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分立半导体
数据表
M3D324
BLS2731-10
微波功率晶体管
产品speci fi cation
取代1998年的数据3月6日
1998年11月25日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
微波功率晶体管
特点
适合短期和中期脉冲应用
内部输入和输出匹配网络的一个简单的
电路设计
发射极镇流电阻,提高耐用性
镀金保证了出色的可靠性
相互交叉的发射极 - 基体结构提供了高
发射器效率
多单元的几何形状提高了权力分享和降低
热阻。
应用
公共基C类脉冲功率放大器雷达
应用程序在2.7 3.1 GHz频段。
顶视图
手册, halfpage
BLS2731-10
钉扎 - SOT445C
1
2
3
集热器
辐射源
基地;连接法兰FL
描述
1
3
2
MBK132
描述
NPN硅平面外延微波功率晶体管
2引线的矩形凸缘封装用陶瓷帽
( SOT445C )与连接到共同的基
FL法兰。
快速参考数据
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共同的基类- C测试电路。
操作模式
脉冲C类
f
(千兆赫)
2.7到3.1
V
CB
(V)
40
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。
所有的人谁处理,使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后,可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
P
L
(W)
12.5
G
p
( dB)的
(典型值) 。 10
η
C
(%)
(典型值) 。 45
Fig.1简化外形。
1998年11月25日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
微波功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
工作结温
焊接温度
达0.2mm的陶瓷帽;吨
10 s
发射极开路
R
BE
= 0
集电极开路
t
p
100
s; δ ≤
10%
t
p
= 100
s; δ
= 10%; T
mb
= 25
°C
条件
65
分钟。
BLS2731-10
马克斯。
75
75
2
1.5
145
+200
200
235
V
V
V
A
单位
W
°C
°C
°C
热特性
符号
Z
第j个小时
根据脉冲微波工作条件1.等效热阻。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CES
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
C
c
参数
集电极 - 基极击穿电压
收藏家泄漏电流
收藏家泄漏电流
射极漏泄电流
直流电流增益
集电极电容(只死)
条件
I
C
= 2.5毫安;发射极开路
V
CB
= 40 V ;我
E
= 0
V
CE
= 40 V; V
BE
= 0
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 0.25 A
V
CE
= 1V ;我
E
= i
e
= 0;
F = 1 MHz的
分钟。
75
75
40
10
典型值。
0.3
0.5
0.1
pF
马克斯。
V
V
mA
mA
mA
单位
参数
从结点的热阻抗散热器
条件
t
p
= 100
s; δ
= 10% ;注1
价值
1.2
单位
K / W
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 2.5毫安; V
BE
= 0
1998年11月25日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
微波功率晶体管
应用信息
射频性能在T
h
= 25
°C
在共基极电路的测试。
操作模式
C类;吨
p
= 100
s; δ
= 10%
f
(千兆赫)
2.7到3.1
V
CE
(V)
40
P
L
(W)
≥10
(典型值) 。 12.5
BLS2731-10
G
p
( dB)的
≥9
(典型值) 。 10
η
C
(%)
≥35
(典型值) 。 45
手册, halfpage
16
MDA227
手册, halfpage
60
MDA228
Gp
( dB)的
12
η
C
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
(%)
40
8
20
4
0
0
4
8
PL (W)的
12
0
0
4
8
PL (W)的
12
V
CB
= 40 V ; C类;吨
p
= 100
s; δ
= 10%.
( 1 ) F = 2.7千兆赫。
( 2 ) F = 2.9千兆赫。
( 3 ) F = 3.1千兆赫。
V
CB
= 40 V ; C类;吨
p
= 100
s; δ
= 10%.
( 1 ) F = 2.7千兆赫。
(2)F = 3.1千兆赫。
( 3 ) F = 2.9千兆赫。
Fig.2
功率增益随着负载功率的函数;
典型值。
Fig.3
集电极效率作为负载的函数
电源;典型值。
1998年11月25日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
微波功率晶体管
BLS2731-10
手册, halfpage
16
MDA229
80
η
C
(%)
60
手册, halfpage
(1)
(2)
(3)
12
MDA230
Gp
( dB)的
12
Gp
η
C
8
PL
(W)
8
40
4
4
20
0
2.7
2.8
2.9
3
F(千兆赫)
0
3.1
0
0
0.4
0.8
PD (W)的
1.2
V
CB
= 40 V ; C类;吨
p
= 100
s; δ
= 10%.
V
CB
= 40 V ; C类;吨
p
= 100
s; δ
= 10%.
( 1 ) F = 2.7千兆赫。
( 2 ) F = 2.9千兆赫。
( 3 ) F = 3.1千兆赫。
Fig.4
功率增益和EF网络效率的功能
频率;典型值。
Fig.5
负载功率为驱动电源的功能;
典型值。
手册, halfpage
20
MDA231
Zi
()
16
xi
手册, halfpage
20
MDA232
ZL
()
16
12
ri
12
RL
8
8
XL
4
4
0
2.6
2.8
3
F(千兆赫)
3.2
0
2.6
2.8
3
F(千兆赫)
3.2
V
CB
= 40 V ; C类; P
L
= 10 W.
V
CB
= 40 V ; C类; P
L
= 10 W.
Fig.6
输入阻抗作为频率的函数
(系列组件) ;典型值。
Fig.7
负载阻抗作为频率的函数
(系列组件) ;典型值。
1998年11月25日
5
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