BLF6G10-135RN;
BLF6G10LS-135RN
功率LDMOS晶体管
版本02 - 2010年1月21日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
135对基站应用从频率W LDMOS功率晶体管
700 MHz至1000 MHz的。
表1中。
典型性能
典型的射频性能在T
例
= 25
°
下在AB类生产测试电路。
操作模式
2载波W-CDMA中
[1]
f
（兆赫）
869到894
V
DS
(V)
28
P
L（ AV）在
(W)
26.5
G
p
（ dB）的
21.0
η
D
(%)
28.0
ACPR
（ DBC）
39
[1]
测试信号： 3GPP ;测试模型1 ; 64 DPCH ; PAR = 7.5分贝的每个载波的CCDF 0.01 ％的概率;支架
间隔为5MHz 。
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2产品特点
典型的2载波W-CDMA的性能在869兆赫和894兆赫，一个频率
28 V和I电源电压
Dq
：950毫安
平均输出功率= 26.5 W
功率增益= 21.0分贝
效率= 28.0 ％
ACPR -
39
dBc的
简单的电源控制
集成ESD保护
增强耐用性
高效率
优良的热稳定性
专为宽带运营（ 700 MHz至1000 MHz的）
内部匹配的易用性
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
恩智浦半导体
BLF6G10(LS)-135RN
功率LDMOS晶体管
1.3应用
RF功率放大器器用于GSM ， GSM EDGE ， W-CDMA和CDMA基站和
在700 MHz至1000 MHz频率范围内的多载波应用
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
漏
门
来源
[1]
简化的轮廓
图形符号
BLF6G10-135RN （ SOT502A ）
1
1
3
2
2
3
sym112
BLF6G10LS - 135RN （ SOT502B ）
1
2
3
漏
门
来源
[1]
1
3
2
2
1
3
sym112
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名称说明
BLF6G10-135RN
BLF6G10LS-135RN
-
-
VERSION
FL anged LDMOST陶瓷封装; 2安装孔; SOT502A
2引线
无耳FL anged LDMOST陶瓷封装; 2引线
SOT502B
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
储存温度
结温
条件
民
-
0.5
-
65
-
最大
65
+13
32
+150
225
单位
V
V
A
°C
°C
BLF6G10-135RN_10LS-135RN_2
NXP B.V. 2010保留所有权利。
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BLF6G10(LS)-135RN
功率LDMOS晶体管
5.热特性
表5 。
符号
热特性
参数
条件
TYPE
BLF6G10-135RN
典型值
单位
0.68 K / W
R
号（j -情况下）
从T热阻
例
= 80
°C;
P
L
= 25 W
结到外壳
BLF6G10LS - 135RN 0.56 K / W
6.特性
表6 。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
GS （ TH）
V
GSQ
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
C
rs
参数
门源阈值电压
栅源电压静态
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
漏源导通电阻
反馈电容
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
- 0.8毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 180毫安
V
DS
= 28 V ;我
D
= 950毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 9 A
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 6.3 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V;
F = 1 MHz的
最小典型最大单位
65
1.4
1.6
-
24
-
7
-
-
-
1.9
2.1
-
32
-
13
0.1
2.0
-
2.4
2.6
3
-
300
-
-
-
V
V
V
μA
A
nA
S
Ω
pF
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
7.应用信息
表7中。
应用信息
操作模式： 2载波W-CDMA方式; PAR 7.5分贝在CCDF上0.01 ％的概率; 3GPP测试
模式1 ; 1-64 PDPCH ; F
1
= 871.5兆赫; F
2
= 876.5兆赫; F
3
= 886.5兆赫; F
4
= 891.5兆赫;
射频性能在V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 950毫安;牛逼
例
= 25
°
℃;除非另有规定ED ;在一个
AB类生产测试电路。
符号
P
L（ AV）在
G
p
RL
in
η
D
ACPR
参数
平均输出功率
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
相邻通道功率比
P
L（ AV）在
= 26.5 W
P
L（ AV）在
= 26.5 W
P
L（ AV）在
= 26.5 W
P
L（ AV）在
= 26.5 W
条件
民
-
20.0
-
26.0
-
典型值
26.5
21.0
10.0
28.0
39
最大
-
-
6.5
-
36.5
单位
W
dB
dB
%
dBc的
7.1耐用的AB类操作
该BLF6G10-135RN和BLF6G10LS - 135RN能够承受的负载
在以下通过所有阶段1 ：对应的VSWR = 10不匹配
条件： V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 950毫安; P
L
= 135瓦; F = 894兆赫。
BLF6G10-135RN_10LS-135RN_2
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24
G
p
（ dB）的
23
001aah864
75
η
D
(%)
60
22
G
p
45
21
η
D
20
30
15
19
0
40
80
120
P
L
(W)
0
160
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 950毫安; F = 881兆赫。
图1 。
一个音CW功率增益和漏EF网络效率的负载功率的功能;
典型值
23
G
p
（ dB）的
22
G
p
001aah865
60
η
D
(%)
45
20
IMD
（ DBC）
30
001aah866
IMD3
IMD5
21
30
40
IMD7
η
D
20
15
50
19
0
25
50
0
75
100
P
L（ PEP）的
(W)
60
0
25
50
75
100
P
L（ PEP）的
(W)
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 950毫安; F
1
= 881兆赫（ ±100千赫） 。
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 950毫安; F
1
= 881兆赫（ ±100千赫） 。
图2 。
双音CW功率增益和漏极效率
由于峰值包络功率负载的功能;
典型值
图3 。
双音CW互调失真的
峰值包络功率负载的功能;
典型值
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24
G
p
（ dB）的
23
001aah867
50
η
D
(%)
40
20
ACPR
（ DBC）
30
001aah868
22
G
p
21
η
D
20
30
20
40
10
19
0
12
24
36
48
60
P
L（ AV）在
(W)
0
50
0
20
40
P
L（ AV）在
(W)
60
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 950毫安; F
1
= 881 MHz的; F
2
= 886 MHz的;
载波间隔为5MHz 。
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 950毫安; F
1
= 881 MHz的; F
2
= 886 MHz的;
载波间隔为5MHz 。
图4 。
2载波W-CDMA的功率增益和漏极
英法fi效率为平均负载功率的功能;
典型值
图5 。
2载波W-CDMA的相邻信道功率
比作为平均负载功率的函数;
典型值
8.测试信息
V
GG
C3
C8
C9
C10
C11
C18
R3
L1
C20
V
DD
R1
C4
R2
C6
输入
50
Ω
C1
C17
产量
50
Ω
C2
C7
C5
C16
C12
C13
C14
C15
C19
001aah869
该图不是按比例的。
图6 。
对于工作在800MHz的测试电路
BLF6G10-135RN_10LS-135RN_2
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