BLF881 ; BLF881S
UHF功率LDMOS晶体管
版本02 - 2010年2月10日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
广播发射机应用和产业一个140瓦特的LDMOS RF功率晶体管
应用程序。该晶体管可以提供从HF 140 W至1 GHz的。优秀
该设备的耐用性和宽带性能使其非常适用于数字
发射器的应用程序。
表1中。
典型性能
射频性能在V
DS
= 50 V在一个共源860 MHz的测试电路。
操作模式
2音， AB类
DVB -T （ 8K OFDM ）
[1]
f
（兆赫）
f
1
= 860; f
2
= 860.1
858
P
L
-
-
P
L（ PEP）的
140
-
P
L（ AV）在
G
p
(W)
-
33
21
21
η
D
49
34
IMD3
34
-
IMD
shldr
（ DBC）
-
33
[1]
(W) (W)
（分贝）（％） （ dBc的）
测[ dBc的]与增量标记在离中心频率4.3兆赫。
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2产品特点
2色调性能在860 MHz时，漏极 - 源极电压V
DS
50 V和静止
漏电流I
Dq
= 0.5 A:
峰值包络功率负载功率= 140瓦特
功率增益 - 21分贝
漏极效率= 49 ％
三阶互调失真=
34
dBc的
DVB性能在858 MHz时，漏极 - 源极电压V
DS
50 V和静止
漏电流I
Dq
= 0.5 A:
平均输出功率= 33 W
功率增益 - 21分贝
漏极效率= 34 ％
肩宽的距离=
33
dBc的（ 4.3兆赫的中心频率）
集成ESD保护
出色的耐用性
高功率增益
恩智浦半导体
BLF881 ; BLF881S
UHF功率LDMOS晶体管
高效率
卓越的可靠性
简单的电源控制
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
1.3应用
在UHF频带的通信发射器应用
在UHF频带的工业应用
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
漏
门
来源
[1]
简化的轮廓
图形符号
BLF881 （ SOT467C ）
1
3
2
2
3
sym112
1
BLF881S （ SOT467B ）
1
2
3
漏
门
来源
[1]
1
3
2
1
2
3
sym112
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
名称说明
BLF881
BLF881S
-
-
无耳LDMOST陶瓷封装; 2引线
VERSION
SOT467B
型号封装
FL anged LDMOST陶瓷封装; 2安装孔; 2导致SOT467C
BLF881_BLF881S_2
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本02 - 2010年2月10日
2 18
恩智浦半导体
BLF881 ; BLF881S
UHF功率LDMOS晶体管
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
储存温度
结温
条件
民
-
0.5
65
-
最大
104
+13
+150
200
单位
V
V
°C
°C
5.热特性
表5 。
符号
R
日（J -C ）
[1]
热特性
参数
从结热阻到外壳
条件
T
例
= 80
°C;
P
L（ AV）在
= 70 W
[1]
典型值
0.95
单位
K / W
R
日（J -C ）
射频条件下进行测定。
6.特性
表6 。
DC特性
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
DSX
I
GSS
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
[1]
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 1.35毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 1.35毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V
V
GS
= V
gsth
+ 3.75 V; V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= V
gsth
+ 3.75 V ;我
D
= 4.5 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
[1]
[1]
[1]
民
104
1.4
-
19
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
21
-
210
100
33.5
1
最大
-
2.4
1.4
-
140
-
-
-
-
单位
V
V
μA
A
nA
mΩ
pF
pF
pF
I
D
是漏极电流。
表7中。
射频特性
T
h
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
DS
I
Dq
P
L（ PEP）的
G
p
η
D
IMD3
BLF881_BLF881S_2
参数
漏源电压
静态漏电流
峰值包络功率负载功率
功率增益
漏EF网络效率
三阶互调失真
条件
民
-
-
-
20
45
-
典型值
50
0.5
140
21
49
34
最大
-
-
-
-
-
30
单位
V
A
W
dB
%
dBc的
3 18
2音， AB类
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
