BLP05M7200
功率LDMOS晶体管
第1版 - 2012年9月6日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
200，用于各种应用，例如ISM和RF等离子体W LDMOS功率晶体管
照明在425兆赫到450兆赫的频率。
表1中。
典型性能
射频性能在T
例
= 25
下在一个共同的来源AB类生产测试电路。
测试信号
CW
f
（兆赫）
440
V
DS
(V)
28
P
L（ AV）在
(W)
200
G
p
（ dB）的
21
D
(%)
78
1.2特点和优点
简单的电源控制
集成ESD保护
出色的耐用性
高效率
优良的热稳定性
专为ISM操作（ 425 MHz至450 MHz的）
输入集成了简单的电路板设计
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
1.3应用
射频功率放大器在425兆赫到450兆赫的频率范围的CW应用
如ISM和射频等离子照明。
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功率LDMOS晶体管
2.管脚信息
表2中。
钉扎
所有引脚都必须连接正确操作，并防止损坏器件。
针
1, 2
3, 4
5
描述
漏
门
来源
[1]
简化的轮廓
图形符号
DDD
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BLP05M7200
描述
VERSION
SOT1138-1
HSOP4F塑料，散热片小外形封装; 4引线（平）
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
T
英镑
T
例
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
储存温度
外壳温度
结温
条件
民
-
0.5
65
-
-
最大
65
+13
+150
150
225
单位
V
V
C
C
C
5.热特性
表5 。
符号
热特性
参数
条件
T
例
= 80
C;
P
L
= 200 W
典型值
0.5
单位
K / W
R
号（j -情况下）
从结热阻到外壳
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6.特性
表6 。
DC特性
T
j
= 25
每节;除非另有规定。
符号参数
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 3.2毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 320毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 16 A
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 11.2 A
民
65
典型值
-
最大
-
单位
V
<tbd> 1.9
-
-
-
-
-
-
<tbd> V
2.8
A
A
nA
S
<tbd> -
-
0.07
300
-
<tbd> -
表7中。
射频特性
测试信号： CW为440 MHz的;射频性能在V
DS
= 28 V ;我
Dq
能力= 20 mA ;牛逼
例
= 25
℃;除非
另有规定;在AB类生产测试电路。
符号
G
p
RL
in
D
参数
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
条件
P
L
= 200 W
P
L
= 200 W
P
L
= 200 W
民
-
典型值
20
最大
-
<tbd>
-
单位
dB
dB
%
<tbd> 21
<tbd> 78
7.测试信息
7.1耐用的AB类操作
该BLP05M7200能够经受对应于负载失配的
驻波比= 10 ： 1通过下述条件下的所有阶段： V
DS
= 28 V;
I
Dq
能力= 20 mA ; P
L
= 200 W（ CW） ; F = 440兆赫。
7.2阻抗信息
表8 。
典型阻抗
测量负载牵引数据。典型的值，除非另有说明。我
Dq
能力= 20 mA ; V
DS
= 28 V.
Z
S
和Z
L
德网络中定义
图1 。
f
（兆赫）
440
Z
S
()
1.5 + j0.7
Z
L
()
1.1 + j0.14
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8封装外形
623 ？ ） ？ SODVWLF ？ KHDWVLQN VPDOO RXWOLQH SDFNDJH ？ ？ OHDGV ？ IODW
627
'
%
(
$
;
F
\
+
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H
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4
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E
Z
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8QLW
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图2 。
BLP05M7200
封装外形SOT1138-1 （ HSOP4F ）
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