BLF6G10-45
功率LDMOS晶体管
版本02 - 2010年1月20日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
对于基站应用在700 MHz的频率下45瓦的功率LDMOS晶体管
至1000兆赫。
表1中。
典型性能
射频性能在T
例
= 25
°
下在一个共同的来源AB类生产测试电路。
操作模式
2载波W-CDMA中
[1]
f
（兆赫）
920 960
V
DS
(V)
28
P
L（ AV）在
(W)
1.0
G
p
（ dB）的
22.5
η
D
(%)
7.8
ACPR
（ DBC）
48.5
[1]
测试信号： 3GPP ;测试模型1 ; 64 DPCH ; PAR = 7.5分贝的每个载波的CCDF 0.01 ％的概率;支架
间隔为5MHz 。
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2产品特点
典型的2载波W-CDMA的性能在920兆赫和960兆赫，一个频率
28 V和I电源电压
Dq
：350毫安
平均输出功率=为1.0W
增益= 22.5分贝
效率= 7.8 ％
ACPR -
48.5
dBc的
简单的电源控制
集成ESD保护
出色的耐用性
高效率
优良的热稳定性
专为宽带运营（ 700 MHz至1000 MHz的）
内部匹配的易用性
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
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功率LDMOS晶体管
1.3应用
射频功率放大器用于W- CDMA基站和在多载波应用
700兆赫至1000兆赫的频率范围。
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
漏
门
来源
[1]
简化的轮廓
1
符号
1
3
2
2
3
sym112
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BLF6G10-45
-
描述
FL anged陶瓷封装; 2安装孔; 2引线
VERSION
SOT608A
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
储存温度
结温
条件
民
-
0.5
-
65
-
最大
65
+13
13
+150
225
单位
V
V
A
°C
°C
5.热特性
表5 。
符号
R
号（j -情况下）
热特性
参数
热阻结
到案
条件
T
例
= 80
°C;
P
L
= 12.5 W
典型值
1.7
单位
K / W
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6.特性
表6 。
特征
T
j
= 25
°
每节;除非另有规定。
符号参数
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
V
GSQ
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
门源阈值电压
栅源电压静态
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
- 0.5毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 72毫安
V
DS
= 28 V ;我
D
= 430毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 3.6 A
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 2.52 A
民
65
1.35
1.7
-
-
-
-
-
典型值
-
1.9
2.15
-
12.5
-
5
0.2
最大
-
2.35
2.7
1.4
-
140
-
-
单位
V
V
V
μA
A
nA
S
Ω
7.应用信息
表7中。
应用信息
操作模式： 2载波W-CDMA方式; PAR 7.5分贝在CCDF上0.01 ％的概率; 3GPP测试
模式1 ; 1-64 PDPCH ; F
1
= 922.5兆赫; F
2
= 927.5兆赫; F
3
= 952.5兆赫; F
4
= 957.5兆赫;
射频性能在V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 350毫安;牛逼
例
= 25
°
℃;除非另有规定ED ;在一个
AB类生产测试电路。
符号
G
p
RL
in
η
D
ACPR
参数
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
相邻通道功率比
条件
P
L（ AV）在
= 1.0 W
P
L（ AV）在
= 1.0 W
P
L（ AV）在
= 1.0 W
P
L（ AV）在
= 1.0 W
民
21
8
6.9
-
典型值
22.5
13
7.8
最大
23.9
-
-
单位
dB
dB
%
dBc的
48.5 45.5
7.1耐用的AB类操作
该BLF6G10-45能够经受对应于负载失配的
驻波比= 10 ： 1通过下述条件下的所有阶段： V
DS
= 28 V;
I
Dq
= 350毫安; P
L
= 35 W（ CW） ; F = 960兆赫。
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25
G
p
（ dB）的
23
001aah527
75
η
D
(%)
η
D
60
21
45
19
G
p
30
17
15
15
0
10
20
30
40
P
L
(W)
50
0
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 350毫安; F = 960兆赫。
图1 。
25
G
p
（ dB）的
23
一个音CW功率增益和漏极效率为负载供电的功能;典型值
001aah528
70
η
D
(%)
0
IMD
（ DBC）
30
001aah529
IMD3
IMD5
IMD7
η
D
55
21
40
19
G
p
25
60
17
10
15
0
20
40
60
80
P
L（ PEP）的
(W)
5
90
0
20
40
P
L（ PEP）的
(W)
60
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 350毫安; F
1
= 960 MHz的;
f
2
= 960.1兆赫。
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 350毫安; F
1
= 960 MHz的;
f
2
= 960.1兆赫。
图2 。
双音CW功率增益和漏极效率
由于峰值包络功率负载的功能;
典型值
图3 。
互调失真的函数
峰值包络功率负荷;典型值
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