BLF881 ; BLF881S
UHF功率LDMOS晶体管
表7中。
射频特性
- 续
T
h
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
DS
I
Dq
P
L（ AV）在
G
p
η
D
IMD
shldr
PAR
[1]
[2]
参数
漏源电压
静态漏电流
平均输出功率
功率增益
漏EF网络效率
互调失真肩
峰均比
条件
民
-
-
-
20
30
[1]
[2]
典型值
50
0.5
33
21
34
33
8.3
最大
-
-
-
-
-
30
-
单位
V
A
W
dB
%
dBc的
dB
DVB -T （ 8K OFDM ）
-
-
测[ dBc的]与增量标记在离中心频率4.3兆赫。
PAR （输出信号）的CCDF 0.01 ％的概率; PAR输入信号= 9.5分贝CCDF上0.01％的概率。
200
C
OSS
（PF ）
160
001aal074
120
80
40
0
0
20
40
60
V
DS
(V)
80
V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫。
图1 。
输出电容为漏极 - 源极电压的函数;典型值
BLF881_BLF881S_2
NXP B.V. 2010保留所有权利。
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BLF881 ; BLF881S
UHF功率LDMOS晶体管
7.应用信息
7.1窄带RF科幻居雷什
7.1.1 CW
001aal075
23
G
p
（ dB）的
22
21
20
19
18
17
16
0
40
80
120
G
p
70
η
D
(%)
60
50
40
30
20
10
η
D
0
160
200
P
L
(W)
V
DS
= 50 V ;我
Dq
= 0.5 A;在共源窄带860兆赫测试电路进行测量。
图2 。
CW功率增益和漏极效率为负载供电的功能;典型值
7.1.2 2音
0001aal076
001aal077
23
G
p
（ dB）的
22
21
20
19
18
17
16
0
40
80
G
p
70
η
D
(%)
60
50
40
30
0
IMD3
（ DBC）
20
η
D
40
20
10
0
120
160
P
L（ AV）在
(W)
60
0
40
80
120
160
P
L（ AV）在
(W)
V
DS
= 50 V ;我
Dq
= 0.5 A;在共源测量
窄带860 MHz的测试电路。
V
DS
= 50 V ;我
Dq
= 0.5 A;在共源测量
窄带860 MHz的测试电路。
图3 。
2音功率增益和漏极英法fi效率为
平均负载功率的功能;典型值
图4 。
2音三阶互调失真
作为平均负载功率的函数;典型
值
BLF881_BLF881S_2
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
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BLF881 ; BLF881S
UHF功率LDMOS晶体管
第3版 - 2010年12月7日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
广播发射机应用和产业一个140瓦特的LDMOS RF功率晶体管
应用程序。该晶体管可以提供从HF 140 W至1 GHz的。优秀
该设备的耐用性和宽带性能使其非常适用于数字
发射器的应用程序。
表1中。
典型性能
射频性能在V
DS
= 50 V在一个共源860 MHz的测试电路。
操作模式
2音， AB类
DVB -T （ 8K OFDM ）
[1]
f
（兆赫）
f
1
= 860; f
2
= 860.1
858
P
L
-
-
P
L（ PEP）的
140
-
P
L（ AV）在
G
p
(W)
-
33
21
21
η
D
49
34
IMD3
34
-
IMD
shldr
（ DBC）
-
33
[1]
(W) (W)
（分贝）（％） （ dBc的）
测[ dBc的]与增量标记在离中心频率4.3兆赫。
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2特点和优点
2色调性能在860 MHz时，漏极 - 源极电压V
DS
50 V和静止
漏电流I
Dq
= 0.5 A:
峰值包络功率负载功率= 140瓦特
功率增益 - 21分贝
漏极效率= 49 ％
三阶互调失真=
34
dBc的
DVB性能在858 MHz时，漏极 - 源极电压V
DS
50 V和静止
漏电流I
Dq
= 0.5 A:
平均输出功率= 33 W
功率增益 - 21分贝
漏极效率= 34 ％
肩宽的距离=
33
dBc的（ 4.3兆赫的中心频率）
集成ESD保护
出色的耐用性
高功率增益
恩智浦半导体
BLF881 ; BLF881S
UHF功率LDMOS晶体管
高效率
卓越的可靠性
简单的电源控制
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
1.3应用
在UHF频带的通信发射器应用
在UHF频带的工业应用
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
漏
门
来源
[1]
简化的轮廓
图形符号
BLF881 （ SOT467C ）
1
2
3
sym112
BLF881S （ SOT467B ）
1
2
3
漏
门
来源
[1]
1
3
2
1
2
3
sym112
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
名称说明
BLF881
BLF881S
-
-
无耳LDMOST陶瓷封装; 2引线
VERSION
SOT467B
型号封装
