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BLF642
宽带功率LDMOS晶体管
第2版 - 2011年7月22日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
一个35瓦的LDMOS射频功率晶体管广播发射机和工业应用。
所述晶体管适用于频率范围的HF到1400兆赫。优秀
该设备的耐用性和宽带性能使其非常适用于数字
应用程序。
表1中。
典型性能
射频性能在T
h
= 25
下在一个公共源测试电路。
操作模式
CW ， AB类
2音， AB类
f
（兆赫）
1300
1300
V
DS
(V)
32
32
P
L
(W)
35
17.5
G
p
（ dB）的
19
19
D
(%)
63
48
IMD
（ DBC）
-
28
1.2特点和优点
CW性能在1300兆赫，漏极 - 源极电压V
DS
32 V和静止
漏电流I
Dq
= 0.2 A :
平均输出功率= 35瓦
功率增益 - 19分贝
漏极效率= 63 ％
2色调表现在1300兆赫，漏极 - 源极电压V
DS
32 V和静止
漏电流I
Dq
= 0.2 A :
平均输出功率= 17.5 W
功率增益 - 19分贝
漏极效率= 48 ％
互调失真=
28
dBc的
集成ESD保护
出色的耐用性
高功率增益
高效率
卓越的可靠性
简单的电源控制
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
恩智浦半导体
BLF642
宽带功率LDMOS晶体管
1.3应用
通信发射机应用的HF到1400 MHz的频率范围内
在HF至1400 MHz频率范围内的工业应用
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
漏
门
来源
[1]
简化的轮廓
1
3
2
图形符号
1
2
3
sym112
[1]
连接法兰FL
3.订购信息
表3中。
订购信息
名称说明
BLF642
-
VERSION
型号封装
FL anged LDMOST陶瓷封装; 2安装孔; 2导致SOT467C
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
储存温度
结温
条件
民
-
0.5
65
-
最大
65
+11
+150
200
单位
V
V
C
C
5.热特性
表5 。
R
日（J -C ）
[1]
热特性
条件
T
例
= 80
C;
P
L
= 35 W
[1]
符号参数
从结热阻到外壳
典型值
1.6
单位
K / W
R
日（J -C ）
射频条件下进行测定。
BLF642
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2 12
恩智浦半导体
BLF642
宽带功率LDMOS晶体管
6.特性
表6 。
每节的特点
T
j
= 25
℃;除非另有规定ED 。
符号参数
V
GS （ TH）
V
GSQ
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
rs
门源阈值电压
栅源电压静态
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
条件
V
DS
= 32 V ;我
D
= 50毫安
V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 250毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 32 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
=
10
V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 2.5 A
最小值典型值
65
1.4
1.5
-
8.0
-
-
-
-
-
-
-
1.9
2.0
-
9.0
-
3.3
300
39
15
0.84
最大单位
-
2.4
2.5
1.4
-
50
-
-
-
-
-
V
V
V
A
A
nA
S
m
pF
pF
pF
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0 V ;我
D
- 0.5毫安
漏源导通电阻V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 1.75 A
输入电容
输出电容
反馈电容
V
GS
= 0 V; V
DS
= 32 V;
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 32 V;
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 32 V;
F = 1 MHz的
7.应用信息
表7中。
在共源AB类电路的RF性能
T
h
= 25
℃;我
Dq
= 0.2 A.
操作模式
CW ， AB类
f
（兆赫）
1300
V
DS
(V)
32
P
L
(W)
35
G
p
（ dB）的
> 18
D
(%)
> 59
7.1耐用的AB类操作
该BLF642能够经受对应于驻波的负载不匹配= 10 ：1的
通过在下列条件下的所有阶段： V
DS
= 32 V ; F = 1300 MHz的频率，额定负载
力。
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恩智浦半导体
BLF642
宽带功率LDMOS晶体管
8.测试信息
8.1射频性能
下面科幻居雷什测量在AB类生产测试电路。
8.1.1 1 - CW音
001aan775
001aan776
22
G
P
（ dB）的
20
80
η
D
(%)
22
G
P
（ dB）的
20
(7)
(6)
G
P
60
18
η
D
40
18
(5)
(4)
(3)
(2)
16
20
16
(1)
14
0
10
20
30
40
P
L
(W)
50
0
14
0
10
20
30
40
P
L
(W)
50
V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 200毫安; F = 1300兆赫。
V
DS
= 32 V ; F = 1300兆赫。
(1) I
Dq
= 50毫安
(2) I
Dq
= 100毫安
(3) I
Dq
= 150毫安
(4) I
Dq
= 200毫安
(5) I
Dq
= 250毫安
(6) I
Dq
= 300毫安
(7) I
Dq
= 350毫安
图1 。
功率增益和漏极效率的功能
负载功率;典型值
图2 。
功率增益随着负载功率的函数;
典型值
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宽带功率LDMOS晶体管
8.1.2 2 - CW音
001aan777
001aan778
21
G
P
（ dB）的
20
80
η
D
(%)
60
0
IMD3
（ DBC）
-20
G
P
19
η
D
40
(1)
(2)
-40
18
20
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
17
0
10
20
P
L（ AV）在
(W)
0
30
-60
0
10
20
P
L（ AV）在
(W)
30
V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 200毫安; F = 1300 MHz的;
载波间隔= 100千赫。
V
DS
= 32 V ; F = 1300 MHz的;载波间隔= 100千赫。
(1) I
Dq
= 50毫安
(2) I
Dq
= 100毫安
(3) I
Dq
= 150毫安
(4) I
Dq
= 200毫安
(5) I
Dq
= 250毫安
(6) I
Dq
= 300毫安
(7) I
Dq
= 350毫安
图3 。
功率增益和漏极效率的功能
平均负载功率;典型值
图4 。
三阶互调失真为
平均负载功率的功能;典型值
8.1.3脉冲CW
001aao319
22
G
p
（ dB）的
20
G
p
80
η
D
(%)
60
18
η
D
40
16
20
14
0
10
20
30
40
P
L
(W)
50
0
V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 200毫安; F = 1300 MHz的
图5 。
BLF642
功率增益和漏极效率为平均功率的函数;典型值
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