极电路的测试。

操作模式

C类;吨

= 100

s; δ

= 10%

（千兆赫）

3.1 3.5

(V)

(W)

≥10

（ dB）的

≥7.5

（典型值）。 9

(%)

≥35

（典型值）。 40

2000年2月1

飞利浦半导体

产品speci fi cation

微波功率晶体管

BLS3135-10

手册， halfpage

MCD856

手册， halfpage

(1)

(2)

(3)

MCD857

(W)

（ dB）的

(2)

(3)

0.5

PD （W）的

1.5

PL （W）的

= 40 V ; C类;吨

= 100

s; δ

= 10%.

（1） F = 3.1千兆赫。

（ 2 ） F = 3.3千兆赫。

（ 3 ） F = 3.5千兆赫。

= 40 V ; C类;吨

= 100

s; δ

= 10%.

（1） F = 3.1千兆赫。

（ 2 ） F = 3.3千兆赫。

（ 3 ） F = 3.5千兆赫。

Fig.2

负载功率为驱动电源的功能;

典型值。

Fig.3

功率增益随着负载功率的函数;

典型值。

手册， halfpage

MCD858

(%)

手册， halfpage

MCD859

回报

损失

（ dB）的

(3)

(2)

(1)

（ dB）的

回报

损失

PL （W）的

3.2

3.4

F（千兆赫）

3.6

= 40 V ; C类;吨

= 100

s; δ

= 10%.

（1） F = 3.1千兆赫。

（ 2 ） F = 3.3千兆赫。

（ 3 ） F = 3.5千兆赫。

= 40 V ; C类; P

= 10瓦;牛逼

= 100

s; δ

= 10%.

Fig.4

集电极效率作为负载的函数

电源;典型值。

Fig.5

功率增益和输入回波损耗为

频率的函数;典型值。

2000年2月1

飞利浦半导体

产品speci fi cation

微波功率晶体管

BLS3135-10

手册， halfpage

MCD860

手册， halfpage

MCD861

()

3.2

3.4

F（千兆赫）

3.6

3.2

3.4

F（千兆赫）

3.6

= 40 V ; C类; P

= 10 W.

= 40 V ; C类; P

= 10 W.

Fig.6

输入阻抗作为频率的函数的

（系列组件） ;典型值。

Fig.7

负载阻抗作为频率的函数的

（系列组件） ;典型值。

2000年2月1