FL anged LDMOST陶瓷封装; 2安装孔; 2导致SOT467C
BLF881_BLF881S
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BLF881 ; BLF881S
UHF功率LDMOS晶体管
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
储存温度
结温
条件
民
-
0.5
65
-
最大
104
+13
+150
200
单位
V
V
°C
°C
5.热特性
表5 。
符号
R
日（J -C ）
[1]
热特性
参数
从结热阻到外壳
条件
T
例
= 80
°C;
P
L（ AV）在
= 70 W
[1]
典型值
0.95
单位
K / W
R
日（J -C ）
射频条件下进行测定。
6.特性
表6 。
DC特性
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
DSX
I
GSS
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
[1]
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 1.35毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 135毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V
V
GS
= V
gsth
+ 3.75 V; V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= V
gsth
+ 3.75 V ;我
D
= 4.5 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
[1]
[1]
[1]
民
104
1.4
-
19
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
21
-
210
100
33.5
1
最大
-
2.4
1.4
-
140
-
-
-
-
单位
V
V
μA
A
nA
mΩ
pF
pF
pF
I
D
是漏极电流。
表7中。
射频特性
T
h
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
DS
I
Dq
P
L（ PEP）的
G
p
η
D
IMD3
BLF881_BLF881S
参数
漏源电压
静态漏电流
峰值包络功率负载功率
功率增益
漏EF网络效率
三阶互调失真
条件
民
-
-
-
20
45
-
典型值
50
0.5
140
21
49
34
最大
-
-
-
-
-
30
单位
V
A
W
dB
%
dBc的
3 18
2音， AB类
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恩智浦半导体
BLF881 ; BLF881S
UHF功率LDMOS晶体管
表7中。
射频特性
- 续
T
h
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
DS
I
Dq
P
L（ AV）在
G
p
η
D
IMD
shldr
PAR
[1]
[2]
参数
漏源电压
静态漏电流
平均输出功率
功率增益
漏EF网络效率
互调失真肩
峰均比
条件
民
-
-
-
20
30
[1]
[2]
典型值
50
0.5
33
21
34
33
8.3
最大
-
-
-
-
-
30
-
单位
V
A
W
dB
%
dBc的
dB
DVB -T （ 8K OFDM ）
-
-
测[ dBc的]与增量标记在离中心频率4.3兆赫。
PAR （输出信号）的CCDF 0.01 ％的概率; PAR输入信号= 9.5分贝CCDF上0.01％的概率。
200
C
OSS
（PF ）
160
001aal074
120
80
40
0
0
20
40
60
V
DS
(V)
80
V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫。
图1 。
输出电容为漏极 - 源极电压的函数;典型值
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UHF功率LDMOS晶体管
7.应用信息
7.1窄带RF科幻居雷什
7.1.1 CW
001aal075
23
G
p
（ dB）的
22
21
20
19
18
17
16
0
40
80
120
G
p
70
η
D
(%)
60
50
40
30
20
10
η
D
0
160
200
P
L
(W)
V
DS
= 50 V ;我
Dq
= 0.5 A;在共源窄带860兆赫测试电路进行测量。
图2 。
CW功率增益和漏极效率为负载供电的功能;典型值
7.1.2 2音
0001aal076
001aal077
23
G
p
（ dB）的
22
21
20
19
18
17
16
0
40
80
G
p
70
η
D
(%)
60
50
40
30
0
IMD3
（ DBC）
20
η
D
40
20
10
0
120
160
P
L（ AV）在
(W)
60
0
40
80
120
160
P
L（ AV）在
(W)
V
DS
= 50 V ;我
Dq
= 0.5 A;在共源测量
窄带860 MHz的测试电路。
V
DS
= 50 V ;我
Dq
= 0.5 A;在共源测量
窄带860 MHz的测试电路。
图3 。
2音功率增益和漏极英法fi效率为
平均负载功率的功能;典型值
图4 。
2音三阶互调失真
作为平均负载功率的函数;典型
值
BLF881_BLF881S
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